KR960032635A - 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법 - Google Patents

평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960032635A
KR960032635A KR1019950002765A KR19950002765A KR960032635A KR 960032635 A KR960032635 A KR 960032635A KR 1019950002765 A KR1019950002765 A KR 1019950002765A KR 19950002765 A KR19950002765 A KR 19950002765A KR 960032635 A KR960032635 A KR 960032635A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thermal expansion
semiconductor substrate
expansion means
pad
conductive pattern
Prior art date
Application number
KR1019950002765A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100258802B1 (ko
Inventor
노재우
Original Assignee
배순훈
대우전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 배순훈, 대우전자 주식회사 filed Critical 배순훈
Priority to KR1019950002765A priority Critical patent/KR100258802B1/ko
Priority to US08/563,170 priority patent/US5664986A/en
Priority to IN1546CA1995 priority patent/IN185476B/en
Priority to JP33578495A priority patent/JP2969071B2/ja
Priority to CN95120467A priority patent/CN1073911C/zh
Publication of KR960032635A publication Critical patent/KR960032635A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100258802B1 publication Critical patent/KR100258802B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/015Temperature control
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/20Drives or gearings; Equipment therefor relating to feed movement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법에 관한 것으로서, 받침대의 상부에 열팽창계수가 낮은 물질로 이루어진 열팽창수단과, 상기 열팽창수단에 열을 가하는 히터와, 상기 열팽창수단과 공간에 의해 소정 간격 이격되어 열이 측방으로 방출되는 것을 방지하는 차단수단과, 상기 열팽창수단에 설치된 테이블과, 상기 테이블 내부로 냉각수를 순환시켜 열팽창수단으로부터 전달되는 열을 냉각시키는 냉각수단과, 상기 테이블의 상부에 설치되는 다공성물질로 이루어져 반도체기판의 표면의 접촉되는 부분을 선택적으로 연마하는 패드와, 상기 패드의 표면에 연마 물질을 공급하는 공급수단과, 상기 반도체기판의 상부가 상기 패드와 접촉되도록 고정시킨 상태로 회전시키는 홀더와, 상기 홀더를 구동하는 모터를 포함하고, 반도체기판의 상부에 소정의 도선 패턴을 형성하는 단계와, 상기 도선 패턴이 형성된 반도체기판의 상부에 상기 도선 패턴 보다 두꺼운 절연층을 형성하는 단계와, 상기 반도체기판을 상부가 평탄화 장치의 패드와 접촉된 상태로 고정시키고 열팽창수단을 팽창시키면서 상기 도선 패턴 상에 형성된 상기 절연층의 볼록한 부분만을 선택적으로 연마하여 표면을 평탄하게 하는 단계를 구비한다. 따라서, 반도체기판의 도선 패턴 상에 형성된 절연층의 블록한 부분만을 단차가 없어지도록 선택적으로 미세하게 연마하므로 표면의 평탄도를 향상시킬 수 있다.

Description

평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 평탄화 장치의 개략도,
제3(A) 내지 (C)는 제2도의 평탄화 장치를 이용한 평탄화 방법의 순서도.

Claims (5)

  1. 받침대의 상부에 열팽창계수가 낮은 물질로 이루어진 열팽창수단과, 상기 열팽창수단에 열을 가하는 히터와, 상기 열팽창수단과 공간에 의해 소정 간격 이격되어 열이 측방으로 방출되는 것을 방지하는 차단수단과, 상기 열팽창수단에 설치된 테이블과, 상기 테이블 내부로 냉각수를 순환시켜 열팽창수단으로부터 전달되는 열을 냉각시키는 냉각수단과, 상기 테이블의 상부에 설치되는 다공성물질로 이루어져 반도체기판의 표면의 접촉되는 부분을 선택적으로 연마하는 패드와, 상기 패드의 표면에 연마 물질을 공급하는 연마물질 공급수단과, 상기 반도체기판의 상부가 상기 패드와 접촉되도록 고정시킨 상태로 회전시키는 홀더와, 상기 홀더를 구동하는 모터를 포함하는 평탄화 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열팽창수단을 알루미나, Zr, Si, CB4C 또는 융합된 실리카 글래스 중 어느 하나로 이루어진 평탄화 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열차단수단이 석영으로 이루어진 평탄화 장치.
  4. 반도체기판의 상부에 소정의 도선 패턴을 형성하는 단계와, 상기 도선 패턴이 형성된 반도체기판의 상부에 상기 도선 패턴 보다 두꺼운 절연층을 형성하는 단계와, 상기 반도체기판을 상부가 평탄화 장치의 패드와 접촉된 상태로 고정시키고 열팽창수단을 팽창시키면서 상기 도선 패턴 상에 형성된 상기 절연층의 볼록한 부분만을 선택적으로 연마하여 표면을 평탄하게 하는 단계를 구비하는 평탄화 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 열팽창단계에서 가해지는 열에 의해 상기 열팽창수단이 팽창되는 것을 제어하여 표면이 연마되는 정도를 정확히 제어하는 평탄화 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950002765A 1995-02-15 1995-02-15 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법 KR100258802B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950002765A KR100258802B1 (ko) 1995-02-15 1995-02-15 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법
US08/563,170 US5664986A (en) 1995-02-15 1995-11-27 Apparatus for polishing a dielectric layer formed on a substrate
IN1546CA1995 IN185476B (ko) 1995-02-15 1995-11-30
JP33578495A JP2969071B2 (ja) 1995-02-15 1995-11-30 研摩装置
CN95120467A CN1073911C (zh) 1995-02-15 1995-12-08 抛光衬底上形成的介质层的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950002765A KR100258802B1 (ko) 1995-02-15 1995-02-15 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960032635A true KR960032635A (ko) 1996-09-17
KR100258802B1 KR100258802B1 (ko) 2000-06-15

