KR970004062A - 고집적 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
고집적 반도체 소자의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자의 제조방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
게이트 전극 영역과 저도핑 드레인 영역간의 중첩으로 발생되는 중첩 캐패시턴스의 증가로 인하여 소스/드레인 영역의 외부 저항을 감소시켜 소자의 특성을 열화 시키는 문제를 해결하고자 함.
3. 발명이 해결방법의 요지
게이트 전극 영역과 저도핑 드레인영역이 중첩될 만큼의 두께를 갖는 측벽 스페이서를 형성한 후 저도핑드레인 영역을 형성하여 게이트 전극과 저도핑 드레인 영역의 중첩되는 정도를 최소화하므로써 중첩 캐패시턴스를 감소 시킬 수 있는 고집적 반도체 소자의 제조 방법.
4. 발명의 중요한 용도
고집적 반도체의 소자의 제조, 특히 모스 트랜지스터의 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도는 본 발명의 고집적 반도체 소자의 제조방법의 한 실시예에 따른 제조방법을 도시하는 도면.
Claims (5)
- 반도체 기판 상에 소자 분리막, 게이트 산화막, 게이트 전극이 형성된 고집적 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 전체 구조 상부에 소정의 두께로 제1스페이서 산화막을 형성하고, 블랭킷 식각을 실시하여 상기 게이트 전극의 측벽에 제1측벽 스페이서를 형성하는 단계와, 이온 주입을 실시하여 저도핑 드레인 영역을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 소정의 두께로 제2스페이서 산화막을 형성하고, 블랭킷 식각을 실시하여 제2측벽 스페이서를 형성하는 단계와, 이온 주입을 실시하여 소스/드레인 영역을 형성하는 단계와, 어닐링 공정을 실시하는 단계를 포함해서 이루어진 고집적 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1스페이서 산화막의 증착되는 두께는 1,000내지 1,500이고, 제2스페이서 산화막의 중착되는 두게는 약 2,000인 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저도핑 드레인 이온 주입 단계는 약 1.0E13 도우즈량으로 약 40Kev의 이온 주입에너지를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소스/드레인 이온 주입 단계는 약5.0E15 도우즈량으로 약 60Kev의 이온 주입에너지를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항, 제3항 또는 제4항에 있어서, N-채널 반도체 소자의 경우에 상기 저도핑 드레인이온은 인이온이고, 소스/드레인 이온은 비소 이온인 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019366A KR970004062A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 고집적 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019366A KR970004062A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 고집적 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970004062A true KR970004062A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66526909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019366A KR970004062A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 고집적 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970004062A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210119852A (ko) | 2020-03-25 | 2021-10-06 | 노인숙 | 휘젓기 기능을 갖는 정수기 |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019366A patent/KR970004062A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210119852A (ko) | 2020-03-25 | 2021-10-06 | 노인숙 | 휘젓기 기능을 갖는 정수기 |
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