KR980006535A - 반도체소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 저장전극 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판의 예정된 부분에 접속되는 제1도층을 형성하고, 상기 제1도전층 상부에 희생절연막을 형성한 다음, 저장전극마스크를 식각공정으로 상기 희생절연막과 제1도전층를 식각하고 상기 희생절연막과 제1도전층의 식각면에 제2도전층 스페이서를 형성한 다음, 상기 희생산화막을 제거함으로써 실린더형 저장전극을 형성하는 반도체소자의 저장전극 형성방법에 있어서, 상기 제2도전층 스페이서를 형성하고 식각가스인 CHF3/CO가스를 이용하여 연속적으로 식각함으로써 상기 희생산화막을 부분식각하여 상기 제2도전층 스페이서의 뾰족한 부분을 노출시키고, 상기 뾰족한 부분을 식각하여 저정전극을 형성함으로써 후속 공정으로 상기 저장전극이 손상되는 것을 방지하여 반도체소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2a도 및 제2b도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 저장전극 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체기판의 예정된 부분에 접속되는 제1도전을 형성하고, 상기 제1도전층 상부에 희생절연막을 형성한 다음 저정전극마스크를 식각공정으로 상기 희생절연막과 제1도전층을 식각하고 상기 희생절연막과 제1도전층의 식각면에 제2도전층 스페이서를 형성한 다음, 상기 희생산화막을 제거함으로써 실린더형 저장전극을 형성하는 반도체소자의 저장전극 형성방법에 있어서, 상기 제2도전층 스페이서를 형성한 다음, 식각가스인 CHF3/CO가스를 이용하여 연속적으로 식각하여 상기 희생산 화막을부분식각함으로써 상기 제2도전층 스페이서의 뾰족한 부분을 노출시키고, 상기 뾰족한 부분을 식각하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각가스인 CHF3/CO가스는 CO 가스가 전체유량의 80퍼센트 이상 100 퍼센트 미만인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층과 희생산화막의 식각선택비는 1:3 내지 1:6인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각가스인 CHF3/CO가스는 20 내지 50 SCCM의 유량으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초 출원된 내용 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023206A KR980006535A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023206A KR980006535A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006535A true KR980006535A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023206A KR980006535A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006535A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334865B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-09-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의퓨즈형성방법 |
-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023206A patent/KR980006535A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334865B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-09-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의퓨즈형성방법 |
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