JP2618053B2 - 電子写真感光体およびその製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ この発明は、複写機等の画像形成装置に使用される電
子写真感光体およびその製法に関するものである。

＜従来の技術＞ 近時、いわゆるカールソンプロセスを利用した、複写
機等の画像形成装置においては、光照射により電荷を発
生させる電荷発生材料と、発生した電荷を輸送する電荷
輸送材料とを併用することにより、電荷発生機能と電荷
輸送機能とを分離した、いわゆる機能分離型のものが、
高感度化が容易であるため、多用されている。

また、上記機能分離型の感光体においては、導電性基
体の表面に形成された感光層を、結着樹脂中に、上記電
荷発生材料や電荷輸送材料等の機能成分を含有させた有
機の層とした有機感光体が、材料の選択幅が広く、生産
性に優れ、且つ機能設計の自由度が高いために好適に用
いられている。

上記有機感光体としては、電荷発生材料を含有した電
荷発生層と、電荷輸送材料を含有した電荷輸送層とを積
層した多層型の有機感光層を有するものと、電荷発生材
料および電荷輸送材料を結着樹脂中に含有させた単層型
の感光層を有するものとがあり、中でも、歩留まり良く
容易に製造できることや、正帯電特性に優れ、製造が容
易な負帯電型のトナーを使用できることなどから、単層
型の有機感光層を有する有機感光体が好ましく使用され
ている。

また、最近では、帯電、露光、除電等の画像形成プロ
セスを繰り返し行った際に、上記単層型の感光層が疲労
して帯電量低下や感度低下等を生じることを防止するた
め、電荷発生材料および電荷輸送材料として、上記帯電
量低下や感度低下等の防止作用に優れたペリレン系化合
物（電荷発生材料）、および、ｍ−フェニレンジアミン
系化合物（電荷輸送材料）を用いた有機感光体が提案さ
れている。

＜発明が解決しようとする課題＞ ところが、上記ペリレン系化合物とｍ−フェニレンジ
アミン系化合物とを含有する単層型の有機感光層は、特
に、画像形成装置の運転時等、感光体が加熱された状態
において、ハロゲンランプや太陽光等が照射されると、
これらの光の中に含まれる可視光線により、感度低下を
起こすという問題があった。

また、上記可視光線照射による感度低下（可視光劣
化）は、特に、揮発性等に優れ、有機感光体の製造に多
用されているテトラヒドロフラン（THF）を溶媒、或い
は分散媒として用いた塗布液から、上記単層型の有機感
光層を形成した場合に顕著であった。

この発明は、以上の事情に鑑みてなされたものであっ
て、画像形成プロセスを繰り返し行った際の、帯電量低
下や感度低下等の防止作用に優れた、電荷発生材料とし
てのペリレン系化合物と、電荷輸送材料としてのｍ−フ
ェニレンジアミン系化合物とを含有し、しかも可視光劣
化を起しにくい電子写真感光体およびその製法を提供す
ることを目的としている。

＜課題を解決するための手段および作用＞ 上記課題を解決するため、発明者らは、形成された感
光層中に残存するTHFの量と、感度低下との関係を検討
した。

すなわち、前記可視光劣化は、ｍ−フェニレンジアミ
ン系化合物が、自身の可視光線吸収、或いは、ペリレン
系化合物等の可視光線吸収物質からのエネルギー伝達に
よって励起し、二量化反応もしくは分解反応を生じて、
感光体の感度を低下させるキャリアトラップとなる物質
に変化することが原因であると考えられており、層中に
残存するTHFも、上記可視光線吸収物質として、ｍ−フ
ェニレンジアミン系化合物の二量化反応、分解反応に関
与しているものと推測して検討を行ったのである。

