KR970008557A - 반도체 장치의 스페이서 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 스페이서 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 장치의 스페이서 형성방법에 관하여 기재되어 있다. 반도체 기판 상에 스토리지 전극 형성을 위한 제1도전층을 형성하고, 상기 도전층 상에 정연층을 형성한 다음, 상기 절연층 상에 제2도전층을 형성한다. 이어서, 상기 제2도전층보다 상기 절연층의 식각속도가 빠른 건식식각 조건을 사용하여 상기 제2도전층을 식각함으로써 상기 절연층의 측벽에 스페이서를 형성한다. 따라서, 스페이서 상단의 뾰족한 부위를 제거함으로써 원통형 커패시터의 신뢰성을 확보할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도 내지 제8도는 본 발명의 일 실시예에 따른 원통형 커패시터 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (7)
- 반도체 기판 상에 제1물질층을 형성하는 단계; 상기 제1물질층상에 스페이서 형성을 위한 제2물질층을 형성하는 단계; 및 상기 제1물질층이 상기 제2물질층보다 식각속도가 빠른 건식식각조건을 사용하여 상기 제1물질층의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스페이서 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서 형성시 상기 물질층이 상기 스페이서의 높이보다 낮게 식각되어 상기 스페이서의 상부가 플라즈마에 전면 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스페이서 형성방법.
- 반도체 기판 상에 스토리지 전극 형성을 위한 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 제2도전층을 형성하는 단계; 및 상기 제2도전층보다 상기 절연층의 식각속도가 빠른 건식식각 조건을 사용하여 상기 제2도전층을 식각함으로써 상기 절연층의 측벽에 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스페이서 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 스페이서 형성시 상기 스페이서의 상단부를 플라즈마에 전면 노출시켜 스페이서 상단의 뾰족한 부위의 형성을 억제하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스페이서 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전층은 폴리실리콘으로 형성하고, 상기 절연층은 실리콘 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스페이서 형성방법.
- 제5항에 있어서, 상기 건식식각 조건은 CF4,CHF3, C2F6, C3F8, CH2F2및 Ar 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스페이서 형성방법.
- 제5항에 있어서, 상기 건식식각 조건은 1KW 이하의 RF전력, 1000mT 이하의 압력의 조건을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스페이서 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950021400A KR0165419B1 (ko) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 스페이서를 채용한 원통형 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950021400A KR0165419B1 (ko) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 스페이서를 채용한 원통형 커패시터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970008557A true KR970008557A (ko) | 1997-02-24 |
| KR0165419B1 KR0165419B1 (ko) | 1998-12-15 |
Family
ID=19421056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950021400A KR0165419B1 (ko) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 스페이서를 채용한 원통형 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0165419B1 (ko) |
-
1995
- 1995-07-20 KR KR1019950021400A patent/KR0165419B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0165419B1 (ko) | 1998-12-15 |
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