KR960039234A - 범프형성방법 - Google Patents

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KR960039234A
KR960039234A KR1019950009247A KR19950009247A KR960039234A KR 960039234 A KR960039234 A KR 960039234A KR 1019950009247 A KR1019950009247 A KR 1019950009247A KR 19950009247 A KR19950009247 A KR 19950009247A KR 960039234 A KR960039234 A KR 960039234A
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conductive metal
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KR1019950009247A
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벡영상
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구자홍
엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 칩 실장에서의 범프구조에 관한 것으로, 특히 돌기를 갖는 범프를 형성함으로써 범프와 서브 스트레이트의 콘택정도를 높여 도전성을 해결하는데 적당한 반도체 칩 실장에서의 범프형성 방법에 관한 것이다.
본 발명은 패드부위가 노출된 기판상에 베이스메탈을 증착하는 공정, 상기전면에 제1차 감광막을 도포하여 패드부위의 베이스메탈상에 돌기모양의 패턴을 형성하는 공정, 상기 패드상측의 베이스메탈상에 돌기모양의 제1도전성 메탈을 형성하는 공정, 상기 전면에 제2차 감광막을 도포하여 패드상측의 베이스메탈 및 돌기모양의 제1도전성 메탈을 노출시키는 공정, 상기 노출된 베이스메탈 및 제1도정성 메탈에 돌기모양의 제2도전성 메탈을 형성하는 공정, 상기 남아 있는 제2차 감광막을 제거하여 범프를 형성하는 공정, 상기 범프를 마스크로 사용하여 언더 범프 메탈(UBM)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다.

Description

범프형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 칩 실장에서의 범프형성 공정도.

Claims (2)

  1. 패드부위가 노출된 기판상에 베이스메탈을 증착하는 공정, 상기 전면에 제1차 감광막을 도포하여 패드부위의 베이스메탈상에 돌기모양의 패턴을 형성하는 공정, 상기 패드상측의 베이스메탈상에 돌기모양의 제1도전성 메탈을 형성하는 공정, 상기 전면에 제2차 감광막을 도포하여 패드상측의 베이스메탈 및 돌기모양의 제1도전성 메탈을 노출시키는 공정, 상기 노출된 베이스메탈 및 제1도전성 메탈에 돌기모양의 제2도전성 메탈을 형성하는 공정, 상기 남아 있는 제2차 감광막을 제거하여 범프를 형성하는 공정, 상기 범프를 마스크로 사용하여 언더 범프 메탈(VBM)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 범프형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 돌기모양의 제2도전성 메탈형은 전기도금, CVD, 스퍼터링, 이베퍼레이션 등의 방법중 하나로 형성함을 특징으로 하는 범프형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100585104B1 (ko) * 2003-10-24 2006-05-30 삼성전자주식회사 초박형 플립칩 패키지의 제조방법
US7300864B2 (en) 2003-10-22 2007-11-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming solder bump structure

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7300864B2 (en) 2003-10-22 2007-11-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming solder bump structure
KR100585104B1 (ko) * 2003-10-24 2006-05-30 삼성전자주식회사 초박형 플립칩 패키지의 제조방법
US7214604B2 (en) 2003-10-24 2007-05-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating ultra thin flip-chip package

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