その結果、残存THF量が2.5×10^-3μ/mg以下であれ
ば、実用上問題のない画像が得られることを見出し、こ
の知見に基づいて、この発明を完成するに至った。した
がって、この発明の電子写真感光体は、結着樹脂と、電
荷発生材料としてのペリレン系化合物と、電荷輸送材料
としてのｍ−フェニレンジアミン系化合物と、THFとを
含有する塗布液を塗布して形成される感光層を備えた電
子写真感光体において、上記感光層中の残存THF量が、
あらかじめ2.5×10^-3μ/mg以下とされたことを特徴
し、この発明の電子写真感光体の製法は、結着樹脂と、
電荷発生材料としてのペリレン系化合物と、電荷輸送材
料としてのｍ−フェニレンジアミン系化合物と、THFと
を含有する塗布液を塗布して形成される感光層を110℃
以上の温度で30分以上熱処理して、感光層中の残存THF
量を2.5×10^-3μ/mg以下にすることを特徴としてい
る。

以下に、この発明を詳細に説明する。

感光層中に含有されるペリレン系化合物は下記一般式
〔１〕で、また、ｍ−フェニレンジアミン系化合物は下
記一般式〔II〕で表される。

（但し、上記式〔Ｉ〕中R¹〜R⁴は、それぞれ、同一また
は異なるアルキル基を表す） （但し、上記式〔II〕中R⁵〜R⁹は、それぞれ、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子および水素原子からな
る群より選ばれた同一または異なる基を表す） 上記一般式〔Ｉ〕で表されるペリレン系化合物として
は、式〔Ｉ〕中のR¹〜R⁴が、炭素数１〜６のアルキル
基、例えば、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル
基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル
基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基である化
合物が、好ましいものとして挙げられる。

具体的には、N,N′−ジ（3,5−ジメチルフェニル）ペ
リレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′
−ジ（３−メチル−５−エチルフェニル）ペリレン−3,
4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ（3,5−
ジエチルフェニル）ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボ
キシジイミド、N,N′−ジ（3,5−ジノルマルプロピルフ
ェニル）ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミ
ド、N,N′−ジ（3,5−ジイソプロピルフェニル）ペリレ
ン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ
（３−メチル−５−イソプロピルフェニル）ペリレン−
3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ（3,5
−ジノルマルブチルフェニル）ペリレン−3,4,9,10−テ
トラカルボキシジイミド、N,N′−ジ（3,5−ジ−tert−
ブチルフェニル）ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキ
シジイミド、N,N′−ジ（3,5−ジペンチルフェニル）ペ
リレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′
−ジ（3,5−ジヘキシルフェニル）ペリレン−3,4,9,10
−テトラカルボキシジイミド等が挙げられ、中でも、入
手のし易さ等から、N,N′−ジ（3,5−ジメチルフェニ
ル）ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミドが
好ましいものとして挙げられる。

一方、前記一般式〔II〕で表されるｍ−フェニレンジ
アミン系化合物としては、式〔II〕中のR⁵〜R⁹が、水
素、炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低
級アルコキシ基、またはハロゲンである化合物が、好ま
しいものとして挙げられる。上記低級アルキル基として
は、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプ
ロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、tert−ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基が例示され、低級アル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ノルマル
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ノルマルブトキシ
基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキ
シ基、ヘキシルオキシ基が例示される。

