KR950012154A - 폴리실란형 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하여 패턴을 제조하는 방법 - Google Patents

폴리실란형 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하여 패턴을 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950012154A
KR950012154A KR1019940026701A KR19940026701A KR950012154A KR 950012154 A KR950012154 A KR 950012154A KR 1019940026701 A KR1019940026701 A KR 1019940026701A KR 19940026701 A KR19940026701 A KR 19940026701A KR 950012154 A KR950012154 A KR 950012154A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
hydrocarbon groups
polysilane
pattern
Prior art date
Application number
KR1019940026701A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100367263B1 (ko
Inventor
에미 우에따
히로시 쯔시마
이와오 스미요시
Original Assignee
후지이 히로시
닛폰 페인트 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지이 히로시, 닛폰 페인트 가부시끼가이샤 filed Critical 후지이 히로시
Publication of KR950012154A publication Critical patent/KR950012154A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100367263B1 publication Critical patent/KR100367263B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)

Abstract

본 발명은 광붕괴에 대한 폴리실란의 감도가 개선되고 광붕괴에 필요한 시간이 짧은 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. 감광성 수지 조성물은 (a) 하기 일반식의 폴리실란, (b) 광라디칼 발생제, 및 (c) 산화제를 포함한다.
상기 식에서, R1,R2,R3및 R4는 동일하거나 또는 상이하며, 비치환 또는 치환된 지방록 탄화수소기, 치환족 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로 이루어진 군으로부터 선택되고, m 및 n은 정수이다. 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴을 제조하는 방법도 개시되어 있다.

Description

폴리실란형 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하여 패턴을 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. (a) 하기 일반식의 폴리실란, (b) 광라디칼 발생제, 및 (c) 산화제를 포함하는 감광성 수지 조성물
    상기 식에서, R1,R2,R3및 R4는 동일하거나 또는 상이하며, 비치환 또는 치환된 지방록 탄화수소기, 치환족 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로 이루어진 군으로부터 선택되고, m 및 n은 정수이다.
  2. 제 1항에 있어서, 감광성 염료를 추가로 포함하는 감광성 수지 조성물.
  3. 제 1항에 따른 감광성 수지 조성물로 이루어진 감광성 층을 기판상에 형성시키는 단계 ; 패턴에 따라 감광성 층을 광에 선별적으로 노출시켜 패턴화된 잠상을 형성시키는 단계 ; 및 잠상을 갖는 감광성 층을 금속 산화물 졸에 침지시키는 단계를 포함하는 금속 산화불의 박막 패턴을 제조하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 금속 산화물 졸이 염료 또는 안료를 함유하는 방법.
  5. 제 3 항의 방법에 의해 수득된 패턴화된 박막.
  6. 제 4항의 방법에 의해 수득된 패턴화된 박막.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940026701A 1993-10-20 1994-10-19 폴리실란형감광성수지조성물및이를사용하여패턴을제조하는방법 KR100367263B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-262287 1993-10-20
JP26228793A JP3274918B2 (ja) 1993-10-20 1993-10-20 ポリシラン系感光性樹脂組成物およびそれを用いるパターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950012154A true KR950012154A (ko) 1995-05-16
KR100367263B1 KR100367263B1 (ko) 2003-03-19

Family

ID=17373693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940026701A KR100367263B1 (ko) 1993-10-20 1994-10-19 폴리실란형감광성수지조성물및이를사용하여패턴을제조하는방법

