JPH11288906A - 半導体ウエ―ハを研磨する方法、装置及びバッキングフィルム及び集積回路を製造する方法 - Google Patents
半導体ウエ―ハを研磨する方法、装置及びバッキングフィルム及び集積回路を製造する方法Info
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- JPH11288906A JPH11288906A JP11059235A JP5923599A JPH11288906A JP H11288906 A JPH11288906 A JP H11288906A JP 11059235 A JP11059235 A JP 11059235A JP 5923599 A JP5923599 A JP 5923599A JP H11288906 A JPH11288906 A JP H11288906A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＭＰの間の研磨速度における不均一を減少
し又は除去する。 【解決手段】 ＣＭＰの間の研磨速度における不均一を
改善するために、半導体ウエーハに異なった温度の範囲
を設ける。
し又は除去する。 【解決手段】 ＣＭＰの間の研磨速度における不均一を
改善するために、半導体ウエーハに異なった温度の範囲
を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に関
し、かつさらに特定すれば、半導体ウエーハの化学的機
械的な平面化の間に、半導体の異なった熱を利用する方
法及び装置に関する。
し、かつさらに特定すれば、半導体ウエーハの化学的機
械的な平面化の間に、半導体の異なった熱を利用する方
法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造において、半導体材料か
らなる薄い平らなウエーハのような部品の側面を研磨す
ることが、しばしば必要である。一般に半導体ウエーハ
は、結晶格子の損傷、引掻き傷、荒れ又は泥もしくはほ
こりのような埋め込まれた粒子のようなトポロジー又は
表面の欠陥を取り除くために、平面化された表面が生じ
るように研磨することができる。この研磨プロセスは、
しばしば機械的平面化又は化学的機械的平面化（“ＣＭ
Ｐ”）と称し、かつ半導体装置の品質と信頼性を改善す
るために利用される。ＣＭＰプロセスは、ウエーハ上に
種々の装置及び集積回路を形成する間に通常行なわれ
る。
らなる薄い平らなウエーハのような部品の側面を研磨す
ることが、しばしば必要である。一般に半導体ウエーハ
は、結晶格子の損傷、引掻き傷、荒れ又は泥もしくはほ
こりのような埋め込まれた粒子のようなトポロジー又は
表面の欠陥を取り除くために、平面化された表面が生じ
るように研磨することができる。この研磨プロセスは、
しばしば機械的平面化又は化学的機械的平面化（“ＣＭ
Ｐ”）と称し、かつ半導体装置の品質と信頼性を改善す
るために利用される。ＣＭＰプロセスは、ウエーハ上に
種々の装置及び集積回路を形成する間に通常行なわれ
る。
【０００３】一般に化学的機械的平面化プロセスは、制
御された下方への圧力を受けて、回転する湿った研磨表
面に押付けて半導体材料からなる薄い平らなウエーハを
保持することを含む。アルミナ又はシリカからなる溶液
のような研磨スラリーを、研磨剤として利用することが
できる。回転する研磨ヘッド又はウエーハキャリヤは、
制御された圧力を受けて回転研磨プラテンに押付けてウ
エーハを保持するために典型的に利用される。ウエーハ
キャリヤとウエーハとの間にバッキングフィルムが選択
的に配置される。研磨プラテンは、典型的には、膨張し
たポリウレタンのような比較的軟らかい湿ったパッド材
料によってカバーされる。
御された下方への圧力を受けて、回転する湿った研磨表
面に押付けて半導体材料からなる薄い平らなウエーハを
保持することを含む。アルミナ又はシリカからなる溶液
のような研磨スラリーを、研磨剤として利用することが
できる。回転する研磨ヘッド又はウエーハキャリヤは、
制御された圧力を受けて回転研磨プラテンに押付けてウ
エーハを保持するために典型的に利用される。ウエーハ
