JPH0825214A - ラッピング方法および平面研磨装置 - Google Patents
ラッピング方法および平面研磨装置Info
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- JPH0825214A JPH0825214A JP16507994A JP16507994A JPH0825214A JP H0825214 A JPH0825214 A JP H0825214A JP 16507994 A JP16507994 A JP 16507994A JP 16507994 A JP16507994 A JP 16507994A JP H0825214 A JPH0825214 A JP H0825214A
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- head
- lapping
- workpiece
- convex portion
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面に凹凸を有する被加工物を装着し凸部を
選択的に除去するラッピング方法および平面研磨装置に
関し、凹部との差が小さい凸部も容易に除去できるラッ
ピング方法および平面研磨装置の提供を目的とする。 【構成】 平面研磨装置のヘッド６に装着された被加工
物１を回転テーブル３上のラップ２に押し付けると共
に、ラップ２を回転させることによって被加工物１表面
の凸部を選択的にラッピングする方法であって、ヘッド
６にラッピングに際し被加工物１の凸部表面における温
度を他の領域の温度より高くする手段を設け、凸部のラ
ッピング速度を他の領域より速くして選択的なラッピン
グが容易になるように構成する。
選択的に除去するラッピング方法および平面研磨装置に
関し、凹部との差が小さい凸部も容易に除去できるラッ
ピング方法および平面研磨装置の提供を目的とする。 【構成】 平面研磨装置のヘッド６に装着された被加工
物１を回転テーブル３上のラップ２に押し付けると共
に、ラップ２を回転させることによって被加工物１表面
の凸部を選択的にラッピングする方法であって、ヘッド
６にラッピングに際し被加工物１の凸部表面における温
度を他の領域の温度より高くする手段を設け、凸部のラ
ッピング速度を他の領域より速くして選択的なラッピン
グが容易になるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造におい
て表面に凹凸を有する層間絶縁膜等を平坦化する設備に
係り、特に被加工物を装着し凸部を選択的に除去するラ
ッピング方法および平面研磨装置に関する。
て表面に凹凸を有する層間絶縁膜等を平坦化する設備に
係り、特に被加工物を装着し凸部を選択的に除去するラ
ッピング方法および平面研磨装置に関する。
【０００２】半導体装置は一般に基板上に交互に積層さ
れた配線層と層間絶縁層を具えているが層間絶縁層の表
面に凹凸があると、その上に更に形成された配線層に断
線等が生じやすいため層間絶縁層の表面は常に平坦化さ
れていなければならない。
れた配線層と層間絶縁層を具えているが層間絶縁層の表
面に凹凸があると、その上に更に形成された配線層に断
線等が生じやすいため層間絶縁層の表面は常に平坦化さ
れていなければならない。
【０００３】しかるに、一般にＣＶＤ法によって配線層
の上に層間絶縁膜を堆積させると配線が密な領域におい
ては膜厚が厚くなり、粗なる領域では膜厚が薄くなるた
めかかる層間絶縁膜上に配線層を形成するには凸部を選
択的に除去する必要がある。
の上に層間絶縁膜を堆積させると配線が密な領域におい
ては膜厚が厚くなり、粗なる領域では膜厚が薄くなるた
めかかる層間絶縁膜上に配線層を形成するには凸部を選
択的に除去する必要がある。
【０００４】かかる層間絶縁膜を平坦化する手段に半導
体基板を回転するラップに押し付け凸部を除去するラッ
ピングがある。しかし、柔軟なラップに半導体基板を押
し付け凸部を除去する従来のラッピングは凹部との差が
小さい凸部は除去できない。
体基板を回転するラップに押し付け凸部を除去するラッ
ピングがある。しかし、柔軟なラップに半導体基板を押
し付け凸部を除去する従来のラッピングは凹部との差が
小さい凸部は除去できない。
【０００５】そこで、凹部との差が小さい凸部も容易に
除去できるラッピング方法および平面研磨装置の開発が
要望されている。
除去できるラッピング方法および平面研磨装置の開発が
要望されている。
【０００６】
【従来の技術】図６は被加工物の一例を示す側断面図、
