KR970008419A - 레이저 어니일링 방법 및 장치 - Google Patents

레이저 어니일링 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970008419A
KR970008419A KR1019960031742A KR19960031742A KR970008419A KR 970008419 A KR970008419 A KR 970008419A KR 1019960031742 A KR1019960031742 A KR 1019960031742A KR 19960031742 A KR19960031742 A KR 19960031742A KR 970008419 A KR970008419 A KR 970008419A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser beam
linear
linear laser
energy
annealing apparatus
Prior art date
Application number
KR1019960031742A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100348342B1 (ko
Inventor
순베이 야마자끼
나오토 구수모토
고이치로 다나카
Original Assignee
순베이 야마자끼
한도타이 에네루기 겐큐쇼 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 순베이 야마자끼, 한도타이 에네루기 겐큐쇼 가부시키가이샤 filed Critical 순베이 야마자끼
Publication of KR970008419A publication Critical patent/KR970008419A/ko
Priority to KR1020010071371A priority Critical patent/KR100388731B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100348342B1 publication Critical patent/KR100348342B1/ko

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367Substrates
    • H01L21/0237Materials
    • H01L21/02422Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439Materials
    • H01L21/02488Insulating materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • H01L21/02524Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532Silicon, silicon germanium, germanium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656Special treatments
    • H01L21/02664Aftertreatments
    • H01L21/02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02672Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using crystallisation enhancing elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656Special treatments
    • H01L21/02664Aftertreatments
    • H01L21/02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656Special treatments
    • H01L21/02664Aftertreatments
    • H01L21/02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686Pulsed laser beam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656Special treatments
    • H01L21/02664Aftertreatments
    • H01L21/02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02691Scanning of a beam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1285Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1296Multistep manufacturing methods adapted to increase the uniformity of device parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66757Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651Silicon transistors
    • H01L29/7866Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H01L29/78675Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

조사 표면에 인가되는 선형 펄스 레이저 빔은 초점에서 부등식 0.5L1 ≤ L2 ≤ L1 및 0.5L1 ≤ L3 ≤ L1을 만족시키는 폭 방향의 에너지 프로파일을 갖도록 형성되며 여기서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.7의 에너지를 갖는 2지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2주변부를 점유한다. 본 발명의 다른 국면에 따라, 섹션 방식으로 n펄스 레이저 빔을 팽창시키기 위한 복합 아이형플라이 아이 렌즈가 레이저 빔을 선형 빔으로 수렴하기 위한 원통형 렌즈의 하부에 제공된다.

Description

레이저 어니일링 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 사용된 레이저 어니일링 광학 시스템의 예를 나타낸 도면.

Claims (49)