キャリヤとウエーハとの間にバッキングフィルムが選択
的に配置される。研磨プラテンは、典型的には、膨張し
たポリウレタンのような比較的軟らかい湿ったパッド材
料によってカバーされる。
【０００４】研磨速度の不均一は、結果として半導体ウ
エーハに不所望な不規則性を生じることがある。研磨速
度に結果として不均一を生じることがある要因の中に、
研磨スラリーの不均一な分布、平らでない状態にある研
磨パッド、及び研磨パッドへの圧力の不均一な印加があ
る。
エーハに不所望な不規則性を生じることがある。研磨速
度に結果として不均一を生じることがある要因の中に、
研磨スラリーの不均一な分布、平らでない状態にある研
磨パッド、及び研磨パッドへの圧力の不均一な印加があ
る。
【０００５】化学的機械的平面化プロセスにおいて遭遇
する特別な問題は、当該技術分野において、“荷重効果
（loading effect）”として知られている。ウエーハを
化学的機械的平面化装置の研磨プラテンにおける比較的
軟らかい研磨パッドに押付けたとき、研磨パッドは、と
くに構造の研磨速度が構造の間の範囲の研磨速度と異な
っているとき、取り除くべき構造の間の範囲内に変形す
ることがある。このことは、ウエーハに不規則な又は波
形の表面を形成することがある。一般にこの現象は、マ
イクロレベルにおいて生じ、かつとくに高密度のアプリ
ケーションにおいてウエーハに形成される集積回路に不
利な影響を及ぼす。
する特別な問題は、当該技術分野において、“荷重効果
（loading effect）”として知られている。ウエーハを
化学的機械的平面化装置の研磨プラテンにおける比較的
軟らかい研磨パッドに押付けたとき、研磨パッドは、と
くに構造の研磨速度が構造の間の範囲の研磨速度と異な
っているとき、取り除くべき構造の間の範囲内に変形す
ることがある。このことは、ウエーハに不規則な又は波
形の表面を形成することがある。一般にこの現象は、マ
イクロレベルにおいて生じ、かつとくに高密度のアプリ
ケーションにおいてウエーハに形成される集積回路に不
利な影響を及ぼす。
【０００６】荷重効果の別の例は、例えばホウリンケイ
酸塩ガラスのような誘電体材料からなる保護又は絶縁層
が基板上に形成されたトランジスタ上に堆積されている
ときに生じる。保護層の初期の順応した堆積は、トラン
ジスタの真上における尖端とトランジスタの間における
谷を有する不規則な表面を生ずる。前記のように、研磨
パッドは、保護又は誘電体層の不規則な表面に適応する
ように変形することがある。結果として研磨された表面
は、マイクロレベルにおいて波形又は不規則として現わ
れることがある。
酸塩ガラスのような誘電体材料からなる保護又は絶縁層
が基板上に形成されたトランジスタ上に堆積されている
ときに生じる。保護層の初期の順応した堆積は、トラン
ジスタの真上における尖端とトランジスタの間における
谷を有する不規則な表面を生ずる。前記のように、研磨
パッドは、保護又は誘電体層の不規則な表面に適応する
ように変形することがある。結果として研磨された表面
は、マイクロレベルにおいて波形又は不規則として現わ
れることがある。
【０００７】荷重効果は、別の状況において、化学的機
械的平面化の間にウエーハの表面に存在する形状の側面
及び底部を除去するように機能することがある。加えて
荷重効果は、ウエーハの表面にわたって局所的に又は全
体的に起こることがある。この問題は、回転する半導体
ウエーハの外周部分と内周部分との間の速度差によって
発生することがある。比較的ゆっくり動く内側部分より
も速く動く半導体ウエーハの周部分は、例えば比較的高
い速度の材料除去作用を受ける。
械的平面化の間にウエーハの表面に存在する形状の側面
及び底部を除去するように機能することがある。加えて
荷重効果は、ウエーハの表面にわたって局所的に又は全
体的に起こることがある。この問題は、回転する半導体
ウエーハの外周部分と内周部分との間の速度差によって
発生することがある。比較的ゆっくり動く内側部分より
も速く動く半導体ウエーハの周部分は、例えば比較的高
い速度の材料除去作用を受ける。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記の観点において、
半導体の製造において、化学的機械的平面化プロセスの
ために荷重効果を克服することが必要である。したがっ
て本発明の課題は、ＣＭＰの間の研磨速度における不均
一を減少し又は除去することにある。
半導体の製造において、化学的機械的平面化プロセスの
ために荷重効果を克服することが必要である。したがっ
て本発明の課題は、ＣＭＰの間の研磨速度における不均
一を減少し又は除去することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】ところで、ウエーハに異
なった温度の範囲を設けることを、半導体ウエーハを研
磨するときに起こり得る研磨の不均一な速度の問題を減
少し又は除去するために、有利に利用することができる
ことが判明した。とくにここに記載された装置は、半導
体ウエーハの第２の部分の温度に対して相対的な半導体
ウエーハの第１の部分の温度を上昇する温度調整手段を
有する。温度調整手段は、半導体ウエーハに異なった温
度の範囲を提供するために、半導体ウエーハの所望の部
分を冷却し又は加熱することができる。半導体ウエーハ
に異なった温度の範囲を提供することによって半導体ウ
エーハを研磨する方法も、ここに記載する。
なった温度の範囲を設けることを、半導体ウエーハを研
磨するときに起こり得る研磨の不均一な速度の問題を減
少し又は除去するために、有利に利用することができる
ことが判明した。とくにここに記載された装置は、半導
体ウエーハの第２の部分の温度に対して相対的な半導体
ウエーハの第１の部分の温度を上昇する温度調整手段を
有する。温度調整手段は、半導体ウエーハに異なった温
度の範囲を提供するために、半導体ウエーハの所望の部
分を冷却し又は加熱することができる。半導体ウエーハ
に異なった温度の範囲を提供することによって半導体ウ
エーハを研磨する方法も、ここに記載する。
【００１０】
【実施例】本発明は、集積回路（ＩＣ）の製造に関す
る。ＩＣは、例えばランダムアクセスメモリ（ＲＡ
Ｍ）、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡ
Ｍ）又は同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）のようなメモリＩ
Ｃを含む。ＩＣは、アプリケーション固有のＩＣ（ＡＳ
ＩＣ）、組合せＤＲＡＭ−論理回路（埋め込まれたＤＲ
ＡＭ）又はその他の論理回路のような別のタイプの回路
を含んでいてもよい。
る。ＩＣは、例えばランダムアクセスメモリ（ＲＡ
Ｍ）、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡ
Ｍ）又は同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）のようなメモリＩ
Ｃを含む。ＩＣは、アプリケーション固有のＩＣ（ＡＳ
ＩＣ）、組合せＤＲＡＭ−論理回路（埋め込まれたＤＲ
ＡＭ）又はその他の論理回路のような別のタイプの回路
を含んでいてもよい。
【００１１】典型的にはウエーハ上に、多数のＩＣが並
列に形成される。プロセスが終了した後に、ウエーハ
は、集積回路を個々のチップに分離するために裁断され
る。チップは、それからパッケージングされ、その結
果、例えばコンピュータシステム、セルラフォン、個人
用デジタルアシスタント（ＰＡＤ）及びその他の電子製
品のような消費者製品において利用される最終製品にな
る。
列に形成される。プロセスが終了した後に、ウエーハ
は、集積回路を個々のチップに分離するために裁断され
る。チップは、それからパッケージングされ、その結
果、例えばコンピュータシステム、セルラフォン、個人
用デジタルアシスタント（ＰＡＤ）及びその他の電子製
品のような消費者製品において利用される最終製品にな
る。
【００１２】ここに記載する本発明の１つの構成は、Ｃ
ＭＰを受ける半導体ウエーハ上に異なった温度の範囲を
提供することよりなる。本発明は、ウエーハの温度が研
磨速度に影響を及ぼすという発見だけではなく、温度の
変化が研磨速度における所望の変化を改善されたＣＭＰ
均一度における現実的な値にすることができるスケール
で、水中において達成することができるという発見にも
基づいている。
ＭＰを受ける半導体ウエーハ上に異なった温度の範囲を
提供することよりなる。本発明は、ウエーハの温度が研
磨速度に影響を及ぼすという発見だけではなく、温度の
変化が研磨速度における所望の変化を改善されたＣＭＰ
均一度における現実的な値にすることができるスケール
で、水中において達成することができるという発見にも
基づいている。
【００１３】図１に示すように、化学的機械的研磨装置
は、ウエーハ１０を保持するためにウエーハキャリヤ１
５を有する。モータ１７は、キャリヤ１５を回転させる
ために利用することができる。研磨パッド３５を有する
研磨プラテン３０は、モータ３７によって回転させるこ
とができる。研磨スラリーは、導管４０を介して研磨パ
ッド３５に供給することができる。ウエーハ１０は、有
利には一定の圧力で、研磨パッド３５に押付けられてい
る。スラリーの組成、回転速度及び利用すべき圧力値
は、当該技術分野の専門家の範囲内にある。
は、ウエーハ１０を保持するためにウエーハキャリヤ１
５を有する。モータ１７は、キャリヤ１５を回転させる
ために利用することができる。研磨パッド３５を有する
研磨プラテン３０は、モータ３７によって回転させるこ
とができる。研磨スラリーは、導管４０を介して研磨パ
ッド３５に供給することができる。ウエーハ１０は、有
利には一定の圧力で、研磨パッド３５に押付けられてい
る。スラリーの組成、回転速度及び利用すべき圧力値
は、当該技術分野の専門家の範囲内にある。
【００１４】ここに記載された新規発明を実施するため
に、温度制御器によりウエーハキャリヤ１５の一部に加
熱又は冷却が適用される。ウエーハキャリヤの一部に加
熱が適用される場合、ウエーハキャリヤの物理的な拘束
に適応することができ、かつ加熱の程度を注意深く制御
することができるならば、あらゆるタイプの通常のヒー
タを利用することができる。したがって加熱は、例えば
抵抗ヒータ、誘導ヒータ又は放射ヒータによって、又は
高エネルギー（例えばレーザ）又はＲＦエネルギーにさ
らすことによって、又はガス、液体又は両方を含む加熱
流体にキャリヤを接触することによって、かつ熱電加熱
によって、達成することができる。図２に示すように、
抵抗加熱線材を含む環状のテープ１８、１９を、局所的
な加熱を提供するためにキャリヤ１５の後側１６に取付
けることができる。
に、温度制御器によりウエーハキャリヤ１５の一部に加
熱又は冷却が適用される。ウエーハキャリヤの一部に加
熱が適用される場合、ウエーハキャリヤの物理的な拘束
に適応することができ、かつ加熱の程度を注意深く制御
することができるならば、あらゆるタイプの通常のヒー
タを利用することができる。したがって加熱は、例えば
抵抗ヒータ、誘導ヒータ又は放射ヒータによって、又は
高エネルギー（例えばレーザ）又はＲＦエネルギーにさ
らすことによって、又はガス、液体又は両方を含む加熱
流体にキャリヤを接触することによって、かつ熱電加熱
によって、達成することができる。図２に示すように、
抵抗加熱線材を含む環状のテープ１８、１９を、局所的
な加熱を提供するためにキャリヤ１５の後側１６に取付
けることができる。
【００１５】図３からもっとも良好に明らかなように、
ヒータテープ１８、１９を活性化すると、熱は、ウエー
ハキャリヤ１５を通って伝導し、かつウエーハ１０に異
なった加熱を行う。したがって例えばウエーハ１０の部
分１０ａは、加熱テープ１９によって影響を受ける隣接
する部分１０ｂよりも冷たい。同様にウエーハ１０の部
分１０ｂは、実質的にどちらの加熱要素１８、１９の影
響を受けない隣接する部分１０ｃと比較して比較的熱
い。加熱テープ１８の効果のために部分１０ｂは、部分
１０ｃ又は１０ｅよりも比較的高い温度に維持される。
ヒータテープ１８、１９を活性化すると、熱は、ウエー
ハキャリヤ１５を通って伝導し、かつウエーハ１０に異
なった加熱を行う。したがって例えばウエーハ１０の部
分１０ａは、加熱テープ１９によって影響を受ける隣接
する部分１０ｂよりも冷たい。同様にウエーハ１０の部
分１０ｂは、実質的にどちらの加熱要素１８、１９の影