図７は従来の平面研磨装置を示す斜視図である。
図７は従来の平面研磨装置を示す斜視図である。
【０００７】半導体装置は図６に示す如く半導体基板11
の上に微細な導体からなる配線層12と層間絶縁層13とが
交互に積層されており、層間絶縁層13の形成は通常、Ｃ
ＶＤ法（気相成長法）によってSiO2等からなる膜が半導
体基板11の上に堆積される。
の上に微細な導体からなる配線層12と層間絶縁層13とが
交互に積層されており、層間絶縁層13の形成は通常、Ｃ
ＶＤ法（気相成長法）によってSiO2等からなる膜が半導
体基板11の上に堆積される。
【０００８】しかし、ＣＶＤ法によって半導体基板11上
にSiO2等を堆積させると配線が密なる領域では層間絶縁
層13の膜厚が厚く、配線が粗なる領域では層間絶縁層13
の膜厚が薄くなって次の配線層12の下地になる層間絶縁
層13の表面に凹凸が生じる。
にSiO2等を堆積させると配線が密なる領域では層間絶縁
層13の膜厚が厚く、配線が粗なる領域では層間絶縁層13
の膜厚が薄くなって次の配線層12の下地になる層間絶縁
層13の表面に凹凸が生じる。
【０００９】このように下地となる層間絶縁層13に凹凸
が介在するとその上に形成される配線層12に断線等が発
生しやすくなる。そこで、配線層12上にSiO2等を堆積さ
せ層間絶縁層13を形成する都度、表面に生じた凸部を選
択的に除去する必要がある。
が介在するとその上に形成される配線層12に断線等が発
生しやすくなる。そこで、配線層12上にSiO2等を堆積さ
せ層間絶縁層13を形成する都度、表面に生じた凸部を選
択的に除去する必要がある。
【００１０】半導体装置の製造工程では層間絶縁層13の
形成時に生じた凸部を選択的に除去する手段としてラッ
ピングが行われる。以下、半導体装置の製造工程等にお
いて平面研磨装置を用いて行われる従来のラッピング方
法について詳細に説明する。
形成時に生じた凸部を選択的に除去する手段としてラッ
ピングが行われる。以下、半導体装置の製造工程等にお
いて平面研磨装置を用いて行われる従来のラッピング方
法について詳細に説明する。
【００１１】平面研磨装置は図７に示す如くラップ２が
貼着された回転テーブル３と回転テーブル３に対向させ
たヘッド４とを有し、回転テーブル３の上方のヘッド４
は装置のフレーム５によって上下方向に移動可能でかつ
回転自在に支持されている。
貼着された回転テーブル３と回転テーブル３に対向させ
たヘッド４とを有し、回転テーブル３の上方のヘッド４
は装置のフレーム５によって上下方向に移動可能でかつ
回転自在に支持されている。
【００１２】ヘッド４は回転テーブル３に対向し被加工
物１を装着する面に被加工物１を取り囲むテンプレート
41が固着されており、被加工物１は例えば、テンプレー
ト41によって取り囲まれた領域に嵌め込むことによって
ヘッド４に吸着固定される。
物１を装着する面に被加工物１を取り囲むテンプレート
41が固着されており、被加工物１は例えば、テンプレー
ト41によって取り囲まれた領域に嵌め込むことによって
ヘッド４に吸着固定される。
【００１３】コロイダルシリカ等の遊離研磨材を含む液
を回転テーブル３上のラップ２に散布して被加工物１を
ラップ２に押し付け、回転テーブル３を駆動することに
よってラップ２が回転すると共にヘッド４も回転し被加
工物１がラッピングされる。
を回転テーブル３上のラップ２に散布して被加工物１を
ラップ２に押し付け、回転テーブル３を駆動することに
よってラップ２が回転すると共にヘッド４も回転し被加
工物１がラッピングされる。
【００１４】なお、被加工物１をラップ２に押し付ける
力、即ち、加圧力を得る手段として被加工物の材質やラ
ッピング条件により、例えばヘッドの自重、ヘッド上に
重置された円盤の重量、フレーム４に固定したエヤシリ
ンダの推力等が利用される。
力、即ち、加圧力を得る手段として被加工物の材質やラ
ッピング条件により、例えばヘッドの自重、ヘッド上に
重置された円盤の重量、フレーム４に固定したエヤシリ
ンダの推力等が利用される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、柔軟性を有す
るラップ２に被加工物１を押し付けて一様な条件でラッ
ピングする従来の方法には限界があり、限界を超すと凸
部と凹部とが同時にラッピングされるため凸部を選択的
に除去することができないという問題があった。
るラップ２に被加工物１を押し付けて一様な条件でラッ
ピングする従来の方法には限界があり、限界を超すと凸
部と凹部とが同時にラッピングされるため凸部を選択的
