JPH08229806A - 研摩装置 - Google Patents
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- JPH08229806A JPH08229806A JP33578495A JP33578495A JPH08229806A JP H08229806 A JPH08229806 A JP H08229806A JP 33578495 A JP33578495 A JP 33578495A JP 33578495 A JP33578495 A JP 33578495A JP H08229806 A JPH08229806 A JP H08229806A
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研摩される誘電体層の厚さを正確に調節し
得る研摩装置を提供すること。 【解決手段】 本発明の研磨装置は、上面及び下面を
有するテーブル２２０と、軸２２７と、パッド２３０及
び半導体基板３００が横方向へずれないように保持する
ための保持リング２２９を備え半導体基板３００を保持
するキャリア２２４と、テーブル２２０の上面に研摩物
質を供給するためのパイプ２３６及びノズル２３８と、
キャリア２２４を回転させるモータ２７０と、テーブル
２２０の軸方向位置を制御するアクチュエータアセンブ
リ２８０と、熱絶縁性物質からなりアクチュエータアセ
ンブリ２８０を取り囲む空胴２５４とを含むことを特徴
とする。
得る研摩装置を提供すること。 【解決手段】 本発明の研磨装置は、上面及び下面を
有するテーブル２２０と、軸２２７と、パッド２３０及
び半導体基板３００が横方向へずれないように保持する
ための保持リング２２９を備え半導体基板３００を保持
するキャリア２２４と、テーブル２２０の上面に研摩物
質を供給するためのパイプ２３６及びノズル２３８と、
キャリア２２４を回転させるモータ２７０と、テーブル
２２０の軸方向位置を制御するアクチュエータアセンブ
リ２８０と、熱絶縁性物質からなりアクチュエータアセ
ンブリ２８０を取り囲む空胴２５４とを含むことを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体を製造する装
置に関し、特に、基板上に形成された誘電体層を研摩す
るための装置に関する。
置に関し、特に、基板上に形成された誘電体層を研摩す
るための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１には、Ｍｏｒｉｍｏｔｏらに付与さ
れた“ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲＰＬＡＮＡＲＩＺＩ
ＮＧ Ａ ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ ＦＯＲＭＥＤ ＯＶ
ＥＲＡ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＳＵＢＳＴＲＡ
ＴＥ”という名称の米国特許第５，１２７，１９６号明
細書に記述されているように、基板上に形成された誘電
体層を平坦化するための研摩装置の概略図が示されてい
る。この研摩装置１００は、テーブル２０、キャリア２
４、熱交換器２６、第１及び第２パイプ３２、３６、冷
却ユニット３５及びノズル３８を含む。この研摩装置１
００では、平坦化（研摩）工程の際、半導体基板２３は
テーブル２０に対向するように（誘電体層が形成された
面を下にして）置かれる。テーブル２０の上面には、多
孔性物質からなるパッド２１が設けられている。このパ
ッド２１が、半導体基板２３に形成された誘電体層の上
面と接触する。多孔性物質からできているため、パッド
２１はシリカなどの粒子状研摩物質を吸収することがで
きる。
れた“ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲＰＬＡＮＡＲＩＺＩ
ＮＧ Ａ ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ ＦＯＲＭＥＤ ＯＶ
ＥＲＡ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＳＵＢＳＴＲＡ
ＴＥ”という名称の米国特許第５，１２７，１９６号明
細書に記述されているように、基板上に形成された誘電
体層を平坦化するための研摩装置の概略図が示されてい
る。この研摩装置１００は、テーブル２０、キャリア２
４、熱交換器２６、第１及び第２パイプ３２、３６、冷
却ユニット３５及びノズル３８を含む。この研摩装置１
００では、平坦化（研摩）工程の際、半導体基板２３は
テーブル２０に対向するように（誘電体層が形成された