響を受けない隣接する部分１０ｃと比較して比較的熱
い。加熱テープ１８の効果のために部分１０ｂは、部分
１０ｃ又は１０ｅよりも比較的高い温度に維持される。
【００１６】要素１８、１９の熱容量が同じである必要
はないことは、明らかである。
はないことは、明らかである。
【００１７】それどころか部分１０ｂ及び１０ｄは、異
なった熱出力を有するヒータを利用することによって異
なった温度に加熱することができる。さらにキャリヤ１
５の選択部分の加熱の代わりに、温度制御器がウエーハ
の一部を冷却するために利用できることが考えられる。
冷却要素は、キャリヤの範囲を冷却しかつそれによりウ
エーハ１０の一部を冷却するために前記の加熱要素と実
質的に同様に利用することができる。例えば熱電冷却の
ようなあらゆる通常の冷却機構を利用することができ
る。しかしながら有利な冷却機構は、直接又は１つ又は
複数の導管（図示せず）において冷却流体にキャリヤ１
５の後側１６を接触することにある。さらに別の構成に
おいて、ウエーハ１０の一部は加熱を受けるが、一方別
の部分は、同時に温度調整制御器によって冷却を受け
る。
なった熱出力を有するヒータを利用することによって異
なった温度に加熱することができる。さらにキャリヤ１
５の選択部分の加熱の代わりに、温度制御器がウエーハ
の一部を冷却するために利用できることが考えられる。
冷却要素は、キャリヤの範囲を冷却しかつそれによりウ
エーハ１０の一部を冷却するために前記の加熱要素と実
質的に同様に利用することができる。例えば熱電冷却の
ようなあらゆる通常の冷却機構を利用することができ
る。しかしながら有利な冷却機構は、直接又は１つ又は
複数の導管（図示せず）において冷却流体にキャリヤ１
５の後側１６を接触することにある。さらに別の構成に
おいて、ウエーハ１０の一部は加熱を受けるが、一方別
の部分は、同時に温度調整制御器によって冷却を受け
る。
【００１８】図４に示すさらに別の構成において、均一
な加熱又は冷却がウエーハキャリヤ１５に適用され、か
つ熱伝達勾配を有するバッキングフィルム１２０を、ウ
エーハ１１０とウエーハキャリヤ１１５の間に挿入する
ことができる。適当なバッキングフィルム１２０は、比
較的高い熱伝達の少なくとも１つの範囲、及び低い熱伝
達の少なくとも１つの範囲を含む。このような熱伝達勾
配をバッキングフィルムに設けることによって、さらに
高度な研磨均一性を達成することができる。熱伝達勾配
は、なんらかの複数の方法においてバッキングフィルム
に与えることができる。例えばバッキングフィルムを合
成ポリマー材料から作る場合、ポリマーの特性（例えば
結晶性、密度等）又は組成を、バッキングフィルムの種
々の範囲において変化することができる。その代わりに
熱伝達勾配は、バッキングフィルムの種々の部分におい
て多孔性の種々の程度を設けることによって達成するこ
とができる。さらに別の構成において、熱伝達勾配は、
バッキングフィルムの所定の範囲に高い熱伝達係数を有
する一層多くの粒子充填剤をかつ異なった範囲に一層わ
ずかな充填剤を加えることによって、バッキングフィル
ム内において生ぜしめることができる。
な加熱又は冷却がウエーハキャリヤ１５に適用され、か
つ熱伝達勾配を有するバッキングフィルム１２０を、ウ
エーハ１１０とウエーハキャリヤ１１５の間に挿入する
ことができる。適当なバッキングフィルム１２０は、比
較的高い熱伝達の少なくとも１つの範囲、及び低い熱伝
達の少なくとも１つの範囲を含む。このような熱伝達勾
配をバッキングフィルムに設けることによって、さらに
高度な研磨均一性を達成することができる。熱伝達勾配
は、なんらかの複数の方法においてバッキングフィルム
に与えることができる。例えばバッキングフィルムを合
成ポリマー材料から作る場合、ポリマーの特性（例えば
結晶性、密度等）又は組成を、バッキングフィルムの種
々の範囲において変化することができる。その代わりに
熱伝達勾配は、バッキングフィルムの種々の部分におい
て多孔性の種々の程度を設けることによって達成するこ
とができる。さらに別の構成において、熱伝達勾配は、
バッキングフィルムの所定の範囲に高い熱伝達係数を有