具体的には、N,N,N′,N′−テトラフェニル−1,3−フ
ェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス（３−ト
リル）−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テト
ラフェニル−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テ
トラキス（３−トリル）−3,5−トリレンジアミン、N,
N,N′,N′−テトラキス（４−トリル）−1,3−フェニレ
ンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス（４−トリル）
−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス
（３−エチルフェニル）−1,3−フェニレンジアミン、
N,N,N′,N′−テトラキス（４−プロピルフェニル）−
1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラフェニ
ル−５−メトキシ−1,3−フェニレンジアミン、N,N−ビ
ス（３−トリル）−Ｎ′,N′−ジフェニル−1,3−フェ
ニレンジアミン、N,N′−ビス（４−トリル）−N,N′−
ジフェニル−1,3−フェニレンジアミン、N,N′−ビス
（４−トリル）−N,N′−ビス（３−トリル）−1,3−フ
ェニレンジアミン、N,N′−ビス（４−トリル）−N,N′
−ビス（３−トリル）−3,5−トリレンジアミン、N,N′
−ビス（４−エチルフェニル）−N,N′−ビス（３−エ
チルフェニル）−1,3−フェニレンジアミン、N,N′−ビ
ス（４−エチルフェニレ）−N,N′−ビス（３−エチル
フェニル）−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テ
トラキス（2,4,6−トリメチルフェニル）−1,3−フェニ
レンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス（2,4,6−トリ
メチルフェニル）−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,
N′−テトラキス（3,5−ジメチルフェニル）−1,3−フ
ェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス（3,5−ジ
メチルフェニル）−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,
N′−テトラキス（3,5−ジエチルフェニル）−1,3−フ
ェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス（3,5−ジ
エチルフェニル）−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,
N′−テトラキス（３−クロロフェニル）−1,3−フェニ
レンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス（３−ブロモ
フェニル）−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−
テトキス（３−ヨードフェニル）−1,3−フェニレンジ
アミン、N,N,N′,N′−テトラキス（３−フルオロフェ
ニル）−1,3−フェニレンジアミン等が好ましいｍ−フ
ェニレンジアミン系化合物として挙げられる。そして、
上記各化合物の中でも、前記一般式〔II〕中の基R⁵〜R⁹
が、各ベンゼン環のうち、チッ素原子が結合された炭素
に対してメタ位の炭素に結合した化合物、または、基
R⁵,R⁹が、ベンゼン環のうち、チッ素原子が結合された
炭素に対してパラ位の炭素に結合し、基R⁶,R⁸が、ベン
ゼン環のうち、チッ素原子が結合された炭素に対してメ
タ位の炭素に結合した化合物は、分子の非対称性が大き
く、分子間の相互作用が小さくて結晶化し難いので、結
着樹脂中に容易に分散させることができ、この発明に、
より好ましいものとして挙げられる。具体的には、N,N,
N′,N′−テトラキス（３−トリル）−1,3−フェニレン
ジアミン、N,N′−ビス（４−トリル）−N,N′−ビス
（３−トリル）−1,3−フェニレンジアミン等の化合物
が、より好ましいものとして例示される。

上記ペリレン系化合物およびｍ−フエニレンジアミン
系化合物と共に感光層を構成する結着樹脂としては、例
えば熱硬化性シリコーン樹脂；エポキシ樹脂；ウレタン
樹脂；硬化性アクリル樹脂；アルキッド樹脂；不飽和ポ
リエステル樹脂；ジアリルフタレート樹脂；フェノール
樹脂；尿素樹脂；ベンゾグアナミン樹脂；メラミン樹
脂；スチレン系重合体；アクリル系重合体；スチレン−
アクリル系共重合体；ポリエチレン、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン、
アイオノマー等のオレフィン系重合体；ポリ塩化ビニ
ル；塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体；ポリ酢酸ビニ
ル；飽和ポリエステル；ポリアミド；熱可塑性ウレタン
樹脂；ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＺ型等のポ
リカーボネート；ポリアリレート；ポリスルホン；ケト
ン樹脂；ポリビニルブチラール；ポリエーテル等が挙げ
られる。なお、上記結着樹脂は、上記感光層の他、当該
感光層の上に必要に応じて形成される表面保護層を構成
するためにも用いられる。

上記感光層は、少なくとも上記結着樹脂と、ペリレン
系化合物と、ｍ−フェニレンジアミン系化合物とを、溶
媒または分散媒としてのTHF中に含有させた塗布液を、
スプレーコーティング法、ディッピング法、フローコー
ティング法等の通常の塗布方法によって塗布し、固化ま
たは硬化させて形成されるもので、前述したように、層
中の残存THF量が2.5×10^-3μ/mg以下である必要があ
る。層中の残存THF量が2.5×10^-3μ/mgを超えた場合
には、光照射時に、残存THFからｍ−フェニレンジアミ
ン系化合物へ伝達される励起エネルギー量が多すぎて、
多量のｍ−フェニレンジアミン系化合物が二量化反応ま
たは分解反応してしまい、劣化した部分の感度が著しく
低下して、特に中間調の画像（グレー画像）において、
上記劣化部分が濃くなってムラ等を生じ、実用的な画像
を得ることができなくなる。

上記のように、感光層中に残存するTHFの量を2.5×10
^-3μ/mg以下にするためには、種々の方法が考えられ
るが、110℃以上の温度で30分以上熱処理することによ
り、感光層中に残存したTHFを気化、蒸散させる、この
発明の製法によれば、単に加熱するだけで残存THF量を
低減することができるので、大掛かりな装置等を必要と
せず、簡単に、この発明の電子写真感光体を製造するこ
とが可能となる。

なお、この発明の製法において、感光層の熱処理温度
が110℃以上、熱処理時間が30分以上に限定されるの
は、熱処理温度が110℃未満、または熱処理時間が30分
未満では、感光層中の残存THF量を十分に低減すること
ができないからである。

また、上記熱処理温度は、特定層中に含まれる電荷発
生材料や電荷輸送材料等の機能成分の昇華、分解等を防
止するために、130℃以下であることが好ましい。

上記加熱条件による熱処理は、既に固化または硬化し
た感光層に対して行っても良いし、感光層の固化または
硬化と同時に行っても良い。

なお、前記ペリレン系化合物は、長波長側に分光感度
がないので、赤の分光エネルギーが大きいハロゲンラン
プと組み合わせた際に、感光体を高感度化するために
は、長波長側に感度を有する、Ｘ型メタルフリーフタロ
シアニン等の他の電荷発生材料を併用することが好まし
い。

上記Ｘ型メタルフリーフタロシアニンとしては、種々
のものが使用できるが、特に、ブラッグ角度（２θ±0.
2゜）の、7.5゜、9.1゜、16.7゜、17.3゜並びに22.3゜
に強い回折ピークを示すものが好ましい。

上記Ｘ型メタルフリーフタロシアニンの添加量は、特
に限定されないが、ペリレン系化合物100重量部に対
し、1.25〜3.75重量部の範囲内であることが好ましい。
ペリレン系化合物100重量部に対するＸ型メタルフリー
フタロシアニンの添加量が、1.25重量部未満では、長波
長側の感度を十分に向上することができず、3.75重量部
を超えると、長波長側での分光感度が高すぎて、赤色原
稿の再現性が低下する虞がある。

また、感光層には、上記ペリレン系化合物およびＸ型
メタルフリーフタロシアニン以外にも、例えば、α−S
e、α−As₂Se₃、α−SeAsTe等のアモルファスカルコゲ
ン化物やアモルファスシリコン（α−Si）等の半導体材
料の粉末;ZnO、CdS等のII−VI族微結晶；ピリリウム
塩；アゾ系化合物；ビスアゾ系化合物；α型，β型，γ
型等の結晶型を有するアルミニウムフタロシアニン、銅
フタロシアニン、チタニルフタロシアニン等のフタロシ
アニン系化合物；アンサンスロン系化合物；インジゴ系
化合物；トリフェニルメタン系化合物；スレン系化合
物；トルイジン系化合物；ピラゾリン系化合物；キナク
リドン系化合物；ピロロピロール系化合物等の電荷発生
材料を、必要に応じて併用することもできる。

また、前記感光層中には、通常、前記ｍ−フェニレン
ジアミン系化合物と共に、従来公知の他の電荷輸送材料
（以下、単に「他の電荷輸送材料」という）が含有され
ることが好ましい。ｍ−フェニレンジアミン系化合物と
共に感光層中に含有される他の電荷輸送材料としては、
テトラシアノエチレン;2,4,7−トリニトロ−９−フルオ
レノン等のフルオレノン系化合物;9−カルバゾリルイミ
ノフルオレン等のフルオレン系化合物；ジニトロアント
ラセン等のニトロ化化合物；無水コハク酸；無水マレイ
ン酸；ジブロモ無水マレイン酸；トリフェニルメタン系
化合物;2,5−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−1,3,
4−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物;9
−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のス
チリル系化合物；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等のカ
ルバゾール系化合物;1−フェニル−３−（ｐ−ジメチル
アミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物;
4,4′,4″−トリス（N,N−ジフェニルアミノ）トリフェ
ニルアミン、3,3′−ジメチル−N,N,N′,N′−テトラキ
ス−４−メチルフェニル（1,1′−ビフェニル）−4,4′
−ジアミン等のアミン誘導体;1,1−ビス（４−ジエチル
アミノフェニル）−4,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン
等の共役不飽和化合物;4−（N,N−ジエチルアミノ）ベ
ンズアルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン等のヒド
ラゾン系化合物；インドール系化合物、オキサゾール系
化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合
物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、
ピラゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、トリアゾー
ル系化合物等の含窒素環式化合物；縮合多環族化合物等
が挙げられる。なお、上記他の電荷輪送材料の中でも、
前記ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の光導電性を有す
る高分子材料は、感光層の結着樹脂としても使用するこ
とができる。

上記他の電荷輸送材料とｍ−フェニレンジアミン系化
合物との、感光層中における配合比率は特に限定されな
いが、重量比で95:5〜25:75の範囲内、特に、80:20〜5
0:50の範囲内であることが好ましい。他の電荷輸送材料
とｍ−フェニレンジアミン系化合物との配合比率が95:5
を下回ると、画像形成プロセスを繰り返し行った際の、
帯電量低下や感度低下等の防止効果が不十分になり、逆
に、配合比率が25:75を超えると、感光体の感度が不十
分になる虞がある。

また、前記感光層用の塗布液においては、溶媒または
分散媒としてのTHFに、他の溶媒または分散媒を併用す
ることもできる。

THFと併用することができる。他の溶媒または分散媒
としては、例えばｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキ
サン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、キシレン、トルエ
ン等の芳香族炭化水素；ジクロロメタン、四塩化炭素、
クロロベンゼン、塩化メチレン等のハロゲン化炭化水
素；メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、アリルアルコール、シクロペンタノー
ル、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、ジア
セトンアルコール等のアルコール類；ジメチルエーテ
ル、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸メチ
ル等のエステル類；ジメチルホルムアミド；ジメチルス
ルホキシド等、種々の溶剤が挙げられ、これらは一種ま
たは二種以上を混合して用いられる。また、上記塗布液
を調整する際、分散性、塗工性等を向上させるため、界
面活性剤やレベリング剤等を併用しても良い。

上記塗布液は従来慣用の方法、例えばミキサー、ボー
ルミル、ペイントシェーカー、サンドミル、アトライタ
ー、超音波分散機等を用いて調製することができる。

上記各成分からなる感光層における、結着樹脂100重
量部に対する電荷発生材料の含有量は、２〜20重量部の
範囲内、特に３〜15重量部の範囲内であることが好まし
い。また、結着樹脂100重量部に対する他の電荷輸送材
料の含有量は、40〜200重量部の範囲内、特に50〜100重
量部の範囲内であることが好ましい。電荷発生材料の含
有量が２重量部未満、または、他の電荷輸送材料の含有
量が40重量部未満では、感光体の感度が不十分になった
り、残留電位が大きくなったりする虞がある。一方、電
荷発生材料の含有量が20重量部を超えた場合、または、
他の電荷輸送材料の含有量が200重量部を超えた場合に
は、感光体の耐摩耗性が不足する虞がある。