面を下にして）置かれる。テーブル２０の上面には、多
孔性物質からなるパッド２１が設けられている。このパ
ッド２１が、半導体基板２３に形成された誘電体層の上
面と接触する。多孔性物質からできているため、パッド
２１はシリカなどの粒子状研摩物質を吸収することがで
きる。
【０００３】キャリア２４は、負圧によってまたは濡れ
た表面による表面張力によって下面に接触保持されてい
る半導体基板２３の裏面に対して圧力Ｆ１を加えるのに
用いられる。キャリア２４と半導体基板２３との間でク
ッションとしての役割を果たすようにパッド３０がそれ
らの間に挿入されていることが好ましい。また、通常の
保持リング２９が、キャリア２４に対し半導体基板２３
が横にずれないよう保持するために用いられている。下
向きに加えられた圧力Ｆ１は、典型的には約３．４５×
１０4Ｐａ（５ｐｏｕｎｄ／ｉｎｃｈ2）であり、キャリ
ア２４の上面に取り付けられた軸２７を介して伝達され
る。この圧力Ｆ１は、誘電体層の上面の研摩を促進する
ように加えられる。
た表面による表面張力によって下面に接触保持されてい
る半導体基板２３の裏面に対して圧力Ｆ１を加えるのに
用いられる。キャリア２４と半導体基板２３との間でク
ッションとしての役割を果たすようにパッド３０がそれ
らの間に挿入されていることが好ましい。また、通常の
保持リング２９が、キャリア２４に対し半導体基板２３
が横にずれないよう保持するために用いられている。下
向きに加えられた圧力Ｆ１は、典型的には約３．４５×
１０4Ｐａ（５ｐｏｕｎｄ／ｉｎｃｈ2）であり、キャリ
ア２４の上面に取り付けられた軸２７を介して伝達され
る。この圧力Ｆ１は、誘電体層の上面の研摩を促進する
ように加えられる。
【０００４】一方、冷却ユニット３５は、第１パイプ３
２を通って流れる冷媒の温度を低下させる。第１パイプ
３２がテーブル２０の内部を貫通していることにより、
研摩工程の間、テーブル２０の温度は室温より低く保た
れる。この研摩装置１００では、冷媒は通常の水を含
み、その温度は、研摩工程の間テーブル２０の温度が約
１０℃に維持されるように、冷却ユニット３５によって
調節される。また、冷却ユニット３５は、冷媒が第１パ
イプ３２及びテーブル２０を循環するようにするための
手段も含んでいる。
２を通って流れる冷媒の温度を低下させる。第１パイプ
３２がテーブル２０の内部を貫通していることにより、
研摩工程の間、テーブル２０の温度は室温より低く保た
れる。この研摩装置１００では、冷媒は通常の水を含
み、その温度は、研摩工程の間テーブル２０の温度が約
１０℃に維持されるように、冷却ユニット３５によって
調節される。また、冷却ユニット３５は、冷媒が第１パ
イプ３２及びテーブル２０を循環するようにするための
手段も含んでいる。
【０００５】研摩工程の間、第２パイプ３６を通して研
摩物質がパッド２１の表面に供給される。研摩工程をよ
り円滑にするため、研摩物質は「スラリー（ｓｌｕｒｒ
ｙ）」と呼ばれる懸濁液として供給されることが好まし
い。このスラリーは、第２パイプ３６を通じてポンピン
グされた後、ノズル３８からパッド２１の上面に直接噴
射される。
摩物質がパッド２１の表面に供給される。研摩工程をよ
り円滑にするため、研摩物質は「スラリー（ｓｌｕｒｒ
ｙ）」と呼ばれる懸濁液として供給されることが好まし
い。このスラリーは、第２パイプ３６を通じてポンピン
グされた後、ノズル３８からパッド２１の上面に直接噴
射される。
【０００６】研摩動作中、通常、キャリア２４はテーブ
ル２０に対して回転させられる。このような回転運動
は、一般に通常のモータを軸２７に連結することによっ
て行われる。また、テーブル２０は公知の機械的な手段
によって回転され、その結果、研摩装置１００は半導体
基板２３上に形成された誘電体層を平坦化することがで
きる。
ル２０に対して回転させられる。このような回転運動
は、一般に通常のモータを軸２７に連結することによっ
て行われる。また、テーブル２０は公知の機械的な手段
によって回転され、その結果、研摩装置１００は半導体
基板２３上に形成された誘電体層を平坦化することがで
きる。
【０００７】しかしながら、上記の研摩装置では、研摩
時間や加える圧力を制御することによって研摩する誘電
体層の厚さを調節しているため、誘電体層の厚さを正確
に調節するのは容易ではない。
時間や加える圧力を制御することによって研摩する誘電
体層の厚さを調節しているため、誘電体層の厚さを正確
に調節するのは容易ではない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、研摩される誘電体層の厚さを正確に調節し得る
研摩装置を提供することである。
目的は、研摩される誘電体層の厚さを正確に調節し得る