する一層多くの粒子充填剤をかつ異なった範囲に一層わ
ずかな充填剤を加えることによって、バッキングフィル
ム内において生ぜしめることができる。
【００１９】既述ように、研磨速度における不均一は、
研磨工具及び基板によって構成される。しかしながらウ
エーハの異なった領域における温度を制御する能力は、
ユーザが異なった領域において研磨速度を調節して、結
果としてウエーハにわたってさらに均一な研磨速度を達
成することを可能にする。例えば遅い研磨速度を有する
ウエーハのこれらの領域は、ここにおける研磨速度を増
加するためにさらに高い温度に加熱される。典型的には
ウエーハのエッジは、ウエーハの中心よりも高い研磨速
度を有する。このようにしてウエーハの中心は、エッジ
のものと等しくなるように、その研磨速度を増加するた
めに加熱される。その代わりに遅い研磨速度を有するこ
れらの領域の加熱とそれより高い研磨速度を有するこれ
らの領域の冷却とを組合わせることも、ウエーハにわた
ってさらに均一な研磨速度を提供することについて有効
である。
研磨工具及び基板によって構成される。しかしながらウ
エーハの異なった領域における温度を制御する能力は、
ユーザが異なった領域において研磨速度を調節して、結
果としてウエーハにわたってさらに均一な研磨速度を達
成することを可能にする。例えば遅い研磨速度を有する
ウエーハのこれらの領域は、ここにおける研磨速度を増
加するためにさらに高い温度に加熱される。典型的には
ウエーハのエッジは、ウエーハの中心よりも高い研磨速
度を有する。このようにしてウエーハの中心は、エッジ
のものと等しくなるように、その研磨速度を増加するた
めに加熱される。その代わりに遅い研磨速度を有するこ
れらの領域の加熱とそれより高い研磨速度を有するこれ
らの領域の冷却とを組合わせることも、ウエーハにわた
ってさらに均一な研磨速度を提供することについて有効
である。
【００２０】ＣＭＰの間に利用される温度は、半導体ウ
エーハに含まれる材料、ウエーハの直径及び厚さ、利用
されたスラリーの性質と量、及びウエーハキャリヤと研
磨プレートが回転する速度を含む多数の要因に依存す
る。しかしながら通常ウエーハの一部は、３０〜８０°
Ｃの範囲の温度に加熱することができ、又は２０〜−２
０°Ｃの範囲の温度に冷却することができる。有利には
ウエーハの熱い部分とウエーハの冷たい部分との間の差
は、１〜４０°Ｃの範囲内にある。追加的に温度差は、
ウエーハの熱い部分と冷たい部分の境界を適当に決定
し、かつそれにより隣接する部分の研磨速度を厳密に制
御するために、十分に細かいスケールで提供することが
できる。このようにして種々の構成及び／又は組成のウ
エーハに対して慣用の方法で、均一な研磨速度を達成す
ることができる。
エーハに含まれる材料、ウエーハの直径及び厚さ、利用
されたスラリーの性質と量、及びウエーハキャリヤと研
磨プレートが回転する速度を含む多数の要因に依存す
る。しかしながら通常ウエーハの一部は、３０〜８０°
Ｃの範囲の温度に加熱することができ、又は２０〜−２
０°Ｃの範囲の温度に冷却することができる。有利には
ウエーハの熱い部分とウエーハの冷たい部分との間の差
は、１〜４０°Ｃの範囲内にある。追加的に温度差は、
ウエーハの熱い部分と冷たい部分の境界を適当に決定
し、かつそれにより隣接する部分の研磨速度を厳密に制
御するために、十分に細かいスケールで提供することが
できる。このようにして種々の構成及び／又は組成のウ
エーハに対して慣用の方法で、均一な研磨速度を達成す
ることができる。
【００２１】ある程度の特殊性によって本発明を説明し
たが、ここにおいて多くの変更及び変形が可能であり、
かつ前記の説明を読んだ後に、当該技術分野の専門家に
は明らかであろう。例えばここに記載した構成は、環状
の加熱要素１８、１９を例示したが、一方どのような幾
何学的構造を利用した構成も想像することができる。そ
れ故に本発明が、その精神及び権利範囲から外れること
なく、ここに特定して説明したものとは異なった方法で
実施できることは、明らかである。
たが、ここにおいて多くの変更及び変形が可能であり、
かつ前記の説明を読んだ後に、当該技術分野の専門家に
は明らかであろう。例えばここに記載した構成は、環状
の加熱要素１８、１９を例示したが、一方どのような幾
何学的構造を利用した構成も想像することができる。そ
れ故に本発明が、その精神及び権利範囲から外れること
なく、ここに特定して説明したものとは異なった方法で
実施できることは、明らかである。
【図１】本発明による研磨装置の略図である。
【図２】本発明によるＣＭＰプロセスにおいて有用なウ
エーハキャリヤの構成の後側を示す略図である。
エーハキャリヤの構成の後側を示す略図である。
【図３】図２のウエーハキャリヤの概略的な横断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明による研磨装置の代案構成を示す図であ
る。
る。
１０ ウエーハ、 １５ ウエーハキャリヤ、 １７
モータ、 １８ 加熱要素、 １９ 加熱要素、 ３０
研磨プラテン、 ３５ 研磨パッド、 ３７モータ、
４０ 導管
モータ、 １８ 加熱要素、 １９ 加熱要素、 ３０
研磨プラテン、 ３５ 研磨パッド、 ３７モータ、
４０ 導管
フロントページの続き (72)発明者 マイケル エル ワイズ アメリカ合衆国 ニューヨーク ポーキー プシー スワン レーン 137 (72)発明者 ジェレミー ケイ スティーヴンス アメリカ合衆国 ニューヨーク ワッピン ガーズ フォールズ ナンバー ３ ファ ルトン ストリート ２ (72)発明者 サリ ジー ヘッジ アメリカ合衆国 ニューヨーク ホロウヴ ィル ボックス シー−30 ルート 23
Claims (18)
- 【請求項１】 第１の部分及び第２の部分を有するウエ
ーハを準備し、その際第１の部分が第２の部分より高い
温度にあり、かつウエーハを回転研磨パッドに接触させ
ることを特徴とする、半導体ウエーハを研磨する方法。 - 【請求項２】 ウエーハを準備するステップがウエーハ
キャリヤ内にウエーハを保持し、かつウエーハキャリヤ
の一部を加熱することよりなる、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 ウエーハを準備するステップがウエーハ
キャリヤ内にウエーハを保持し、かつウエーハキャリヤ
の一部を冷却することよりなる、請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 ウエーハを準備するステップがウエーハ
キャリヤ内にウエーハを保持し、かつウエーハキャリヤ
の第１の部分を加熱するが、一方同時にウエーハキャリ
ヤの第２の部分を冷却することよりなる、請求項１記載
の方法。 - 【請求項５】 ウエーハを準備するステップがウエーハ
キャリヤの一部を冷却液に接触させることよりなる、請
求項３記載の方法。 - 【請求項６】 ウエーハを準備するステップがウエーハ
キャリヤの一部にレーザエネルギーを向けることよりな
る、請求項２記載の方法。 - 【請求項７】 ウエーハを準備するステップが、ウエー
ハとウエーハキャリヤとの間にバキングフィルムを挿入
することよりなり、バッキングフィルムが第１の部分と
第２の部分を有し、第１の部分が第２の部分のものとは
相違した熱伝導率を有し、かつウエーハキャリヤの温度
を調整する、請求項２記載の方法。 - 【請求項８】 ウエーハキャリヤの温度を調整するステ
ップがウエーハキャリヤを加熱することよりなる、請求
項７記載の方法。 - 【請求項９】 第１の部分が円形の形をしており、かつ
第２の部分が第１の部分の外側の周囲に配置されてい
る、請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 第２の部分が円形の形をしており、か
つ第１の部分が第２の部分の外側の周囲に配置されてい
る、請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 半導体ウエーハを保持するように構成
されたウエーハキャリヤ、ウエーハキャリヤによって保
持されるウエーハが第１の温度の第１の部分、及び第１
の温度より低い第２の温度の第２の部分を有するしよう
にウエーハキャリヤの一部の温度を変更する温度調整制
御器、及びウエーハキャリヤによって保持されるウエー
