KR970008558A - 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터의 크랙 방지구조 - Google Patents

반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터의 크랙 방지구조 Download PDF

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KR970008558A
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Abstract

1.청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터에 관한 것이다.
2.발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 일반적인 사용범위에서 캐패시턴스값을 일정하게 고정시키고 동일한 면적에서 캐패시턴스를 늘리고, 분리 산화막의 양쪽 끝부분의 전압 바이어스에 의한 질화막의 크랙을 방지하기 위한 모오스 캐패시터를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터에 있어서, 하부가 제1전도형의 불순물로 도핑되어 형성된 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 주표면에 각각 소정간격을 사이에 두고 제2도전형의 불순물로 확산되어 웰 형태로 형성된 제1확산영역들과, 상기 제1확산영역들의 상부표면에서 내부로 확산되어 제2도전형의 불순물로 고농도 이온주입되어 형성된제2확산영역들과, 상기 제1확산영역들사이의 상기 반도체 기판 상부에 이온주입으로 형성된 제1절연막과, 상기 반도체 기판가 제1확산영역들 상부표면과 상기 제2확산영역들 일부표면에 걸쳐 형성되어 전하를 저장하는 제2절연막과, 상기 제2절연막 상부 표면에 형성되어 외부와 접촉되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상부 표면중 상기 제1절연막이 차지하는거리만큼 형성된 제1전극과, 상기 제2확산영역 상부 표면에 형성된 제2전극을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터에 적합하게 사용된다.

Description

반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터의 크랙 방지구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 모오스 캐패시터의 구조도.

Claims (13)

  1. 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터에 있어서, 하부가 제1도전형의 불순물로 도핑되어 형성된 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 주표면에 각각 소정간격을 사이에 두고 제2도전형의 불순물로 확산되어 웰 형태로 형성된 제1확산영역들과, 상기 제1확산영역들의 상부표면에서 내부로 확산되어 제2도전형의 불순물로 고농도 이온주입되어 형성된 제2확산영역들과, 상기 제1확산영역들사이의 상기 반도체 기판 상부에 이온주입으로 형성된 제1절연막과, 상기 반도체 기판과 제1확산영역들 상부 표면과 상기 제2확산영역들 일부표면에 걸쳐 형성되어 전하를 저장하는 제2절연막과, 상기제2절연막 상부 표면에 형성되어 외부와 접촉되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상부 표면중 상기 제1절연막이 차지하는 거리만큼 형성된 제1전극과, 상기 제2확산영역 상부 표면에 형성된 제2전극을 구비함을 특징으로하는 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 피형임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형의 불순물은 억셉터임을 특징으로하는 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터.
  4. 제1항 내지 제3항에 있어서, 상기 억셉터는 5가원소임을 특징으로하는 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형은 엔형임을 특징으로 하는 반도체메모리 장치의 모오스 캐패시터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형의 불순물은 도우너임을 특징으로하는 반도체 메모리 장치의 모오스 캐패시터.
  7. 제1항 내지 제6항에 있어서, 상기 도우너는 3가원소임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 상기 게이트 전극과 도전형이 반대임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막이 분리 산화막으로 두껍게 형성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의모오스 캐패시터.
  10. 제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1절연막이 규소 산화막임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막이 실리콘 질화막임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터.
  12. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극이 폴리사이드임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제1전극과 제2전극은 알루미늄임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950021631A 1995-07-21 1995-07-21 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터의 크랙 방지구조 KR0144242B1 (ko)

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