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0650093B1 (ko)
JP (1) JP3274918B2 (ko)
KR (1) KR100367263B1 (ko)
DE (1) DE69408260T2 (ko)
TW (1) TW417039B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100245180B1 (ko) * 1996-05-29 2000-02-15 니시무로 타이죠 감광성 조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법
US5955192A (en) * 1996-11-20 1999-09-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Conductive circuit board and method for making
JP3301370B2 (ja) * 1997-12-11 2002-07-15 信越化学工業株式会社 ポリシランパターン形成基板の製造方法
JP3410968B2 (ja) * 1998-06-22 2003-05-26 株式会社東芝 パターン形成方法および感光性組成物
JP3539234B2 (ja) * 1998-10-22 2004-07-07 信越化学工業株式会社 金属パターン用被膜形成用ポリシラン組成物及び金属パターン形成方法
JP4017795B2 (ja) * 1999-08-27 2007-12-05 富士フイルム株式会社 光波長変換素子およびその作製方法
JP4775834B2 (ja) 2002-08-05 2011-09-21 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP3910907B2 (ja) * 2002-10-29 2007-04-25 新光電気工業株式会社 キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置
JP3910908B2 (ja) * 2002-10-29 2007-04-25 新光電気工業株式会社 半導体装置用基板及びこの製造方法、並びに半導体装置
JP4493906B2 (ja) * 2002-11-12 2010-06-30 富士通株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US10667340B2 (en) 2015-01-29 2020-05-26 Dsgi Technologies, Inc. Microwave assisted parallel plate E-field applicator
US11106132B2 (en) * 2018-04-27 2021-08-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Energy-sensitive composition, cured product, and pattern forming method
CN112859520A (zh) * 2021-01-20 2021-05-28 深圳市撒比斯科技有限公司 一种低能量固化的光刻胶、抗蚀剂图案及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4588801A (en) * 1984-04-05 1986-05-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Polysilane positive photoresist materials and methods for their use
US4820788A (en) * 1986-10-31 1989-04-11 John M. Zeigler Poly(silyl silane)homo and copolymers
JPH0643655A (ja) * 1991-03-04 1994-02-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス
KR950002875B1 (ko) * 1991-07-08 1995-03-27 가부시키가이샤 도시바 감광성 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
EP0650093B1 (en) 1998-01-28
JPH07114188A (ja) 1995-05-02
DE69408260T2 (de) 1998-05-20
KR100367263B1 (ko) 2003-03-19
EP0650093A1 (en) 1995-04-26
TW417039B (en) 2001-01-01
DE69408260D1 (de) 1998-03-05
JP3274918B2 (ja) 2002-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950012154A (ko) 폴리실란형 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하여 패턴을 제조하는 방법
KR950009357A (ko) 박막 패턴 형성 방법
ATE40482T1 (de) Lichtempfindliches material mit sichtbarer belichtungsindikation.
KR910016816A (ko) Un 경화성 예비 가교 결합된 에폭시 관능성 실리콘
KR980002109A (ko) 감광성 폴리이미드 전구체 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법
KR910016817A (ko) Uv경화성 에폭시 실리콘
ATE392T1 (de) Verfahren und material zur herstellung von photographischen bildern.
ATE13362T1 (de) Flexible, laminierbare lichtempfindliche schicht.
US734134A (en) Decorated surface and method of producing same.
KR910008486A (ko) 노광마스크
KR860003536A (ko) 감광성 내식막 처리액
KR970076092A (ko) 감광성 조성물, 패턴 형성방법 및 전자부품의 제조방법
ATE325368T1 (de) Farbfilter und verfahren zu seiner herstellung
KR950012149A (ko) 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성 방법
KR937000886A (ko) 미세 레지스트 패턴의 형성 방법
KR960024674A (ko) 방사선-민감성 조성물에 사용되는 광산 생성 조성물
KR890010619A (ko) 감광성 물질 및 그를 이용한 패턴형성 방법
US1911955A (en) Phototransfer process
KR910006788A (ko) 전자사진 감광체 및그 제조방법
JPS57104937A (en) Original plate for lithographic printing
KR890008214A (ko) 합성수지 필름의 영상패턴 형성방법
FI802595A (fi) Stentrycksplatta
KR900003686A (ko) 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액
KR970012016A (ko) 2차 이상의 노광에 의한 포토레지스트 패턴 형성방법
DE557698C (de) Verfahren zur unmittelbaren photographischen Herstellung von Kopiervorlagen in Vollton nach Hochdruckformen

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111202

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee