KR960043129A - 반도체집적회로장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
SOG막을 사용함으로써 층간절연막을 평탄화하기 위한 공정에서, 이 SOG막이 웨이퍼 레벨에서 글로발 평탄화를 실현하기 위해 배선을 가지는 반도체기판에 도포된 후 베이크되어 치밀화된다. 이전 공정에서 배선상과 배선간 스페이스 영역에서 SOG막 표면의 고저차를 저감하기 위해 SOG막중의 용매를 휘발율이 느리게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 한 실시예인 SOG 도포장치를 도시하는 주요부 단면도이고, 제5도는 본 발명의 다른 실시예인 SOG 도포장치를 도시하는 주요부 단면도이다.
Claims (14)
- (a) 반도체집적회로 형성용 웨이퍼 제1주면상의 제1절연막의 실질적인 전면에 제1도전박막을 피착하여 포토리소그래피에 의해 패턴닝함으로써, 상기 제1절연막의 일부에 상호 근접한 복수의 제1배선으로 되며, 상호의 간격에 비교하여 영역 전체로서의 폭이 충분히 넓은 제1폭이 넓은 배선고지영역과 그것에 경계를 접하는 상기 제1배선이 없고, 상기 제1배선의 간격과 비교하여 충분히 폭이 넓은 제1폭이 넓은 저지영역을 형성하는 단차영역 형성공정과, (b) 적어도 상기 제1폭이 넓은 배선고지영역 및 상기 제1폭이 넓은 저지영역상의 실질적인 전면에 제2절연막을 피착하는 제2절연막 형성공정과, (c) 상기 제2절연막상의 상기 제1폭이 넓은 배선고지영역 및 상기 제1폭이 넓은 저지영역의 실질적인 전면에 상면이 거의 평탄하게 되도록 SOG막을 도포하는 SOG막 도포공정과, (d) 상기 제1폭이 넓은 배선고지영역에서 상기 제1폭이 넓은 저지영역으로 상기 SOG막의 재유동이 가능하도록 상기 SOG막을 건조시키는 SOG 건조공정과, (e) 건조한 상기 SOG막을 베이크하는 SOG막 베이크공정 및, (f) 상기 제1폭이 넓은 배선고지영역의 상기 복수의 제1배선의 상면에 대응하는 부분의 상기 제2절연막이 노출하도록 상기 SOG막을 에치백공정을 구비하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, (g) 에치백된 상기 제1폭이 넓은 배선고지영역 및 상기 제1폭이 넓은 저지영역상의 실질 적인 전면에 제3절연막을 피착하는 제3절연막 형성공정과, (h) 상기 제3절연막을 관통하며, 또 잔류한 상기 SOG막이 노출하지 않도록 상기 복수의 제1배선의 적어도 하나에 도달하는 콘택트홀을 형성하는 콘택트홀 형성 공정 및, (i) 저거도 상기 제3절연막상에 상기 콘택트홀을 통하여 상기 제1배선과 직접 또는 간접으로 전기적으로 접속된 제2배선을 형성하는 제2배선형성공정을 더 구비하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 복수의 제1배선은, 메탈배선인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 복수의 제1배선은, 상기 배선의 간격과 비교하여 각각이 충분히 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 복수의 제1배선은, 메탈배선인 것을 특징으로하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 복수의 제1배선은, 상기 배선의 간격과 비교하여 각각이 충분히 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 복수의 제1배선은, 상기 배선의 간격과 비교하여 각각이 충분히 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- (a) 반도체집적회로 형성용 웨이퍼 제1주면상의 제1절연막의 실질적인 전면에 제1도전박막을 피착하여 포트리소그래피에 의해 패턴닝함으로써, 상기 제1절연막의 일부에 상호 근접한 복수의 제1배선으로 되며, 상호의 간격에 비교하여 영역 전체로서의 폭이 충분히 넓은 제1폭이 넓은 배선고지영역과 그것에 경계를 접하는 상기 제1배선이 없고, 상기 제1배선의 간격과 비교하여 충분히 폭이 넓은 제1폭이 넓은 저지영역을 형성하는 단차영역 형성공정과, (b) 적어도 상기 제1폭이 넓은 배선고지영역 및 상기 제1폭이 넓은 저지영역상의 실질적인 전면에 제2절연막을 피착하는 제2절연막 형성공정과, (c) 상기 제2절연막상의 상기 제1폭이 넓은 배선고지 영역 및 상기 제1폭이 넓은 저지영역의 실질적인 전면에 상면이 거의 평탄하게 되도록 SOG막을 도포하는 SOG막 도포공정과, (d) 상기 제1폭이 넓은 배선고지영역에서 상기 제1폭이 넓은 저지영역으로 상기 SOG막의 재유동이 가능하도록 상기 SOG막을 건조시키는 SOG 건조공정과, (e) 건조한 상기 SOG막을 베이크하는 SOG막 베이크공정 및, (f) 상기 제1폭이 넓은 배선고지영역의 상기 복수의 제1배선의 상면에 대응하는 부분의 상기 제2절연막이 노출하도록 상기 SOG막을 에치백하고, 또 상기 제1폭이 넓은 배선고지영역의 상면의 상기 제2절 연막의 일부를 상기 SOG막 보다도 빠른 에칭속도로 제거하는 에치백 공정을 구비하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서, (g) 에치백한 상기제1폭이 넓은 배선고지영역 및 상기 제1폭이 넓은 저지영역상의 실질적인 전면에 제3절연막을 피착하는 제3절연막 형성공정과, (h) 상기 제3절연막을 관통하며, 또 잔류한 상기 SOG막이 노출하지 않도록 상기 복수의 제1배선의 적어도 하나에 도달하는 콘택트홀을 형성하는 콘택트홀 형성 공정 및, (i) 적도 상기 제3절연막상에 상기 콘택트홀을 통하여 상기 제1배선과 직접 또는 간접으로 전기적으로 접속한 제2배선을 형성하는 제2배선 형성공정을 더 구비하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 복수의 제1배선은, 메탈배선인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 복수의 제1배선은, 상기 배선의 간격과 비교하여 각각이 충분히 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제8항에 있서, 상기 복수의 제1배선은, 메탈배선인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 복수의 제1배선은, 상기 배선의 간격과 비교하여 각각이 충분히 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 복수의 제1배선은, 상기 배선의 간격과 비교하여 각각이 충분히 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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