Family

ID=19408152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950002765A KR100258802B1 (ko) 1995-02-15 1995-02-15 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5664986A (ko)
JP (1) JP2969071B2 (ko)
KR (1) KR100258802B1 (ko)
CN (1) CN1073911C (ko)
IN (1) IN185476B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6083839A (en) * 1997-12-31 2000-07-04 Intel Corporation Unique chemical mechanical planarization approach which utilizes magnetic slurry for polish and magnetic fields for process control
KR100413493B1 (ko) * 2001-10-17 2004-01-03 주식회사 하이닉스반도체 화학적 기계적 연마 장치의 연마 플래튼 및 그를 이용한평탄화방법
KR100835517B1 (ko) 2003-12-26 2008-06-04 동부일렉트로닉스 주식회사 씨엠피 장비의 플래튼 장치
US7198548B1 (en) * 2005-09-30 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Polishing apparatus and method with direct load platen
CN103029031A (zh) * 2011-09-30 2013-04-10 上海双明光学科技有限公司 一种晶圆基片加工方法
CN103639886A (zh) * 2013-11-29 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 用于w-cmp的化学机械研磨装置及研磨方法
US9873180B2 (en) * 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
JP6545261B2 (ja) 2014-10-17 2019-07-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 付加製造プロセスを使用する、複合材料特性を有するcmpパッド構造
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
JP2016090439A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 株式会社日本自動車部品総合研究所 粒子状物質検出素子及び粒子状物質検出センサ
CN108290267B (zh) 2015-10-30 2021-04-20 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
CN112654655A (zh) 2018-09-04 2021-04-13 应用材料公司 先进抛光垫配方
CN112605847B (zh) * 2020-11-23 2022-04-19 福建晶安光电有限公司 一种改进的晶片衬底抛光方法与装置
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3948089A (en) * 1973-10-12 1976-04-06 Westinghouse Electric Corporation Strain gauge apparatus
NO135390C (no) * 1975-09-02 1977-03-30 Rdal Og Sunndal Verk A S Elektrisk kokeplate med termostat.
KR860008003A (ko) * 1985-04-08 1986-11-10 제이·로렌스 킨 양면 포리싱 작업용 캐리어 조립체
AU637087B2 (en) * 1989-03-24 1993-05-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus for grinding semiconductor wafer
US5127196A (en) * 1990-03-01 1992-07-07 Intel Corporation Apparatus for planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate
US5103596A (en) * 1990-11-05 1992-04-14 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Method and apparatus for controlling cylinder grinding machines
DE69333322T2 (de) * 1992-09-24 2004-09-30 Ebara Corp. Poliergerät

Also Published As

Publication number Publication date
US5664986A (en) 1997-09-09
IN185476B (ko) 2001-02-03
JP2969071B2 (ja) 1999-11-02
JPH08229806A (ja) 1996-09-10
CN1132676A (zh) 1996-10-09
CN1073911C (zh) 2001-10-31
KR100258802B1 (ko) 2000-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960032635A (ko) 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법
KR0180018B1 (ko) 반도체 기판에 형성된 절연체를 평탄화시키는 방법 및 장치
JPH11288906A (ja) 半導体ウエ―ハを研磨する方法、装置及びバッキングフィルム及び集積回路を製造する方法
US5871392A (en) Under-pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5957750A (en) Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates
ATE235347T1 (de) Verfahren zur chemisch-mechanischen planarisierung von stopschicht halbleiterscheiben
JP3099209B2 (ja) 半導体プロセスのための改良された複合研摩パッド
JP2985490B2 (ja) 研磨機の除熱方法
JP2842865B1 (ja) 研磨装置
DE69932945D1 (de) Polierkissen und poliervorrichtung
JP2000301454A (ja) 化学的機械研磨プロセス及びその構成要素
US6464576B1 (en) Stacked polishing pad having sealed edge
US6942549B2 (en) Two-sided chemical mechanical polishing pad for semiconductor processing
KR100691353B1 (ko) 씨엠피 공정용 캐리어 헤드
JPH09267257A (ja) ウェハ研磨装置
ATE313412T1 (de) System zur endpunktbestimmung beim chemisch- mechanischen polieren
JP3627182B2 (ja) Cmp装置、研磨パッド及び研磨方法
US6033987A (en) Method for mapping and adjusting pressure distribution of CMP processes
JP2002033299A (ja) パッド領域の選択的に加熱によるcmp除去速度の均一性制御方法及び装置
JPH05277908A (ja) マイクロスクラッチのない平滑面を形成するための半導体ウェハの化学機械的平坦化方法
JPH02199832A (ja) ウエーハ研磨装置
JP2003179013A (ja) 化学的機械的研磨装置の研磨プラテン及びこれを用いた平坦化方法
JP2001062706A (ja) 研磨装置
JPH0997829A (ja) ウェーハキャリヤ及びこれを具備した半導体素子の製造装置
JP3680343B2 (ja) 化学的機械研磨装置及び半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee