KR970008195A - 전류감지회로를 가지는 반도체 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
전류감지회로를 가지는 저 전원용 스태틱 램의 회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
칩 면적의 증가를 억제 하면서 전원전압에서 접지전압으로 흐르는 DC 전류를 감지하는 전류감지회로를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
저항단은 전원전압라인과 연결되고 전달트랜지스터의 게이트는 상기 전원전압라인과 나란한 워드라인에 의해 제어되는 메모리 셀을 가지며 상기 메모리 셀의 상기 전원전압라인에서 접지전압라인으로 흐르는 전류로 인한 메모리 셀 데이타의 플립을 감지하는 전류감지회로를 가지는 반도체 멜모리 장치에 있어서, 게이트는 상기 워드라인에 의해 제어되고 소오스는 전원전압단자와 연결된 퓨즈단에 연결되고 드레인은 상기 전달트랜지스터의 게이트와 연결된 제1수단과, 게이트는 상기 워드라인에 의해 제어되고 드레인은 상기 제1수단의드레인과 연결되는 제2수단과, 상기 제2수단의 소오스와 연결되는 제3수단과, 상기 제3수단과 연결되는 제1외부패드와, 상기 제2수단의 소오스와 연결되고 상기 제3수단의 입력단과 공통연결되는 제4수단과, 상기 제4수단의 출력단과 연결되는 제2외부패드를 가지는 것을 요지로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
전류감지회로를 가지는 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 전류 감지회로가 포함되는 스태틱 램의 회로도.
Claims (7)
- 저항단은 전원전압라인과 연결되고 전달트랜지스터의 게이트는 상기 전원전압라인과 나란한 워드라인에 의해 제어되는 메모리 셀을 가지며 상기 메모리 셀의 상기 전원전압라인에서 전지전압라인으로 흐르는 전류로 인한 메모리 셀 데이타의 플립을 감지하는 전류감지회로를 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서; 게이트는 상기 워드라인에 의해 제어되고 소오스는 전원전압단자와 연결된 퓨즈단에 연결되고 드레인은 상기 전달트랜지스터의 게이트와 연결된 제1수단과; 게이트는 상기 워드라인에 의해 제어되고 드레인은 상기 제 1수단의 드레인과 연결되는 제2수단과; 상기 제2수단의 소오스와 연결되는 제3수단과; 상기 제3수단과 연결되는 제1외부패드와; 상기 제2수단의 소오스와 연결되고 상기 제3수단의 입력단과 공통연결되는 제4수단: 상기 제4수단의 출력단과 연결되는 제2외부패드를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1수단은 피형 모오스트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2수단은 엔형 모오스트랜지스터 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제3수단은 폴리실리콘으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제4수단은 모오스 트랜지스터로 연결되어 상기 제2수단의 출력신호를 지연하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에서 있어서, 상기 외부 패드 1 및 패드 2는 상기 반도체 메모리 장치의 다른 회로에는 공급 되지 않는 회로임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전류감지회로는 누설전류가 허용값 이상일 경우에 상기 퓨즈를 소거하여 상기 동작전압으로서의 전원전압이 상기 전원라인에 제공되지 않도록 하기 위한 것임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950022325A KR0177779B1 (ko) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 전류감지회로를 가지는 반도체 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950022325A KR0177779B1 (ko) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 전류감지회로를 가지는 반도체 메모리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970008195A true KR970008195A (ko) | 1997-02-24 |
| KR0177779B1 KR0177779B1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=19421670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950022325A KR0177779B1 (ko) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 전류감지회로를 가지는 반도체 메모리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0177779B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100542161B1 (ko) * | 2001-08-17 | 2006-01-16 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 메모리 장치 |
-
1995
- 1995-07-26 KR KR1019950022325A patent/KR0177779B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100542161B1 (ko) * | 2001-08-17 | 2006-01-16 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 메모리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0177779B1 (ko) | 1999-04-15 |
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