上記感光層の厚みは特に限定されないが、従来の単層
型の有機感光層と同程度、すなわち、10〜50μｍ、特に
15〜25μｍの範囲内であることが好ましい。

また、上記感光層の上には、前述したように、前記結
着樹脂を主成分とし、その他必要に応じて、導電性付与
材やベンゾキノン系紫外線吸収剤等の添加剤を適宜量含
有させた表面保護層を積層することもできる。表面保護
層の厚みは、0.1〜10μｍ、特に２〜５μｍの範囲内で
あることが好ましい。上記表面保護層は、感光層と同様
に、上記各成分を、前述した溶媒または分散媒中に溶解
或いは分散した塗布液を調製し、この塗布液を表面保護
層上に塗布し、乾燥または固化させることにより形成さ
れる。

なお、上記感光層や表面保護層に酸化防止剤を併用す
ると、酸化の影響を受けやすい構造を持つ電荷輸送材料
等の機能成分の酸化による劣化を防止することができ
る。

上記酸化防止剤としては、2,6−ジ−tert−ブチル−
ｐ−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス［３−
（３−tert−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート］、1,6−ヘキサンジオール−ビ
ス［３−（3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネート］、ペンタエリスリチル−テト
ラキス［３−（3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート］、2,2−チオ−ジエチレ
ンビス［３−（3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート］、2,2−チオビス（４−
メチル−６−tert−ブチルフェノール）、N,N′−ヘキ
サメチレンビス（3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロ
キシ−ヒドロシンナマミド）、1,3,5−トリメチル−2,
4,6−トリス（3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシ
ベンジル）ベンゼン等のフェノール系酸化防止剤が挙げ
られる。

前記感光層が表面に形成される導電性基材は、電子写
真感光体が組み込まれる画像形成装置の機構、構造に対
応して、シート状あるいはドラム状等、適宜の形状に形
成される。

上記導電性基材は、全体を金属等の導電性材料で構成
しても良く、また、基材自体は導電性を有さない構造材
料で形成し、その表面に導電性を付与しても良い。

導電性基性の全体を導電性材料で構成する、前者の場
合に使用される導電性材料としては、表面がアルマイト
処理された、または未処理のアルミニウム、銅、スズ、
白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カド
ミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、
ステンレス鋼、真鍮等の金属材料が好ましく、特に、硫
酸アルマイト法による陽極酸化を行い、酢酸ニッケルで
封孔処理したアルミニウムが好ましく用いられる。

一方、導電性を有さない構造材料からなる基材の表面
に導電性を付与する後者の場合には、合成樹脂製基材や
ガラス基材の表面に、上記例示の金属や、ヨウ化アルミ
ニウム、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性材料から
なる薄膜が、真空蒸着法、湿式めっき法等の公知の膜形
成方法によって形成された構造、上記合成樹脂成形品や
ガラス基材の表面に上記金属材料等のフィルムがラミネ
ートされた構造、または、上記合成樹脂製基材やガラス
基材の表面に、導電性を付与する物質が注入された構造
等を採用することができる。

なお、導電性基材は、必要に応じて、シランカップリ
ング剤やチタンカップリング剤等の表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めても良い。

＜実施例＞ 熱処理条件の検討 結着樹脂としてのポリ−（4,4′−シクロヘキシリデ
ンジフェニル）カーボネート（三菱瓦斯化学社製、商品
名Ｚ−200）100重量部、電荷発生材料としてのN,N′−
ジ（3,5−ジメチルフェニル）ペリレン3,4,9,10−テト
ラカフボキシジイミド５重量部およびＸ型メタルフリー
フタロシアニン（大日本インキ社製）0.2重量部、電荷
輸送材料としての3,3′−ジメチル−N,N,N′,N′−テト
ラキス−４−メチルフェニル（1,1′−ビフェニル）−
4,4′−ジアミン70重量部およびN,N,N′,N′−テトラキ
ス（３−トリル）−1,3−フェニレンジアミン30重量
部、酸化防止剤としての2,6−ジ−tert−ブチル−ｐ−
クレゾール（川口化学社製、商品名アンテージBHT）５
重量部を、所定量のTHFと共に超音波分散器で混合分散
させて単層型感光層用塗布液を調製した。この塗布液を
外径78mm×長さ344mmのアルミニウム素管上に塗布し、
常温で乾燥させた後、暗所において、第１図に示す温度
で30分間熱処理して、厚み約22μｍの単層型感光層を形
成し、ドラム型の電子写真感光体を作製した。そして、
各電子写真感光体の単層型感光層における残存THF量
を、熱分解ガスクロマトグラフによって測定した。結果
を第１図に示す。

上記第１図の結果より、加熱温度を110℃以上にする
と、30分の熱処理で、層中の残存テトラヒドロフラン量
を2.5×10^-3μ/mg以下にできることが判明した。

熱処理条件の検討 上記単層型感光層用塗布液を、外径78mm×長さ344mm
のアルミニウム素管上に塗布し、常温で乾燥させた後、
暗所において、110℃で第２図に示す時間熱処理して、
厚み約22μｍの単層型感光層を形成し、ドラム型の電子
写真感光体を作製した。そして、各電子写真感光体の単
層型感光体における残存THF量を、熱分解ガスクロマト
グラフによって測定した。結果を第２図に示す。

上記第２図の結果より、加熱時間を30分以上にする
と、110℃の熱処理で、層中の残存THF量を2.5×10^-3μ
/mg以下にできることが判明した。

熱処理条件の検討 上記単層型感光層用塗布液を、熱処理後の感光層の厚
みが、第３図に示す膜厚となるよう、外径78mm×長さ34
4mmのアルミニウム素管上に塗布し、常温で乾燥させた
後、暗所において、110℃で30分間熱処理して単層型感
光層を形成し、ドラム型の電子写真感光体を作製した。
そして、各電子写真感光体の単層型感光層における残存
THF量を、熱分解ガスクロマトグラフによって測定し
た。結果を第３図に示す。

上記第３図の結果より、上記単層型感光層の一般的な
膜厚である15〜25μｍの範囲では、110℃、30分の熱処
理を行えば、感光層の膜厚に関係なく、層中の残存THF
量を2.5×10^-3μ/mg以下にできることが判明した。

実施例１〜３、比較例1,2 前記熱処理条件の検討で調製した単層型感光層用塗
布液を、外径78mm×長さ344mmのアルミニウム素管上に
塗布し、常温で乾燥させた後、暗所において、表１に示
す熱処理条件で熱処理して、同表中に示す量のTHFが層
中に残存した、厚み約22μｍの単層型感光層を有するド
ラム型の電子写真感光体を作製した。

上記各実施例並びに比較例で作製した電子写真感光体
について、下記の各試験を行った。

初期表面電位測定 上記各電位写真感光体を、静電複写試験装置（ジェン
テック社製、ジェンテックシンシア30M）に装填し、そ
の表面を正に帯電させて表面電位V₁s.p.（Ｖ）を測定し
た。

半減露光量、残留電位測定 上記帯電状態の各電子写真感光体を、上記静電複写試
験装置の露光光源であるハロゲンランプを用いて露光
し、前記表面電位V₁s.p.（Ｖ）が半分となるまでの時間
を求め、半減露光量E1/2（μJ/cm²）を算出した。

また、上記露光開始時から0.19秒経過後の表面電位
を、残留電位V₁r.p.（Ｖ）として測定した。

可視光照射後の表面電位変化値および残留電位変化値測
定 上記各電子写真感光体上の２個所の地点で、上記各測
定と同様にして、表面電位V_1as.p.、V_1bs.p.、並びに、
残留電位V_1ar.p.、V_1br.p.［以上、単位（Ｖ）］を測定
した後、この電子写真感光体を、暗所で60℃に予熱して
20分間保管し、次いで、60℃に保温しつつ、上記２個所
の地点のうちV_1b側を遮光体でマスキングして、上記電
子写真感光体の表面に、黄色の蛍光灯（商品名ナショナ
ルカラード蛍光灯FL20SYF、20W）を用いて、1500luxの
黄色光を20分間露光した。そして、露光後の電子写真感
光体を、暗所において、室温で30分間放置、冷却した
後、静電複写試験装置（ジェンテック社製、ジェンテッ
クシンシア30M）に装填し、その表面を正に帯電させ
て、上記２個所の表面電位V_2as.p.（露光側）、V_2bs.p.
（遮光側）、並びに、残留電位V_2ar.p.（露光側）、V_2b
r.p.（遮光側）［以上、単位（Ｖ）］を測定した。

以上の各測定値を元に、下記式（ａ）を用いて可視光
線照遮後の表面電位変位値ΔV_1-2s.p.（Ｖ）を算出し、
下記式（ｂ）を用いて可視光線照射後の残留電位変化値
ΔV_1-2r.p.（Ｖ）を算出した。

ΔVs.p.＝ （V_2as.p.−V_1as.p.）−（V_2bs.p.−V_1bs.p.）…（ａ） ΔVr.p.＝ （V_2ar.p.−V_1ar.p.）−（V_2br.p.−V_1br.p.）…（ｂ） 実用試験 可視光線照射後の各電子写真感光体を複写機（三田工
業社製、DC−1655型機）に装填して中間調の原稿を複写
処理し、画像の濃度ムラを目視で観察して、濃度ムラの
発生しなかったものを○印、濃度ムラの発生したものを
×で評価した。

以上の結果を次表に示す。

上記表の結果より、単層型感光層中の残存THF量が2.5
×10^-3μ/mg以下である実施例１〜３の電子写真感光
体は、何れも、残存THF量が上記値を超える比較例1,2に
比べて、可視光線照射による表面電位の変化量が20V以
下、残留電位の変化量が20V以下と小さく、このことか
ら、実施例１〜３の電子写真感光体は、可視光劣化しに
くいものであることが判明した。

＜発明の効果＞ この発明の電子写真感光体は、以上のように構成され
ており、画像形成プロセスを繰り返し行った際の、帯電
量低下や感度低下等の防止作用に優れたペリレン系化合
物およびｍ−フェニレンジアミン系化合物を含有する感
光層中に残存する、上記ｍ−フェニレンジアミン系化合
物の可視光劣化を促進するTHFの量を、あらかじめ2.5×
10^-3μ/mg以下としているので、特に、画像形成装置
の運転時等、感光体が加熱された状態において、ハロゲ
ンランプや太陽光等の可視光線を含む光が照射されて
も、感度低下し難いものとなる。

また、この発明の電子写真感光体の製法によれば、上
記感光層を単に加熱するだけで、層中の残存THF量を低
減できるので、大掛かりな装置等を必要とせず、簡単
に、この発明の電子写真感光体を製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は単層型感光層における熱処理温度と残存THF量
との関係を示すグラフ、第２図は単層型感光層における
熱処理時間と残存THF量との関係を示すグラフ、第３図
は単層型感光層の膜厚と熱処理後の残存THF量との関係
を示すグラフである。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】結着樹脂と、電荷発生材料としてのペリレ
   ン系化合物と、電荷輸送材料としてのｍ−フェニレンジ
   アミン系化合物と、テトラヒドロフランとを含有する塗
   布液を塗布して形成される感光層を備えた電子写真感光
   体において、上記感光層中の残存テトラヒドロフラン量
   が、あらかじめ2.5×10^-3μ/mg以下とされたことを特
   徴とする電子写真感光体。
2. 【請求項２】結着樹脂と、電荷発生材料としてのペリレ
   ン系化合物と、電荷輸送材料としてのｍ−フェニレンジ
   アミン系化合物と、テトラヒドロフランとを含有する塗
   布液を塗布して形成される感光層を110℃以上の温度で3
   0分以上熱処理して、感光層中の残存テトラヒドロフラ
   ン量を2.5×10^-3μ/mg以下にすることを特徴とする電
   子写真感光体の製造方法。