ハに接触するように配置された回転研磨パッドからなる
ことを特徴とする、半導体ウエーハを研磨する装置。 - 【請求項１２】 温度調整制御器がウエーハキャリヤの
一部を加熱する、請求項１１記載の装置。 - 【請求項１３】 温度調整制御器が抵抗ヒータを含む、
請求項１２記載の装置。 - 【請求項１４】 温度調整制御器がウエーハの一部を冷
却する、請求項１１記載の装置。 - 【請求項１５】 第１の熱伝達係数を有する第１の部
分、及び第２の熱伝達係数を有する第２の部分からな
り、その際、第１の熱伝達係数が第２の熱伝達係数より
も大きいことを特徴とする、半導体ウエーハを研磨する
バッキングフィルム。 - 【請求項１６】 少なくとも第２の部分が粒子充填剤を
含む、請求項１５記載のバッキングフィルム。 - 【請求項１７】 少なくとも第１の部分が細孔を含む、
請求項１５記載のバッキングフィルム。 - 【請求項１８】 研磨プロセスを含み、該研磨プロセス
は、少なくとも第１及び第２の部分を含む半導体ウエー
ハを準備し、その際、第１の部分は第２の部分よりも遅
い研磨速度を有し、かつほぼ第２の部分の研磨速度にま
で第１の部分の研磨速度を高めるために、第１の部分の
温度を上昇させることよりなることを特徴とする、集積
回路を製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/036478 | 1998-03-06 | ||
| US09/036,478 US6020262A (en) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | Methods and apparatus for chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288906A true JPH11288906A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=21888813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11059235A Pending JPH11288906A (ja) | 1998-03-06 | 1999-03-05 | 半導体ウエ―ハを研磨する方法、装置及びバッキングフィルム及び集積回路を製造する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6020262A (ja) |
| EP (1) | EP0940222A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11288906A (ja) |
| KR (1) | KR100604035B1 (ja) |
| CN (1) | CN1203528C (ja) |
| TW (1) | TW393376B (ja) |
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- 1999-03-05 JP JP11059235A patent/JPH11288906A/ja active Pending
- 1999-03-05 KR KR1019990007213A patent/KR100604035B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-03-05 CN CNB991020944A patent/CN1203528C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-13 TW TW088103060A patent/TW393376B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-06-14 US US09/333,228 patent/US6379222B2/en not_active Expired - Lifetime
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