KR910006788A - 전자사진 감광체 및그 제조방법 - Google Patents

전자사진 감광체 및그 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

전자사진 감광체 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 단층형 감광층에 있어서의 열처리 온도와, 잔존 테트라 히드로푸란의 양과의 관계를 나타내는 그래프.
제2도는 단층형 감광층에 있어서의 열처리 시간과 잔존 테트라 히드로 푸란의 양과의 관계를 나타내는 그래프.
제3도는 단층형 감광층의 막의 두께와 열처리후의 잔존 테트라 히드로 푸란의 양과의 관계를 나타내는 그래프.

Claims (10)

  1. 폴리카프보네이트를 결착수지로서 함유하는 층을 구비한 전자사진 감광체에 있어서, 상기한 층의 유리전이 온도가 62℃이상인 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체.
  2. 1항에 있어서, 폴리카르보네이트가 하기의 일반식[Ⅰ]로 표시되는 비스페놀레타형의 폴리카르보네이트인 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체.
  3. 제1항에 있어서, 층이 전하수송 재료로서 m-페닐렌 디아민계 화합물을 전기한 폴리카르보네이트 중에 함유한 감광층인 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체.
  4. 제1항에 있어서, 층이 전하발생 자료로서 페릴렌계 화합물을 전하수송 재료로서 m-페닐렌 디아민계 화합물을 전기한 폴리카르보네이트 중에 함유한 단층형의 감광층인 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체.
  5. 폴리카르보네이트를 결착수지로서 함유하는 층을 110℃이상의 온도로 30분간 처리해서 상기한 층의 유리전이 온도를 62℃이상으로 하는 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 폴리카르보네이트가 하기하는 일반식[Ⅰ]로 표시되는 비스페놀네칸형의 폴리카르보네아트인 것을 특징으로 하는 전자시진 감광체의 제조방법.
  7. 결착수지와 전하수송 재료인 m-페닐렌 디아민계 화합물과 테트라 히드로푸란과를 함유하는 도포액을 도포해서 형성되는 감광층을 구비하고, 이 감광층중에 잔존 체트라히드로푸란의 양이 2.5×10-3/㎕/㎎ 이하인 전자사진 감광체.
  8. 결착수지와 전하수송 재료인 m-페닐렌 디아민계 화합물과 테트라히드로푸란과를 함유하는 도포액을 도포해서 형성되는 감광층을 110℃이상의 온도로 30분간 열처리해서 감광층중의 잔존 테트라히드로푸란의 양을 2.5×10-3/㎕/㎎ 이하로 하는 전자사진 감광체의 제조방법.
  9. 결착수지와 전하발생 재료인 페릴렌계 화합물과 전하 수송재료인 m-페닐렌 디아민계 화합물과 테트라히드로 푸란과를 함유하는 도포액을 도포해서 형성되는 감광층을 구비하고, 이 감광층 중의 잔존 테트라 히드로푸란의 양이 2.5×10-3/㎕/㎎ 이하인 전자사진 감광체.
  10. 결착수지와 전하발생 재료인 페릴렌계 화합물과, 전하수송 재료인 m-페닐렌 디아민계 화합물과 테트라 히드로 푸란과를 함유하는 도포액을 도포해서 형성되는 감광층을 110℃이상의 온도로 30분간 열처리해서 감광층중의 잔존 테트라 히드로푸란의 양을 2.5×10-3/㎕/㎎ 이하로 하는 전자사진 감광체의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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