KR960038994A - 승압전압이 사용되는 컬럼선택수단을 구비하는 반도체 메모리 - Google Patents

승압전압이 사용되는 컬럼선택수단을 구비하는 반도체 메모리 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야 :
본 발명은 반도체 컬럼선택수단을 구비하는 반도체 메모리에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 :
종래에는 상기 컬럼선택수단의 제어전압으로 내부전원전압과 같은 레벨을 사용하므로써 비트라인쌍에서 디벨로프된 데이타비트가 지닌 전압이 완전하게 입출력라인쌍으로 전달되지 못하여 전압마진의 손실이 있었고 전송데이타의 전송속도가 느린 단점이 있었다.
3. 발명의 해결방법의 요지 :
본 발명에서는 상기 컬럼선택수단의 제어전압으로 상기 내부전원전압을 승압하여 사용하므로서 전송데이타의 마진을 높이고 전송데이타의 전송속도를 빠르게 할 수 있다.
4. 발명의 중요한 용도 :
본 발명에 의해 고속동작에 유리하고 전압마진의 손실이 없는 반도체 메모리가 구현된다.

Description

승압전압이 사용되는 컬럼선택수단을 구비하는 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 승압된 전압을 제어전압으로 사용하는 본 발명의 실시예에 따른 컬럼선택수단을 구비하는 반도체 메모리를 보여주는 회로도.

Claims (3)

  1. 데이타가 유통되는 데이타라인쌍과, 다수의 메모리셀이 접속된 비트라인쌍과, 상기 메모리정보의 엑세스시 입출력데이타를 감지증폭하는 센스앰프회로를 구비하는 반도체 메모리에 있어서, 상기 비트라인쌍과 데이타라인쌍사이에 형성되며 상기 비트라인쌍과 상기 데이타라인쌍을 연결하는 입출력라인쌍과, 내부전원전압레벨의 제1컬럼선택신호 CLS1을 입력하여 승압된 제1전압레벨의 제2컬럼선택신호 CLS2를 출력하는 승압수단과, 상기 비트라인쌍과 상기 입출력라이쌍 사이에 채널이 접속되고 상기 승압된 제1전압이 제어전압으로 사용되어 상기 비트라인쌍과 상기 입출력라인쌍을 선택적으로 연결하는 컬럼선택수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전압이 내부전원전압을 승압한 전압임을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1전압이 외부전원전압임을 특징으로 하는 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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