に除去することができないという問題があった。
【００１６】本発明の目的は凹部との差が小さい凸部も
容易に除去できるラッピング方法および平面研磨装置を
提供することにある。
容易に除去できるラッピング方法および平面研磨装置を
提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明になる平面
研磨装置を示す側断面図である。なお全図を通し同じ対
象物は同一記号で表している。
研磨装置を示す側断面図である。なお全図を通し同じ対
象物は同一記号で表している。
【００１８】上記課題は平面研磨装置のヘッド６に装着
された被加工物１を回転テーブル３上のラップ２に押し
付けると共に、ラップ２を回転させることによって被加
工物１表面の凸部を選択的にラッピングする方法であっ
て、ヘッド６にラッピングに際し被加工物１の凸部表面
における温度を他の領域の温度より高くする手段を設
け、凸部のラッピング速度を他の領域より速くして選択
的なラッピングを容易にする本発明になるラッピング方
法によって達成される。
された被加工物１を回転テーブル３上のラップ２に押し
付けると共に、ラップ２を回転させることによって被加
工物１表面の凸部を選択的にラッピングする方法であっ
て、ヘッド６にラッピングに際し被加工物１の凸部表面
における温度を他の領域の温度より高くする手段を設
け、凸部のラッピング速度を他の領域より速くして選択
的なラッピングを容易にする本発明になるラッピング方
法によって達成される。
【００１９】
【作用】図１において被加工物１を装着するヘッド６が
被加工物１上の凸部と対応する位置に設けられた空洞61
を具えており、被加工物１の凸部表面における温度を他
の領域の温度より高くする手段としてヒータ62が空洞61
内に埋め込まれている。
被加工物１上の凸部と対応する位置に設けられた空洞61
を具えており、被加工物１の凸部表面における温度を他
の領域の温度より高くする手段としてヒータ62が空洞61
内に埋め込まれている。
【００２０】ラッピングによる研磨速度は被加工物表面
の温度に比例し他の条件が同じでも温度の高い領域の方
が速く除去される。即ち、被加工物１の凸部表面におけ
る温度を他の領域の温度より高くすることによって極め
て容易に凸部が除去される。
の温度に比例し他の条件が同じでも温度の高い領域の方
が速く除去される。即ち、被加工物１の凸部表面におけ
る温度を他の領域の温度より高くすることによって極め
て容易に凸部が除去される。
【００２１】その結果、凹部との差が小さい凸部も容易
に除去できるラッピング方法および平面研磨装置を実現
することができる。
に除去できるラッピング方法および平面研磨装置を実現
することができる。
【００２２】
【実施例】以下添付図により本発明の実施例について説
明する。なお、図２は表面温度とラッピングによる研磨
速度の相関を示す図、図３は本発明になる平面研磨装置
の実施例を示す斜視図、図４は本発明になる研磨装置の
第１の変形例を示す側断面図、図５は本発明になる研磨
装置の第２の変形例を示す側断面図である。
明する。なお、図２は表面温度とラッピングによる研磨
速度の相関を示す図、図３は本発明になる平面研磨装置
の実施例を示す斜視図、図４は本発明になる研磨装置の
第１の変形例を示す側断面図、図５は本発明になる研磨
装置の第２の変形例を示す側断面図である。
【００２３】図２に示す如く表面温度とラッピングによ
る研磨速度は比例し表面温度が上昇するとラッピング速
度は加速される。例えば温度が10℃であればラッピング
速度は10nm/minであるが温度が20℃になるとラッピング
速度は30nm/min以上になる。
る研磨速度は比例し表面温度が上昇するとラッピング速
度は加速される。例えば温度が10℃であればラッピング
速度は10nm/minであるが温度が20℃になるとラッピング
速度は30nm/min以上になる。
【００２４】即ち、その他の領域における表面温度が10
℃のときに加熱することによって凸部表面における温度
が20℃に上昇すると、その他のラッピング条件が全く同
じであっても凸部がその他の領域に比べて３倍以上の速
さで除去されることになる。
℃のときに加熱することによって凸部表面における温度
が20℃に上昇すると、その他のラッピング条件が全く同
じであっても凸部がその他の領域に比べて３倍以上の速
さで除去されることになる。
【００２５】言い換えれば、被加工物の凸部と凹部とが
同じ力でラップに押し付けられ同じ速度で同時にラッピ
ングされたとき、表面温度が10℃の凹部に比べ表面温度
が20℃の凸部は３倍以上の速さで研磨されるため凸部の
削除が極めて容易になる。
同じ力でラップに押し付けられ同じ速度で同時にラッピ
ングされたとき、表面温度が10℃の凹部に比べ表面温度
が20℃の凸部は３倍以上の速さで研磨されるため凸部の
削除が極めて容易になる。
【００２６】本発明になる平面研磨装置は図１に示す如
く上面にラップ２が貼着された回転テーブル３とヘッド
６を具えており、被加工物１を装着したときに裏面が当
接するヘッド６には被加工物１上の凸部と対応する位置
に空洞61が設けられている。
く上面にラップ２が貼着された回転テーブル３とヘッド
６を具えており、被加工物１を装着したときに裏面が当
接するヘッド６には被加工物１上の凸部と対応する位置
に空洞61が設けられている。
【００２７】ヘッド６は回転テーブル３に対向し被加工
物１を装着する面に被加工物１を取り囲むテンプレート
41が固着されており、被加工物１は例えば、テンプレー
ト41によって取り囲まれた領域に嵌め込むことによって
ヘッド６に吸着固定される。
物１を装着する面に被加工物１を取り囲むテンプレート
41が固着されており、被加工物１は例えば、テンプレー
ト41によって取り囲まれた領域に嵌め込むことによって
ヘッド６に吸着固定される。
【００２８】コロイダルシリカ等の遊離研磨材を含む液
を回転テーブル３上のラップ２に散布して被加工物１を
ラップ２に押し付け、回転テーブル３を駆動することに
よってラップ２が回転すると共にヘッド６も回転し被加
工物１がラッピングされる。
を回転テーブル３上のラップ２に散布して被加工物１を
ラップ２に押し付け、回転テーブル３を駆動することに
よってラップ２が回転すると共にヘッド６も回転し被加
工物１がラッピングされる。
【００２９】空洞61の内部にはヒータ62が埋め込まれて
おりヒータ62に通電することによって被加工物１上の凸
部が加熱される。例えば、Si等からなる半導体基板11は
熱伝導度が高くヒータ62により裏面が加熱されると凸部
の表面温度は直ぐ上昇する。
おりヒータ62に通電することによって被加工物１上の凸
部が加熱される。例えば、Si等からなる半導体基板11は
熱伝導度が高くヒータ62により裏面が加熱されると凸部
の表面温度は直ぐ上昇する。
【００３０】一方、その他の領域では半導体基板11がセ
ラミック等の比較的熱伝導度の低い材料からなるヘッド
６に当接しており、ヒータ62により加熱された凸部の熱
がその他の領域に伝わってもヘッド６により冷却され著
しい温度上昇は発生しない。
ラミック等の比較的熱伝導度の低い材料からなるヘッド
６に当接しており、ヒータ62により加熱された凸部の熱
がその他の領域に伝わってもヘッド６により冷却され著
しい温度上昇は発生しない。
【００３１】即ち、被加工物１の凸部表面における温度
を他の領域の温度より高くすることによって極めて容易
に凸部が除去される。その結果、凹部との差が小さい凸
部も容易に除去できるラッピング方法および平面研磨装
置を実現することができる。
を他の領域の温度より高くすることによって極めて容易
に凸部が除去される。その結果、凹部との差が小さい凸
部も容易に除去できるラッピング方法および平面研磨装
置を実現することができる。
【００３２】図３に示す本発明の実施例はマイクロプロ
セッサ（ＭＰＵ）15が形成された半導体基板を被加工物
１とするもので、ＭＰＵ15は演算回路部16と特に緻密な
配線を有するメモリ部17を有しメモリ部17における層間
絶縁層13の膜厚が厚くなる。
セッサ（ＭＰＵ）15が形成された半導体基板を被加工物
１とするもので、ＭＰＵ15は演算回路部16と特に緻密な
配線を有するメモリ部17を有しメモリ部17における層間
絶縁層13の膜厚が厚くなる。
【００３３】そこで平面研磨装置のヘッド６は被加工物
１のメモリ部17の裏面と当接する部分にそれぞれ空洞61
が形成されており、図示省略されているが凸部を加熱す
るヒータ62が被加工物１の裏面に当接可能なよう空洞61
の内部に埋め込まれている。
１のメモリ部17の裏面と当接する部分にそれぞれ空洞61
が形成されており、図示省略されているが凸部を加熱す
るヒータ62が被加工物１の裏面に当接可能なよう空洞61
の内部に埋め込まれている。
【００３４】一方、回転テーブル３と共に回転するポリ
ウレタンからなるラップ２にはコロイダルシリカを含む
液が散布されており、上記ヘッド６に装着された被加工
物１をラップ２に押し付けることでメモリ部17の層間絶
縁層13がラッピングされる。
ウレタンからなるラップ２にはコロイダルシリカを含む
液が散布されており、上記ヘッド６に装着された被加工
物１をラップ２に押し付けることでメモリ部17の層間絶
縁層13がラッピングされる。
【００３５】なお、ヘッド６に装着された被加工物１は
ヒータ62によって凸部における表面温度が20℃になるよ
う加熱されており、ラッピング中は10℃になるように温
度制御されたヘッド６によりその他の領域における表面
温度は10℃に保たれている。
ヒータ62によって凸部における表面温度が20℃になるよ
う加熱されており、ラッピング中は10℃になるように温
度制御されたヘッド６によりその他の領域における表面
温度は10℃に保たれている。
【００３６】例えば、表面に高さ 0.5μm 、大きさ数百
μm 平方の凸部が形成された被加工物１を本発明になる
平面研磨装置を用い、上記条件でラッピングすると凸部
のみが選択的に研磨されて層間絶縁層13の表面がほぼ平
坦になることが確認された。
μm 平方の凸部が形成された被加工物１を本発明になる
平面研磨装置を用い、上記条件でラッピングすると凸部
のみが選択的に研磨されて層間絶縁層13の表面がほぼ平
坦になることが確認された。
【００３７】本発明になる研磨装置の第１の変形例は図
４に示す如く熱伝導度の高い材料からなるヘッド６に空
洞61が形成され、ヒータ62に代えて比較的熱伝導度の低
い材料からなる保温素子63が被加工物１に当接するよう
空洞61に埋め込まれている。
４に示す如く熱伝導度の高い材料からなるヘッド６に空
洞61が形成され、ヒータ62に代えて比較的熱伝導度の低
い材料からなる保温素子63が被加工物１に当接するよう
空洞61に埋め込まれている。
【００３８】ラッピング中は互いに押し付けられた状態
で被加工物１とラップ２が相対的に移動しているため摩
擦熱が発生するが、裏面がヘッド６に当接している部分
の熱はヘッド６を介して放熱されるためラッピング中に
表面温度は殆ど上昇しない。
で被加工物１とラップ２が相対的に移動しているため摩
擦熱が発生するが、裏面がヘッド６に当接している部分
の熱はヘッド６を介して放熱されるためラッピング中に
表面温度は殆ど上昇しない。
【００３９】一方、熱伝導度の低い材料からなる保温素
子63に裏面が当接している凸部に生じた熱は放熱される
までに時間が掛り、加熱された場合と同様に被加工物１
の凸部とその他の領域との間に温度差が生じ凸部のみが
選択的にラッピングされる。
子63に裏面が当接している凸部に生じた熱は放熱される
までに時間が掛り、加熱された場合と同様に被加工物１
の凸部とその他の領域との間に温度差が生じ凸部のみが
選択的にラッピングされる。
【００４０】また、本発明になる研磨装置の第２の変形
例は上記実施例と異なり図５に示す如くヘッド６に浅い
空洞61が形成され、通電すると湾曲し電圧により曲率半
径が変化するバイメタル64が被加工物１の裏面に当接可
能なように嵌着されている。
例は上記実施例と異なり図５に示す如くヘッド６に浅い
空洞61が形成され、通電すると湾曲し電圧により曲率半
径が変化するバイメタル64が被加工物１の裏面に当接可
能なように嵌着されている。
【００４１】既述の如くヘッド６の面が平坦な場合は凸
部と凹部とが同時にラッピングされて凸部の選択的な除
去は困難であるが、バイメタル64に通電することにより
凸部が更に押し出されて凹部との差が増大し凸部のみが
選択的にラッピングされる。
部と凹部とが同時にラッピングされて凸部の選択的な除
去は困難であるが、バイメタル64に通電することにより
凸部が更に押し出されて凹部との差が増大し凸部のみが
選択的にラッピングされる。
【００４２】しかも、バイメタル64を介してヘッド６に
当接する凸部とヘッド６に直接当接するその他の領域と
で放熱時間が異なり、凸部に発生した熱の放熱を遅らせ
ることでその他の領域との間に温度差が生じ凸部のみが
選択的にラッピングされる。
当接する凸部とヘッド６に直接当接するその他の領域と
で放熱時間が異なり、凸部に発生した熱の放熱を遅らせ
ることでその他の領域との間に温度差が生じ凸部のみが
選択的にラッピングされる。
【００４３】このように被加工物の凸部表面における温
度を他の領域の温度より高くすることによって極めて容
易に凸部が除去され、その結果、凹部との差が小さい凸
部も容易に除去できるラッピング方法および平面研磨装
置を実現することができる。
度を他の領域の温度より高くすることによって極めて容
易に凸部が除去され、その結果、凹部との差が小さい凸
部も容易に除去できるラッピング方法および平面研磨装
置を実現することができる。
【００４４】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば凹部との差が