  1. 펄스 레이저 광원으로부터 방사된 선형 레이저 빔이 반도체 코팅인 조사 표면에 조사되는 레이저 어니일링 방법에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 선형레이저 빔은 초점에서, 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 폭 방향의 에너지 프로파일을 갖고, 선형 레이저 빔은 약 ±1400㎛의 초점 심도를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  2. 엑시머 레이저 빔을 생성하는 단계와; 엑시머 레이저 빔을 빔 확장기에 의해 확장 및 형성하는 단계와; 확장 및 형성된 레이저 빔을 플라이 아이 렌즈에 의해 부분적으로 확장시키는 단계와; 부분적으로 확장된 레이저 빔을 제1원통형 렌즈에 의해 선형 레이저 빔으로 수렴하는 단계와; 선형 레이저 빔의 균일성을 제2원통형렌즈에 의해 그의 수직 방향으로 개선시키는 단계와; 선형 레이저 빔의 초점에 관하여 조사 표면의 위치를 조정함으로써 선형 레이저 빔이 조사 표면 상에서 유사-사다리꼴 에너지 프로파일을 갖게 하는 단계; 및 조사표면을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  3. 제2항에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정될 경우, 상기 유사 사다리꼴 에너지 프로파일은 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  4. 엑시머 레이저 빔을 생성하는 단계와; 엑시머 레이저 빔을 빔 확장기에 의해 확장 및 형성하는 단계와; 확장 및 형성된 레이저 빔을 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈에 의해 부분적으로 확장시키는 단계와; 확장된 레이저 빔의 크기를 슬릿을 사용하여 감소시키면서 부분 확장된 레이저 빔을 제1원통형 렌즈에 의해 선형 레이저 빔으로 수렴하는 단계와; 선형 레이저 빔의 균일성을 제2원통형 렌즈에 의해 그의 수직 방향으로 개선시키는 단계와; 선형 레이저 빔의 균일성을 제2원통형 렌즈에 의해 그의 수직 방향으로 개선시키는 단계와; 선형 레이저 빔의 초점에 관하여 조사 표면의 위치를 조정함으로써 선형 레이저 빔이 조사 표면 상에서 유사-사다리꼴 에너지 프로파일을 갖게 하는 단계; 및 조사표면을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  5. 제4항에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 상기 유사 사다리꼴 에너지 프로파일이 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  6. 엑시머 레이저 빔을 생성하는 단계와; 엑시머 레이저 빔을 플라이 아이 렌즈에 의해 부분적으로 확장시키는 단계와; 부분적으로 확장된 레이저 빔을 제1원통형 렌즈에 의해 선형 레이저 빔으로 수렴하는 단계와; 선형 레이저 빔의 균일성을 제2원통형 렌즈에 의해 그의 수직 방향으로 개선시키는 단계와; 선형 레이저 빔의 초점에 관하여 조사 표면의 위치를 조정함으로써 선형 레이저 빔이 조사 표면 상에서 유사-사다리꼴 에너지 프로파일을 갖게 하는 단계; 및 조사 표면을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  7. 제6항에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 상기 유사 사다리꼴 에너지 프로파일은 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  8. 엑시머 레이저 빔을 생성하는 단계와; 엑시머 레이저 빔을 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈에 의해 부분적으로 확장시키는 단계와; 확장된 레이저 빔의 크기를 슬릿을 사용하여 감소시키면서 부분적으로 확장된 레이저 빔을 제1원통형 렌즈에 의해 선형레이저 빔으로 수렴하는 단계와; 선형 레이저 빔의 균일성을 제2원통형 렌즈에 의해 그의 수직 방향으로 개선시키는 단계와; 선형 레이저 빔의 초점에 관하여 조사 표면의 위치를 조정함으로써 선형 레이저 빔이 조사 표면 상에서 유사-사다리꼴 에너지 프로파일을 갖게 하는 단계; 및 조사표면을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  9. 제8항에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 상기 유사 사다리꼴 에너지 프로파일은 부동식 0.5L11≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  10. 펄스 레이저 광원으로부터 방사된 선형 레이저 빔이 반도체 코팅인 조사 표면에 조사되는 레이저 어니일링 방법에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 선형 레이저 빔은 초점에서, 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 폭 방향의 에너지 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 선형 레이저 빔은 엑시머 레이저 빔인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 유리 기판 상에 형성되는 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 박막 트랜지스터가 형성되는 위치에 놓이도록 패턴화된 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 조사 표면은 약 ±400㎛ 미만의 애스퍼라이트를 갖는 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  17. 펄스 레이저 광원으로부터 방사된 선형 레이저 빔이 반도체 코팅인 조사 표면에 여러 차례 조사되고, 그 동안 레이저 빔 및 조사 표면은 선형 레이저 빔의 폭 방향으로 서로 상대적으로 이동하는 레이저 어니일링 방법에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 선형 레이저 빔은 초점에서, 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 폭 방향의 에너지 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 선형 레이저 빔은 엑시머 레이저 빔인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 유리 기판 상에 형성되는 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  21. 제17항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  22. 제17항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 박막 트랜지스터가 형성되는 위치에 놓이도록 패턴화된 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  23. 제17항에 있어서, 상기 조사 표면은 약 ±400㎛ 미만의 애스퍼라이트를 갖는 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
