KR970023431A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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KR970023431A
KR970023431A KR1019950039028A KR19950039028A KR970023431A KR 970023431 A KR970023431 A KR 970023431A KR 1019950039028 A KR1019950039028 A KR 1019950039028A KR 19950039028 A KR19950039028 A KR 19950039028A KR 970023431 A KR970023431 A KR 970023431A
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김광호
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Abstract

비트 라인 선충전 전압을 별도의 라인을 통해 공급하지 않고 센스 앰프의 구동 전압을 공급하는 라인을 통해 공급함으로써 메모리 장치의 레이아웃을 줄일 수 있는 구조를 갖는 반도체 메모리 장치가 개시된다.
본 발명의 반도체 메모리 장치는 메모리 셀 어레이에 연결된 비트 라인에서 감지된 전압 레벨을 감지하는 센스 앰프와 비트 라인을 선충전시키는 선충전부를 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 센스 앰프의 구동 전압과 상기 비트 라인 선충전부의 선충전 전압을 공통의 라인을 통하여 공급하는 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 센스 앰프의 구동 전압과 비트 라인의 선충전 전압을 공통의 라인을 통하여 공급하게 함으로써 장치의 레이아웃 크기를 줄일 수 있게 하는 효과를 갖는다.

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 메모리 독출 회로의 구성을 보이는 회로도이다.

Claims (2)

  1. 메모리 셀 어레이에 연결된 비트 라인에서 감지된 전압 레벨을 감지하는 센스 앰프와 비트 라인을 선충전시키는 선충전부를 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 센스 앰프의 구동 전압과 상기 비트 라인 선충전부의 선충전전압을 공통의 라인을 통하여 공급하는 구조를 갖는 것을 특징으로 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 라인을 통하여 공급되는 선충전 전압의 레벨은 1/2Vcc(여기서, Vcc)는 전원 전압)인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950039028A 1995-10-31 1995-10-31 반도체 메모리 장치 KR0155916B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100370952B1 (ko) * 1995-12-31 2003-03-28 주식회사 하이닉스반도체 메모리 셀의 센스앰프 회로

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