小さい凸部も容易に除去できるラッピング方法および平
面研磨装置を提供することができる。
小さい凸部も容易に除去できるラッピング方法および平
面研磨装置を提供することができる。
【図１】 本発明になる平面研磨装置を示す側断面図で
ある。
ある。
【図２】 表面温度とラッピングによる研磨速度の相関
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 本発明になる平面研磨装置の実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【図４】 本発明になる研磨装置の第１の変形例を示す
側断面図である。
側断面図である。
【図５】 本発明になる研磨装置の第２の変形例を示す
側断面図である。
側断面図である。
【図６】 被加工物の一例を示す側断面図である。
【図７】 従来の平面研磨装置を示す斜視図である。
１ 被加工物 ２ ラップ ３ 回転テーブル ６ ヘッド 11 半導体基板 12 配線層 13 層間絶縁層 15 ＭＰＵ 16 演算回路部 17 メモリ部 41 テンプレート 61 空洞 62 ヒータ 63 保温素子 64 バイメタル
Claims (4)
- 【請求項１】 平面研磨装置のヘッド(6) に装着された
被加工物(1) を回転テーブル(3) 上のラップ(2) に押し
付けると共に、該ラップ(2) を回転させることによって
該被加工物(1) 表面の凸部を選択的にラッピングする方
法であって、 該ヘッド(6) にラッピングに際し該被加工物(1) の凸部
表面における温度を他の領域の温度より高くする手段を
設け、該凸部のラッピング速度を他の領域より速くして
選択的なラッピングを容易にすることを特徴とするラッ
ピング方法。 - 【請求項２】 上面にラップ(2) が貼着された回転テー
ブル(3) と該回転テーブル(3) に対向させたヘッド(6)
を有し、該ヘッド(6) に装着された被加工物(1) を該ラ
ップ(2) に押し付けラッピングする平面研磨装置であっ
て、 該被加工物(1) の裏面に当接する該ヘッド(6) が該被加
工物(1) 上の凸部と対応する位置に設けられた空洞(61)
を有し、該被加工物(1) の該凸部を加熱するヒータ(62)
が該空洞(61)内部に埋め込まれてなることを特徴とする
平面研磨装置。 - 【請求項３】 前記ヒータ(62)に代えてヘッド(6) を構
成する材料に比べ熱伝導率の低い材料からなる保温素子
(63)が、該ヘッド(6) に設けられた空洞(61)内部に埋め
込まれてなる請求項２記載の平面研磨装置。 - 【請求項４】 前記ヒータ(62)に代えて通電すると湾曲
し電圧によって曲率半径が変化するバイメタル(64)が、
該ヘッド(6) に設けられた空洞(61)の内部に嵌着されて
なる請求項２記載の平面研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16507994A JPH0825214A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | ラッピング方法および平面研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16507994A JPH0825214A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | ラッピング方法および平面研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0825214A true JPH0825214A (ja) | 1996-01-30 |
Family
ID=15805476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16507994A Withdrawn JPH0825214A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | ラッピング方法および平面研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0825214A (ja) |
-
1994
- 1994-07-18 JP JP16507994A patent/JPH0825214A/ja not_active Withdrawn
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