  24. 제17항에 있어서, 상기 선형 레이저 빔은 조사 표면 상의 각 지점에 여러 차례 조사되는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
  25. 펄스 레이저 빔을 생성하기 위한 펄스 레이저 빔 생성 수단과; 생성된 레이저 빔을 확장시키기 위한 빔 확장기와; 확장된 레이저 빔을 부분적으로 확장시키기 위한 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈와; 부분적으로 확장된 레이저 빔을 선형 레이저 빔으로 수렴하기 위한 제1원통형 렌즈와; 선형 레이저 빔의 균일성 그의 수직방향으로 개선시키기 위한 제2원통형 렌즈; 및 조사 목적물을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키기 위한 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 조사 목적물은 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  27. 제25항에 있어서, 상기 조사 목적물은 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  28. 제25항에 있어서, 상기 조사 목적물은 불순물 이온이 이식된 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  29. 제25항에 있어서, 상기 펄스 레이저 빔 생성 수단은 엑시머 레이저 빔 생성 수단인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  30. 제25항에 있어서, 상기 선형 레이저 빔의 주변부를 제거하기 위해, 제1원통형 렌즈의 하류에 위치하는 슬릿을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  31. 제25항에 있어서, 상기 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈는 각각 다각 단면 형상을 갖는 복수개의 볼록렌즈가 플래너 형상으로 규칙적으로 인접 배열되도록 배치된 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 사각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  33. 제31항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 직사각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  34. 제31항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 육각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  35. 펄스 레이저 빔을 생성하기 위한 펄스 레이저 빔 생성 수단과; 펄스 레이저 빔을 부분적으로 확장시키기 위한 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈와; 부분적으로 확장된 레이저 빔을 선형 레이저 빔으로 수렴하기 위한 제1원통형 렌즈와; 선형 레이저 빔의 균일성을 그의 수직 방향으로 개선시키기 위한 제2원통형 렌즈; 및 조사 목적물을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키기 위한 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  36. 제35항에 있어서, 상기 조사 목적물은 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  37. 제35항에 있어서, 상기 조사 목적물은 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  38. 제35항에 있어서, 상기 조사 목적물은 불순물 이온이 이식된 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  39. 제35항에 있어서, 상기 펄스 레이저 빔 생성 수단은 엑시머 레이저 빔 생성 수단인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  40. 제35항에 있어서, 상기 선형 레이저 빔의 주변부를 제거하기 위해, 제1원통형 렌즈의 하류에 위치하는 슬릿을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  41. 제35항에 있어서, 상기 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈는 각각 다각 단면 형상을 갖는 복수개의 볼록렌즈가 플래너 형상으로 규칙적으로 인접 배열되도록 배치된 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  42. 제41항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 사각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  43. 제41항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 직사각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  44. 제41항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 육각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  45. 펄스 레이저 빔을 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈를 사용하여 부분적으로 확장시키는 단계와; 부분적으로 확장된 레이저 빔을 선형 레이저 빔으로 수렴하는 단계; 및 조사 목적물을 선형 레니저 빔을 사용하여 조사 및 스캐닝시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  46. 제45항에 있어서, 상기 펄스 레이저 빔은 엑시머 레이저 빔인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  47. 제45항에 있어서, 조사 목적물은 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  48. 제45항에 있어서, 상기 조사 목적물은 결정질 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
  49. 제45항에 있어서, 상기 조사 목적물은 불순물 이온이 이식된 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960031742A 1995-07-25 1996-07-25 레이저 어닐링 방법 및 장치 KR100348342B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010071371A KR100388731B1 (ko) 1995-07-25 2001-11-16 반도체 장치의 제조 방법

