KR970008419A - 레이저 어니일링 방법 및 장치 - Google Patents
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- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
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Abstract
조사 표면에 인가되는 선형 펄스 레이저 빔은 초점에서 부등식 0.5L1 ≤ L2 ≤ L1 및 0.5L1 ≤ L3 ≤ L1을 만족시키는 폭 방향의 에너지 프로파일을 갖도록 형성되며 여기서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.7의 에너지를 갖는 2지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2주변부를 점유한다. 본 발명의 다른 국면에 따라, 섹션 방식으로 n펄스 레이저 빔을 팽창시키기 위한 복합 아이형플라이 아이 렌즈가 레이저 빔을 선형 빔으로 수렴하기 위한 원통형 렌즈의 하부에 제공된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 사용된 레이저 어니일링 광학 시스템의 예를 나타낸 도면.
Claims (49)
- 펄스 레이저 광원으로부터 방사된 선형 레이저 빔이 반도체 코팅인 조사 표면에 조사되는 레이저 어니일링 방법에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 선형레이저 빔은 초점에서, 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 폭 방향의 에너지 프로파일을 갖고, 선형 레이저 빔은 약 ±1400㎛의 초점 심도를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 엑시머 레이저 빔을 생성하는 단계와; 엑시머 레이저 빔을 빔 확장기에 의해 확장 및 형성하는 단계와; 확장 및 형성된 레이저 빔을 플라이 아이 렌즈에 의해 부분적으로 확장시키는 단계와; 부분적으로 확장된 레이저 빔을 제1원통형 렌즈에 의해 선형 레이저 빔으로 수렴하는 단계와; 선형 레이저 빔의 균일성을 제2원통형렌즈에 의해 그의 수직 방향으로 개선시키는 단계와; 선형 레이저 빔의 초점에 관하여 조사 표면의 위치를 조정함으로써 선형 레이저 빔이 조사 표면 상에서 유사-사다리꼴 에너지 프로파일을 갖게 하는 단계; 및 조사표면을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 제2항에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정될 경우, 상기 유사 사다리꼴 에너지 프로파일은 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 엑시머 레이저 빔을 생성하는 단계와; 엑시머 레이저 빔을 빔 확장기에 의해 확장 및 형성하는 단계와; 확장 및 형성된 레이저 빔을 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈에 의해 부분적으로 확장시키는 단계와; 확장된 레이저 빔의 크기를 슬릿을 사용하여 감소시키면서 부분 확장된 레이저 빔을 제1원통형 렌즈에 의해 선형 레이저 빔으로 수렴하는 단계와; 선형 레이저 빔의 균일성을 제2원통형 렌즈에 의해 그의 수직 방향으로 개선시키는 단계와; 선형 레이저 빔의 균일성을 제2원통형 렌즈에 의해 그의 수직 방향으로 개선시키는 단계와; 선형 레이저 빔의 초점에 관하여 조사 표면의 위치를 조정함으로써 선형 레이저 빔이 조사 표면 상에서 유사-사다리꼴 에너지 프로파일을 갖게 하는 단계; 및 조사표면을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 제4항에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 상기 유사 사다리꼴 에너지 프로파일이 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 엑시머 레이저 빔을 생성하는 단계와; 엑시머 레이저 빔을 플라이 아이 렌즈에 의해 부분적으로 확장시키는 단계와; 부분적으로 확장된 레이저 빔을 제1원통형 렌즈에 의해 선형 레이저 빔으로 수렴하는 단계와; 선형 레이저 빔의 균일성을 제2원통형 렌즈에 의해 그의 수직 방향으로 개선시키는 단계와; 선형 레이저 빔의 초점에 관하여 조사 표면의 위치를 조정함으로써 선형 레이저 빔이 조사 표면 상에서 유사-사다리꼴 에너지 프로파일을 갖게 하는 단계; 및 조사 표면을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 제6항에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 상기 유사 사다리꼴 에너지 프로파일은 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 엑시머 레이저 빔을 생성하는 단계와; 엑시머 레이저 빔을 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈에 의해 부분적으로 확장시키는 단계와; 확장된 레이저 빔의 크기를 슬릿을 사용하여 감소시키면서 부분적으로 확장된 레이저 빔을 제1원통형 렌즈에 의해 선형레이저 빔으로 수렴하는 단계와; 선형 레이저 빔의 균일성을 제2원통형 렌즈에 의해 그의 수직 방향으로 개선시키는 단계와; 선형 레이저 빔의 초점에 관하여 조사 표면의 위치를 조정함으로써 선형 레이저 빔이 조사 표면 상에서 유사-사다리꼴 에너지 프로파일을 갖게 하는 단계; 및 조사표면을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 제8항에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 상기 유사 사다리꼴 에너지 프로파일은 부동식 0.5L11≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 펄스 레이저 광원으로부터 방사된 선형 레이저 빔이 반도체 코팅인 조사 표면에 조사되는 레이저 어니일링 방법에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 선형 레이저 빔은 초점에서, 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 폭 방향의 에너지 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 선형 레이저 빔은 엑시머 레이저 빔인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 유리 기판 상에 형성되는 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 박막 트랜지스터가 형성되는 위치에 놓이도록 패턴화된 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 조사 표면은 약 ±400㎛ 미만의 애스퍼라이트를 갖는 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 펄스 레이저 광원으로부터 방사된 선형 레이저 빔이 반도체 코팅인 조사 표면에 여러 차례 조사되고, 그 동안 레이저 빔 및 조사 표면은 선형 레이저 빔의 폭 방향으로 서로 상대적으로 이동하는 레이저 어니일링 방법에 있어서, 최대 에너지는 1이고, L1은 0.95의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이고, L1+L2+L3은 0.70의 에너지를 갖는 2 지점의 빔 폭이며, L2 및 L3은 빔 폭의 2 주변부를 점유하는 것으로 가정할 경우, 선형 레이저 빔은 초점에서, 부동식 0.5L1≤L2≤L1 및 0.5L1≤L3≤L1을 만족시키는 폭 방향의 에너지 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 선형 레이저 빔은 엑시머 레이저 빔인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 유리 기판 상에 형성되는 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 반도체 코팅은 박막 트랜지스터가 형성되는 위치에 놓이도록 패턴화된 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 조사 표면은 약 ±400㎛ 미만의 애스퍼라이트를 갖는 것을 특징으로하는 레이저 어니일링 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 선형 레이저 빔은 조사 표면 상의 각 지점에 여러 차례 조사되는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 방법.
- 펄스 레이저 빔을 생성하기 위한 펄스 레이저 빔 생성 수단과; 생성된 레이저 빔을 확장시키기 위한 빔 확장기와; 확장된 레이저 빔을 부분적으로 확장시키기 위한 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈와; 부분적으로 확장된 레이저 빔을 선형 레이저 빔으로 수렴하기 위한 제1원통형 렌즈와; 선형 레이저 빔의 균일성 그의 수직방향으로 개선시키기 위한 제2원통형 렌즈; 및 조사 목적물을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키기 위한 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제25항에 있어서, 상기 조사 목적물은 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제25항에 있어서, 상기 조사 목적물은 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제25항에 있어서, 상기 조사 목적물은 불순물 이온이 이식된 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제25항에 있어서, 상기 펄스 레이저 빔 생성 수단은 엑시머 레이저 빔 생성 수단인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제25항에 있어서, 상기 선형 레이저 빔의 주변부를 제거하기 위해, 제1원통형 렌즈의 하류에 위치하는 슬릿을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제25항에 있어서, 상기 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈는 각각 다각 단면 형상을 갖는 복수개의 볼록렌즈가 플래너 형상으로 규칙적으로 인접 배열되도록 배치된 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제31항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 사각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제31항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 직사각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제31항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 육각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 펄스 레이저 빔을 생성하기 위한 펄스 레이저 빔 생성 수단과; 펄스 레이저 빔을 부분적으로 확장시키기 위한 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈와; 부분적으로 확장된 레이저 빔을 선형 레이저 빔으로 수렴하기 위한 제1원통형 렌즈와; 선형 레이저 빔의 균일성을 그의 수직 방향으로 개선시키기 위한 제2원통형 렌즈; 및 조사 목적물을 그의 수직 방향에 대해 거의 수직으로 선형 레이저 빔과 상대적으로 이동시키기 위한 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제35항에 있어서, 상기 조사 목적물은 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제35항에 있어서, 상기 조사 목적물은 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제35항에 있어서, 상기 조사 목적물은 불순물 이온이 이식된 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제35항에 있어서, 상기 펄스 레이저 빔 생성 수단은 엑시머 레이저 빔 생성 수단인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제35항에 있어서, 상기 선형 레이저 빔의 주변부를 제거하기 위해, 제1원통형 렌즈의 하류에 위치하는 슬릿을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제35항에 있어서, 상기 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈는 각각 다각 단면 형상을 갖는 복수개의 볼록렌즈가 플래너 형상으로 규칙적으로 인접 배열되도록 배치된 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제41항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 사각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제41항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 직사각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제41항에 있어서, 상기 볼록 렌즈 각각은 육각 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 펄스 레이저 빔을 복합 눈-유사 플라이 아이 렌즈를 사용하여 부분적으로 확장시키는 단계와; 부분적으로 확장된 레이저 빔을 선형 레이저 빔으로 수렴하는 단계; 및 조사 목적물을 선형 레니저 빔을 사용하여 조사 및 스캐닝시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제45항에 있어서, 상기 펄스 레이저 빔은 엑시머 레이저 빔인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제45항에 있어서, 조사 목적물은 무정형 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제45항에 있어서, 상기 조사 목적물은 결정질 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.
- 제45항에 있어서, 상기 조사 목적물은 불순물 이온이 이식된 결정질 실리콘 필름인 것을 특징으로 하는 레이저 어니일링 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010071371A KR100388731B1 (ko) | 1995-07-25 | 2001-11-16 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP95-209255 | 1995-07-25 | ||
JP20925595 | 1995-07-25 | ||
JP95-219557 | 1995-08-04 | ||
JP21955795 | 1995-08-04 | ||
JP95-243761 | 1995-08-29 | ||
JP24376195 | 1995-08-29 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010071371A Division KR100388731B1 (ko) | 1995-07-25 | 2001-11-16 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970008419A true KR970008419A (ko) | 1997-02-24 |
KR100348342B1 KR100348342B1 (ko) | 2002-11-23 |
Family
ID=27328978
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960031742A KR100348342B1 (ko) | 1995-07-25 | 1996-07-25 | 레이저 어닐링 방법 및 장치 |
KR1020010071371A KR100388731B1 (ko) | 1995-07-25 | 2001-11-16 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010071371A KR100388731B1 (ko) | 1995-07-25 | 2001-11-16 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6524977B1 (ko) |
KR (2) | KR100348342B1 (ko) |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2706716B2 (ja) | 1993-04-16 | 1998-01-28 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 被膜加工装置および被膜加工方法 |
JPH0741845A (ja) | 1993-07-30 | 1995-02-10 | A G Technol Kk | ビームアニール装置とそれを用いたtft製造方法 |
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JP3562590B2 (ja) * | 1993-12-01 | 2004-09-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置作製方法 |
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JPH07249591A (ja) | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜のレーザーアニール方法及び薄膜半導体素子 |
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-
1996
- 1996-07-24 US US08/685,752 patent/US6524977B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-25 KR KR1019960031742A patent/KR100348342B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-16 KR KR1020010071371A patent/KR100388731B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-10-18 US US10/273,755 patent/US7303980B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-09 US US11/672,984 patent/US7452788B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100348342B1 (ko) | 2002-11-23 |
US7303980B2 (en) | 2007-12-04 |
US20070141768A1 (en) | 2007-06-21 |
KR100388731B1 (ko) | 2003-06-25 |
US20030060026A1 (en) | 2003-03-27 |
US7452788B2 (en) | 2008-11-18 |
US6524977B1 (en) | 2003-02-25 |
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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