研摩装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、半導体基板の上面に形成された誘
電体層の厚さを前記誘電体層を研摩することによって調
節するための研摩装置であって、粒子状物質を吸収し得
る多孔性物質からなる上面と、下面とを有するテーブル
と、前記半導体基板を固定するための基板固定手段であ
って、上面及び下面を有するキャリアと、前記キャリア
の上面に接続された軸と、前記キャリアの下面に取り付
けられたパッドと、前記半導体基板が横方向へずれない
ように保持するべく前記キャリアの下面の外周に設けら
れた保持リングとを含む基板固定手段と、前記基板固定
手段を前記テーブルの上面に向かって移動し、前記誘電
体層が前記テーブルの上面から予め定められた位置に置
かれるように前記基板固定手段を前記予め定められた位
置に移動させる基板移動手段と、前記テーブルの上面に
研摩物質を供給する研摩物質供給手段と、前記研摩物質
と前記誘電体層との間に摩擦が生じるように、前記基板
固定手段を回転させる回転手段と、前記テーブルの下面
に設けられ、前記テーブルの垂直方向位置を制御する垂
直方向位置制御手段と、前記垂直方向位置制御手段を取
り囲むとともに、熱絶縁性物質からなり、内部温度を概
ね一定に保持することができる空胴とを含むことを特徴
とする研摩装置が提供される。
め、本発明によれば、半導体基板の上面に形成された誘
電体層の厚さを前記誘電体層を研摩することによって調
節するための研摩装置であって、粒子状物質を吸収し得
る多孔性物質からなる上面と、下面とを有するテーブル
と、前記半導体基板を固定するための基板固定手段であ
って、上面及び下面を有するキャリアと、前記キャリア
の上面に接続された軸と、前記キャリアの下面に取り付
けられたパッドと、前記半導体基板が横方向へずれない
ように保持するべく前記キャリアの下面の外周に設けら
れた保持リングとを含む基板固定手段と、前記基板固定
手段を前記テーブルの上面に向かって移動し、前記誘電
体層が前記テーブルの上面から予め定められた位置に置
かれるように前記基板固定手段を前記予め定められた位
置に移動させる基板移動手段と、前記テーブルの上面に
研摩物質を供給する研摩物質供給手段と、前記研摩物質
と前記誘電体層との間に摩擦が生じるように、前記基板
固定手段を回転させる回転手段と、前記テーブルの下面
に設けられ、前記テーブルの垂直方向位置を制御する垂
直方向位置制御手段と、前記垂直方向位置制御手段を取
り囲むとともに、熱絶縁性物質からなり、内部温度を概
ね一定に保持することができる空胴とを含むことを特徴
とする研摩装置が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適実施例につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】図２には、本発明の好適実施例である研摩
装置２００の概略図が示されている。図示されているよ
うに、研摩装置２００は、上面２２１及び下面２２２を
有するテーブル２２０と、パッド２３０及び保持リング
２２９が設けられた、半導体基板３００を保持するため
のキャリア２２４と、パイプ２３６と、ノズル２３８
と、アクチュエータアセンブリ２８０とを含む。アクチ
ュエータアセンブり２８０は、ベース２４０、熱膨張物
質２５０、空胴２５４、加熱コイル２５６及び電源２６
０を有する。
装置２００の概略図が示されている。図示されているよ
うに、研摩装置２００は、上面２２１及び下面２２２を
有するテーブル２２０と、パッド２３０及び保持リング
２２９が設けられた、半導体基板３００を保持するため
のキャリア２２４と、パイプ２３６と、ノズル２３８
と、アクチュエータアセンブリ２８０とを含む。アクチ
ュエータアセンブり２８０は、ベース２４０、熱膨張物
質２５０、空胴２５４、加熱コイル２５６及び電源２６
０を有する。
【００１２】本発明の研摩装置２００では、研摩工程の
間、半導体基板３００は、誘電体層等が形成された面が
下を向くように、テーブル２２０の上に配置される。半
導体基板３００上に形成された誘電体層と接触するテー
ブル２２０の上面２２１は多孔性物質からなり、シリカ
などの粒子状研摩物質を吸収することができる。
間、半導体基板３００は、誘電体層等が形成された面が
下を向くように、テーブル２２０の上に配置される。半
導体基板３００上に形成された誘電体層と接触するテー
ブル２２０の上面２２１は多孔性物質からなり、シリカ
などの粒子状研摩物質を吸収することができる。
【００１３】半導体基板３００は、上面及び下面を有す
るキャリア２２４によって保持される。半導体基板３０
０は負圧または濡れた表面による表面張力によりキャリ
ア２２４の下面に固着される。半導体基板３００がキャ
リア２２４に対し横にずれないように保持するために、
保持リング２２９がキャリア２２４の下面の外周に設け
られている。パッド２３０は、キャリア２２４の下面の
保持リング２２９内に付着されており、半導体基板３０
０とキャリア２２４の下面との間でクッションの役目を
する。軸２２７によってキャリア２２４の上面とモータ
２７０が連結されており、キャリア２２４は軸２２７に
沿ってテーブル２２０の上面へ向かって予め定められた
位置まで動くことができる。予め定められた位置に移動
した後、キャリア２２４は、公知の機械的手段（図示せ
ず）により、そこに固定される。
るキャリア２２４によって保持される。半導体基板３０
０は負圧または濡れた表面による表面張力によりキャリ
ア２２４の下面に固着される。半導体基板３００がキャ
リア２２４に対し横にずれないように保持するために、
保持リング２２９がキャリア２２４の下面の外周に設け
られている。パッド２３０は、キャリア２２４の下面の
保持リング２２９内に付着されており、半導体基板３０
０とキャリア２２４の下面との間でクッションの役目を
する。軸２２７によってキャリア２２４の上面とモータ
２７０が連結されており、キャリア２２４は軸２２７に
沿ってテーブル２２０の上面へ向かって予め定められた
位置まで動くことができる。予め定められた位置に移動
した後、キャリア２２４は、公知の機械的手段（図示せ
ず）により、そこに固定される。
【００１４】一方、研摩工程の間、パイプ２３６を通し
てテーブル２２０の上面２２１に研摩物質が供給され
る。研摩工程をより円滑に実行するため、研摩物質は
「スラリー」と呼ばれる懸濁液として供給されることが
好ましい。スラリーはパイプ２３６を通じてポンピング
された後、ノズル２３８を介してテーブル２２０の上面
２２１に直接噴射される。
てテーブル２２０の上面２２１に研摩物質が供給され
る。研摩工程をより円滑に実行するため、研摩物質は
「スラリー」と呼ばれる懸濁液として供給されることが
好ましい。スラリーはパイプ２３６を通じてポンピング
された後、ノズル２３８を介してテーブル２２０の上面
２２１に直接噴射される。
【００１５】研摩動作中、研摩物質と誘電体層との間に
摩擦を生じさせるために、通常、キャリア２２４はテー
ブル２２０に対して回転させられる。このような回転運
動は、一般にモータ２７０を軸２２７に連結することに
よって行われる。
摩擦を生じさせるために、通常、キャリア２２４はテー
ブル２２０に対して回転させられる。このような回転運
動は、一般にモータ２７０を軸２２７に連結することに
よって行われる。
【００１６】テーブル２２０の軸方向（垂直方向）の移
動を制御するためのアクチュエータアセンブリ２８０
は、テーブル２２０の下面２２２に接続されている。熱
膨張物質２５０は、ベース２４０とテーブル２２０の下
面２２２との間に設けられている。図３中の記号ｈは、
研摩装置２００により研摩されるべき誘電体層の厚さを
表している。
動を制御するためのアクチュエータアセンブリ２８０
は、テーブル２２０の下面２２２に接続されている。熱
膨張物質２５０は、ベース２４０とテーブル２２０の下
面２２２との間に設けられている。図３中の記号ｈは、
研摩装置２００により研摩されるべき誘電体層の厚さを
表している。
【００１７】下記の表１は、テーブル２２０の軸方向の
移動距離と熱膨張物質２５０との間の関係を表す。例え
ば、熱膨張物質２５０がジルコニウム（Ｚｒ）からな
り、その厚さが１cmである場合、テーブル２２０は、温
度が１℃変化する毎に４２０Åずつ軸方向へ動く。
移動距離と熱膨張物質２５０との間の関係を表す。例え
ば、熱膨張物質２５０がジルコニウム（Ｚｒ）からな
り、その厚さが１cmである場合、テーブル２２０は、温
度が１℃変化する毎に４２０Åずつ軸方向へ動く。
【００１８】
【表１】
【００１９】加熱コイル２５６に接続された電源２６０
によって、加熱コイル２５６に電流を流し、熱膨張物質
２５０を加熱することができる。熱膨張物質２５０は、
加熱コイル２５６により加えられた熱量に応じて膨張す
る。熱膨張物質２５０は、断熱材（熱絶縁性物質）から
なる空胴２５４によって取り囲まれている。断熱材でで
きていることによって熱の放出が防がれ、加熱コイル２
５６に電流が流れていないとき、空胴２５４の内部温度
は概ね一定に維持される。
によって、加熱コイル２５６に電流を流し、熱膨張物質
２５０を加熱することができる。熱膨張物質２５０は、
加熱コイル２５６により加えられた熱量に応じて膨張す
る。熱膨張物質２５０は、断熱材（熱絶縁性物質）から
なる空胴２５４によって取り囲まれている。断熱材でで
きていることによって熱の放出が防がれ、加熱コイル２
５６に電流が流れていないとき、空胴２５４の内部温度
は概ね一定に維持される。
【００２０】図３には、研摩工程前の、誘電体層３３０
が蒸着された直後の半導体基板の断面図が示されてい
る。ここまでの過程を説明すると、まず金属線３２０が
基板３１０の平坦な上面に設けられる。この金属線３２
０は、通常のフォトリソグラフィー法を用いて形成され
る。次の過程において、誘電体層３３０（例えば、酸化
シリコン）が、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）法を用い
て、基板３１０及び金属線３２０の上部に形成される。
誘電体層３３０の厚さは、金属線３２０の厚さより厚い
ことが好ましい。基板３１０の上面に金属線３２０が形
成されているため、誘電体層３３０は平坦に形成されな
い。即ち、金属線３２０のため誘電体層３３０には若干
の突出部が形成される。このため、次の過程へ進む前に
誘電体層３３０を研摩しなければならない。
が蒸着された直後の半導体基板の断面図が示されてい
る。ここまでの過程を説明すると、まず金属線３２０が
基板３１０の平坦な上面に設けられる。この金属線３２
０は、通常のフォトリソグラフィー法を用いて形成され
る。次の過程において、誘電体層３３０（例えば、酸化
シリコン）が、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）法を用い
て、基板３１０及び金属線３２０の上部に形成される。
誘電体層３３０の厚さは、金属線３２０の厚さより厚い
ことが好ましい。基板３１０の上面に金属線３２０が形
成されているため、誘電体層３３０は平坦に形成されな
い。即ち、金属線３２０のため誘電体層３３０には若干
の突出部が形成される。このため、次の過程へ進む前に
誘電体層３３０を研摩しなければならない。
【００２１】図４には、本発明の好適な実施例に基づい
て、図３の誘電体層３３０が研摩工程を終えて平坦化さ
れた様子を表す断面図が示されている。
て、図３の誘電体層３３０が研摩工程を終えて平坦化さ
れた様子を表す断面図が示されている。
【００２２】以上述べたように、従来の研摩装置１００
とは異なり、本発明の研摩装置２００は、テーブル２０
０の高さ（垂直方向位置）を正確に調節し得るアクチュ
エータアセンブリ２８０が設けられていることによっ
て、研摩される誘電体層の厚さを容易にかつ正確に調節
することができる。このような厚さ調節は、熱膨張物質
２５０を用いることによって可能となっている。
とは異なり、本発明の研摩装置２００は、テーブル２０
０の高さ（垂直方向位置）を正確に調節し得るアクチュ
エータアセンブリ２８０が設けられていることによっ
て、研摩される誘電体層の厚さを容易にかつ正確に調節
することができる。このような厚さ調節は、熱膨張物質
２５０を用いることによって可能となっている。
【００２３】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
【００２４】
【発明の効果】従って、本発明によれば、熱膨張物質を
用いてテーブルの高さを正確に調節することができるた
め、誘電体層を最適な厚さに研摩することができる。
用いてテーブルの高さを正確に調節することができるた
め、誘電体層を最適な厚さに研摩することができる。
【図１】従来の研摩装置を示す概略図である。
【図２】本発明の研摩装置を示す概略図である。
【図３】半導体基板上に誘電体層を蒸着した直後の断面
図である。
図である。
【図４】本発明により研摩工程を行った後の、平坦化さ
れた半導体基板の断面図である。
れた半導体基板の断面図である。
２０ テーブル ２１ パッド ２３ 半導体基板 ２４ キャリア ２６ 熱交換器 ２７ 軸 ２９ 保持リング ３０ パッド ３２ 第１パイプ ３５ 冷却ユニット ３６ 第２パイプ ３８ ノズル １００ 研摩装置（従来技術） ２００ 研摩装置 ２２０ テーブル ２２１ 上面 ２２２ 下面 ２２４ キャリア ２２７ 軸 ２２９ 保持リング ２３０ パッド ２３６ パイプ ２３８ ノズル ２４０ ベース ２５０ 熱膨張物質 ２５４ 空胴 ２５６ 加熱コイル ２６０ 電源 ２７０ モータ ２８０ アクチュエータアセンブリ ３００ 半導体基板 ３１０ 基板 ３２０ 金属線 ３３０ 誘電体層 Ｆ１ 圧力
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板の上面に形成された誘電体
層の厚さを前記誘電体層を研摩することによって調節す
るための研摩装置であって、 粒子状物質を吸収し得る多孔性物質からなる上面と、下
面とを有するテーブルと、 前記半導体基板を固定するための基板固定手段であっ
て、上面及び下面を有するキャリアと、前記キャリアの
上面に接続された軸と、前記キャリアの下面に取り付け
られたパッドと、前記半導体基板が横方向へずれないよ
うに保持するべく前記キャリアの下面の外周に設けられ
た保持リングとを含む基板固定手段と、 前記基板固定手段を前記テーブルの上面に向かって移動
し、前記誘電体層が前記テーブルの上面から予め定めら
れた位置に置かれるように前記基板固定手段を前記予め
定められた位置に移動させる基板移動手段と、 前記テーブルの上面に研摩物質を供給する研摩物質供給
手段と、 前記研摩物質と前記誘電体層との間に摩擦が生じるよう
に、前記基板固定手段を回転させる回転手段と、 前記テーブルの下面に設けられ、前記テーブルの垂直方
向位置を制御する垂直方向位置制御手段と、 前記垂直方向位置制御手段を取り囲むとともに、熱絶縁
性物質からなり、内部温度を概ね一定に保持することが
できる空胴とを含むことを特徴とする研摩装置。 - 【請求項２】 前記垂直方向位置制御手段が、 ベースと、 前記ベースと前記テーブルの下面との間に設けられた熱
膨張物質と、 前記熱膨張物質に熱を加える加熱手段とを有することを
特徴とする請求項１に記載の研摩装置。 - 【請求項３】 前記加熱手段が、電源及び加熱コイル
を有することを特徴とする請求項２に記載の研摩装置。 - 【請求項４】 前記熱膨張物質が、酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）からなることを特徴とする請求項２に記載
の研摩装置。 - 【請求項５】 前記熱膨張物質が、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）からなることを特徴とする請求項２に記載の研摩装
置。 - 【請求項６】 前記熱膨張物質が、炭化シリコン（Ｓ
ｉＣ）からなることを特徴とする請求項２に記載の研摩
装置。 - 【請求項７】 前記熱膨張物質が、石英ガラス（fuse
d silica glass）からなることを特徴とする請求項２に
記載の研摩装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950002765A KR100258802B1 (ko) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법 |
| KR1995-2765 | 1995-02-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08229806A true JPH08229806A (ja) | 1996-09-10 |
| JP2969071B2 JP2969071B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=19408152
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|---|---|---|---|
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| KR100413493B1 (ko) * | 2001-10-17 | 2004-01-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 기계적 연마 장치의 연마 플래튼 및 그를 이용한평탄화방법 |
| KR100835517B1 (ko) | 2003-12-26 | 2008-06-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨엠피 장비의 플래튼 장치 |
| US7198548B1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing apparatus and method with direct load platen |
| CN103029031A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-10 | 上海双明光学科技有限公司 | 一种晶圆基片加工方法 |
| CN103639886A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 用于w-cmp的化学机械研磨装置及研磨方法 |
| US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
| US9776361B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
| KR102436416B1 (ko) | 2014-10-17 | 2022-08-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성 |
| US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
| US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
| JP2016090439A (ja) * | 2014-11-06 | 2016-05-23 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 粒子状物質検出素子及び粒子状物質検出センサ |
| CN113103145B (zh) | 2015-10-30 | 2023-04-11 | 应用材料公司 | 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法 |
| US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
| US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
| US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
| WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
| KR20210042171A (ko) | 2018-09-04 | 2021-04-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들 |
| CN112605847B (zh) * | 2020-11-23 | 2022-04-19 | 福建晶安光电有限公司 | 一种改进的晶片衬底抛光方法与装置 |
| US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
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| KR860008003A (ko) * | 1985-04-08 | 1986-11-10 | 제이·로렌스 킨 | 양면 포리싱 작업용 캐리어 조립체 |
| CA2012878C (en) * | 1989-03-24 | 1995-09-12 | Masanori Nishiguchi | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| US5127196A (en) * | 1990-03-01 | 1992-07-07 | Intel Corporation | Apparatus for planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate |
| US5103596A (en) * | 1990-11-05 | 1992-04-14 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for controlling cylinder grinding machines |
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-
1995
- 1995-02-15 KR KR1019950002765A patent/KR100258802B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-27 US US08/563,170 patent/US5664986A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-30 JP JP33578495A patent/JP2969071B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-30 IN IN1546CA1995 patent/IN185476B/en unknown
- 1995-12-08 CN CN95120467A patent/CN1073911C/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN1132676A (zh) | 1996-10-09 |
| KR960032635A (ko) | 1996-09-17 |
| CN1073911C (zh) | 2001-10-31 |
| IN185476B (ja) | 2001-02-03 |
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