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-209255 1995-07-25
JP20925595 1995-07-25
JP95-219557 1995-08-04
JP21955795 1995-08-04
JP95-243761 1995-08-29
JP24376195 1995-08-29

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010071371A Division KR100388731B1 (ko) 1995-07-25 2001-11-16 반도체 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970008419A true KR970008419A (ko) 1997-02-24
KR100348342B1 KR100348342B1 (ko) 2002-11-23

Family

ID=27328978

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960031742A KR100348342B1 (ko) 1995-07-25 1996-07-25 레이저 어닐링 방법 및 장치
KR1020010071371A KR100388731B1 (ko) 1995-07-25 2001-11-16 반도체 장치의 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010071371A KR100388731B1 (ko) 1995-07-25 2001-11-16 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (3) US6524977B1 (ko)
KR (2) KR100348342B1 (ko)

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6902616B1 (en) * 1995-07-19 2005-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for producing semiconductor device
US6524977B1 (en) * 1995-07-25 2003-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of laser annealing using linear beam having quasi-trapezoidal energy profile for increased depth of focus
US6555449B1 (en) 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
JPH11186189A (ja) * 1997-12-17 1999-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射装置
JP4372260B2 (ja) * 1999-03-17 2009-11-25 シャープ株式会社 液晶パネルの製造方法
JP4744700B2 (ja) * 2001-01-29 2011-08-10 株式会社日立製作所 薄膜半導体装置及び薄膜半導体装置を含む画像表示装置
JPWO2002097892A1 (ja) * 2001-05-29 2004-09-16 新日本製鐵株式会社 Soi基板
TW558861B (en) * 2001-06-15 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
JP3977038B2 (ja) * 2001-08-27 2007-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
TWI279052B (en) * 2001-08-31 2007-04-11 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
US6700096B2 (en) * 2001-10-30 2004-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser apparatus, laser irradiation method, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, production system for semiconductor device using the laser apparatus, and electronic equipment
TWI291729B (en) * 2001-11-22 2007-12-21 Semiconductor Energy Lab A semiconductor fabricating apparatus
US7133737B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Program for controlling laser apparatus and recording medium for recording program for controlling laser apparatus and capable of being read out by computer
US7214573B2 (en) * 2001-12-11 2007-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device that includes patterning sub-islands
US7119365B2 (en) * 2002-03-26 2006-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate
US6977775B2 (en) 2002-05-17 2005-12-20 Sharp Kabushiki Kaisha Method and apparatus for crystallizing semiconductor with laser beams
TWI331803B (en) 2002-08-19 2010-10-11 Univ Columbia A single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns
US7622370B2 (en) 2002-08-19 2009-11-24 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and a structure of such film regions
TWI332682B (en) * 2002-09-19 2010-11-01 Semiconductor Energy Lab Beam homogenizer and laser irradiation apparatus and method of manufacturing semiconductor device
TW200414280A (en) * 2002-09-25 2004-08-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Semiconductor device, annealing method, annealing apparatus and display apparatus
US7211501B2 (en) * 2002-12-12 2007-05-01 Intel Corporation Method and apparatus for laser annealing
US7387922B2 (en) * 2003-01-21 2008-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, method for manufacturing semiconductor device, and laser irradiation system
KR100546711B1 (ko) * 2003-08-18 2006-01-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화 방법
TWI351713B (en) 2003-09-16 2011-11-01 Univ Columbia Method and system for providing a single-scan, con
US7364952B2 (en) * 2003-09-16 2008-04-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for processing thin films
TWI359441B (en) * 2003-09-16 2012-03-01 Univ Columbia Processes and systems for laser crystallization pr
US7164152B2 (en) 2003-09-16 2007-01-16 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Laser-irradiated thin films having variable thickness
WO2005029546A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
WO2005034193A2 (en) 2003-09-19 2005-04-14 The Trustees Of Columbia University In The City Ofnew York Single scan irradiation for crystallization of thin films
KR100537069B1 (ko) * 2003-10-13 2005-12-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 액정셀 공정
WO2005093801A1 (en) * 2004-03-26 2005-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and laser irradiation apparatus
US8525075B2 (en) * 2004-05-06 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
CN100565806C (zh) * 2004-07-30 2009-12-02 株式会社半导体能源研究所 激光辐照装置和激光辐照方法
US20070063226A1 (en) * 2004-10-29 2007-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and laser irradiation method
US7645337B2 (en) * 2004-11-18 2010-01-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films
TWI256138B (en) * 2005-02-01 2006-06-01 Ind Tech Res Inst Method of fabricating a poly-silicon thin film transistor
US8221544B2 (en) 2005-04-06 2012-07-17 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Line scan sequential lateral solidification of thin films
US7279721B2 (en) * 2005-04-13 2007-10-09 Applied Materials, Inc. Dual wavelength thermal flux laser anneal
US20090218577A1 (en) * 2005-08-16 2009-09-03 Im James S High throughput crystallization of thin films
TW200733240A (en) 2005-12-05 2007-09-01 Univ Columbia Systems and methods for processing a film, and thin films
JP4773839B2 (ja) * 2006-02-15 2011-09-14 キヤノン株式会社 対象物の情報を検出する検出装置
US7579654B2 (en) * 2006-05-31 2009-08-25 Corning Incorporated Semiconductor on insulator structure made using radiation annealing
JP2008021890A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー光照射装置およびレーザー光照射方法
TW200843105A (en) * 2007-04-25 2008-11-01 Promos Technologies Inc Vertical transistor and method for preparing the same
WO2009039482A1 (en) 2007-09-21 2009-03-26 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors
TWI418037B (zh) * 2007-09-25 2013-12-01 Univ Columbia 藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法
JP2009135453A (ja) * 2007-10-30 2009-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器
WO2009067688A1 (en) 2007-11-21 2009-05-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
JP5443377B2 (ja) * 2007-11-21 2014-03-19 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク エピタキシャルに配向された厚膜を調製するための調製システムおよび方法
DE102007057868B4 (de) * 2007-11-29 2020-02-20 LIMO GmbH Vorrichtung zur Erzeugung einer linienförmigen Intensitätsverteilung
WO2009111340A2 (en) * 2008-02-29 2009-09-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Flash lamp annealing crystallization for large area thin films
WO2009111326A2 (en) * 2008-02-29 2009-09-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Flash light annealing for thin films
US8802580B2 (en) 2008-11-14 2014-08-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for the crystallization of thin films
US8440581B2 (en) * 2009-11-24 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification
US9646831B2 (en) 2009-11-03 2017-05-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Advanced excimer laser annealing for thin films
US9087696B2 (en) 2009-11-03 2015-07-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing
US8026519B1 (en) 2010-10-22 2011-09-27 Ultratech, Inc. Systems and methods for forming a time-averaged line image
US8399808B2 (en) 2010-10-22 2013-03-19 Ultratech, Inc. Systems and methods for forming a time-averaged line image
US8533936B1 (en) 2011-01-26 2013-09-17 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for pre-heating adjacent bond pads for soldering
US9302348B2 (en) 2011-06-07 2016-04-05 Ultratech Inc. Ultrafast laser annealing with reduced pattern density effects in integrated circuit fabrication
US8309474B1 (en) 2011-06-07 2012-11-13 Ultratech, Inc. Ultrafast laser annealing with reduced pattern density effects in integrated circuit fabrication
US9157282B2 (en) 2011-11-30 2015-10-13 Smith International, Inc. Roller reamer compound wedge retention
US8546805B2 (en) 2012-01-27 2013-10-01 Ultratech, Inc. Two-beam laser annealing with improved temperature performance
US20130285019A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 Postech Academy-Industry Foundation Field effect transistor and method of fabricating the same
US8501638B1 (en) 2012-04-27 2013-08-06 Ultratech, Inc. Laser annealing scanning methods with reduced annealing non-uniformities
US9558973B2 (en) 2012-06-11 2017-01-31 Ultratech, Inc. Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
SG195515A1 (en) 2012-06-11 2013-12-30 Ultratech Inc Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
US9490128B2 (en) 2012-08-27 2016-11-08 Ultratech, Inc. Non-melt thin-wafer laser thermal annealing methods
US9343307B2 (en) 2013-12-24 2016-05-17 Ultratech, Inc. Laser spike annealing using fiber lasers
JP6193305B2 (ja) 2014-07-29 2017-09-06 ウルトラテック インク 高性能線形成光学システム及び方法
US10083843B2 (en) 2014-12-17 2018-09-25 Ultratech, Inc. Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
TWI564099B (zh) 2014-12-24 2017-01-01 財團法人工業技術研究院 複合光束產生裝置及其用於粉體熔融或燒結的方法
KR102480839B1 (ko) * 2016-07-05 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장치 및 이의 구동 방법

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5259033A (en) 1975-11-10 1977-05-16 Odensha Kk Production method of foundation of fluid circuit
US4195913A (en) * 1977-11-09 1980-04-01 Spawr Optical Research, Inc. Optical integration with screw supports
US4309225A (en) * 1979-09-13 1982-01-05 Massachusetts Institute Of Technology Method of crystallizing amorphous material with a moving energy beam
US4475027A (en) * 1981-11-17 1984-10-02 Allied Corporation Optical beam homogenizer
US4439245A (en) * 1982-01-25 1984-03-27 Rca Corporation Electromagnetic radiation annealing of semiconductor material
JPS6189636A (ja) 1984-10-08 1986-05-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光加工方法
JPH065778B2 (ja) 1985-12-17 1994-01-19 株式会社富士電機総合研究所 光半導体装置の製造方法
EP0251280A3 (en) 1986-06-30 1989-11-23 Nec Corporation Method of gettering semiconductor wafers with a laser beam
JPS6427231A (en) 1986-06-30 1989-01-30 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPS6384789A (ja) * 1986-09-26 1988-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光加工方法
JPS6476715A (en) * 1987-09-17 1989-03-22 Nec Corp Manufacture of polycrystalline semiconductor thin film
JPH0232317A (ja) 1988-07-21 1990-02-02 Kanagawa Pref Gov エキシマレーザビーム用光学系
JPH0251224A (ja) 1988-08-15 1990-02-21 Tokyo Electron Ltd 不純物の注入方法
JP2677860B2 (ja) 1989-03-20 1997-11-17 三菱電機株式会社 レーザ光照射装置
JP3033120B2 (ja) 1990-04-02 2000-04-17 セイコーエプソン株式会社 半導体薄膜の製造方法
JP2973492B2 (ja) 1990-08-22 1999-11-08 ソニー株式会社 半導体薄膜の結晶化方法
US5365875A (en) 1991-03-25 1994-11-22 Fuji Xerox Co., Ltd. Semiconductor element manufacturing method
JP3149450B2 (ja) * 1991-04-04 2001-03-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置
JP3213338B2 (ja) 1991-05-15 2001-10-02 株式会社リコー 薄膜半導体装置の製法
KR100269350B1 (ko) * 1991-11-26 2000-10-16 구본준 박막트랜지스터의제조방법
JP3230101B2 (ja) * 1992-03-10 2001-11-19 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JPH06124913A (ja) * 1992-06-26 1994-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー処理方法
JPH06232069A (ja) * 1993-02-04 1994-08-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2706716B2 (ja) 1993-04-16 1998-01-28 株式会社 半導体エネルギー研究所 被膜加工装置および被膜加工方法
JPH0741845A (ja) 1993-07-30 1995-02-10 A G Technol Kk ビームアニール装置とそれを用いたtft製造方法
US5477073A (en) * 1993-08-20 1995-12-19 Casio Computer Co., Ltd. Thin film semiconductor device including a driver and a matrix circuit
JP3562590B2 (ja) * 1993-12-01 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
US5612250A (en) * 1993-12-01 1997-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a catalyst
US5496768A (en) 1993-12-03 1996-03-05 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing polycrystalline silicon thin film
JPH07249591A (ja) 1994-03-14 1995-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜のレーザーアニール方法及び薄膜半導体素子
US6524977B1 (en) * 1995-07-25 2003-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of laser annealing using linear beam having quasi-trapezoidal energy profile for increased depth of focus

Also Published As

Publication number Publication date
KR100348342B1 (ko) 2002-11-23
US7303980B2 (en) 2007-12-04
US20070141768A1 (en) 2007-06-21
KR100388731B1 (ko) 2003-06-25
US20030060026A1 (en) 2003-03-27
US7452788B2 (en) 2008-11-18
US6524977B1 (en) 2003-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970008419A (ko) 레이저 어니일링 방법 및 장치
US6239913B1 (en) Laser optical apparatus
US6792029B2 (en) Method of suppressing energy spikes of a partially-coherent beam
US4475027A (en) Optical beam homogenizer
US10074565B2 (en) Method of laser processing for substrate cleaving or dicing through forming “spike-like” shaped damage structures
CN102665999B (zh) 激光加工方法
EP1076359A3 (en) Laser irradiation device
KR960032596A (ko) 레이저 어닐링 방법
KR20060120230A (ko) 반도체 소자 분리 방법, 디바이스 및 회절 격자
Zimmer et al. Precise etching of fused silica for refractive and diffractive micro-optical applications
US20080237204A1 (en) Laser Beam Machining Method for Printed Circuit Board
US6570124B2 (en) Laser processing method
KR20190040036A (ko) 반도체 물질의 층을 어닐링하기 위한 장치, 반도체 물질의 층을 어닐링하는 방법, 및 플랫 패널 디스플레이
JP2004146823A5 (ko)
JP4191334B2 (ja) 精密可変型長尺ビーム光学系
US9190278B2 (en) Device and method for improving crystallization
US20200266062A1 (en) Laser irradiation device and laser irradiation method
JP6994947B2 (ja) レーザアニール方法およびレーザアニール装置
JP2008060314A (ja) レーザアニール装置、レーザアニール方法、及び半導体装置の製造方法
JPH06292988A (ja) 被膜加工装置および被膜加工方法
RU2778397C1 (ru) Устройство для изготовления бороздки и способ изготовления бороздки
SU1697042A1 (ru) Устройство дл фокусировки гауссова пучка в пр моугольник с равномерным распределением интенсивности
JP2003068668A5 (ko)
JP2001242413A5 (ja) レーザー照射装置
JPS63212084A (ja) レ−ザ加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130701

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140701

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150619

Year of fee payment: 14

EXPY Expiration of term