KR960030355A - 전계효과에 의해 제어가능한 반도체 소자를 정전 방전으로부터 보호하기 위한 장치 - Google Patents

전계효과에 의해 제어가능한 반도체 소자를 정전 방전으로부터 보호하기 위한 장치 Download PDF

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알베르트 발도르프, 롤프 옴케
지멘스 악티엔게젤샤프트
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Abstract

MOSFET(1)의 조작시 정전 방전으로부터 보호하기 위해, 바이폴라 트랜지스터(2)의 에미터-콜렉터 구간이 MOSFET의 게이트 단자(G)와 드레인 단자(D)사이에 접속된다. 따라서 조작시 발생하는 정전하가 바이폴라 트랜지스터를 통해 흐를 수 있다.

Description

전계효과에 의해 제어가능한 반도체 소자를 정전 방전으로부터 보호하기 위한 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 나타낸 회로도.

Claims (5)

  1. 게이트 단자에 접속된 전압 제한 보호 소자로, 전계효과에 의해 제어가능한 반도체 소자를 정전 방전으로부터 보호하기 위한 장치에 있어서, 반도체 소자가 집적 바이폴라 트랜지스터(2)이고, 그것의 콜렉터-에미터구간이 전계효과에 의해 제어가능한 반도체 소자(1)의 드레인 단자(D)게이트 단자(G) 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 전계효과에 의해 제어가능한 반도체 소자를 정전 방전으로부터 보호하기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 바이폴라 트랜지스터(2)의 베이스 단자가 저항(3)을 통해 반도체 소자의 소오스 단자(S)접속되는 것을 특징으로 하는 전계효과에 의해 제어가능한 반도체 소자를 정전 방전으로부터 보호화기 위한 장치.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 바이폴라 트랜지스터(2) 및 반도체 소자가 단일 반도체 몸체에 집적되는 것을 특징으로 하는 전계효과에 의해 제어가능한 반도체 소자를 정전방전으로부터 보호화기 위한 장치.
  4. 제3항에 있어서, 바이폴라 트랜지스터(2)가 반도체 소자의 드레인 구역(19)내로 주입된, 드레인 구역과 반대 도전형의 베이스 구역(5)를 가지며, 바이폴라 트랜지스터의 에미터 구역(6)이 베이스 구역(15)내로 주입되는 것을 특징으로 하는 전계효과에 의해 제어가능한 반도체 소자를 정전 방전으로부터 보호하기 위한 장치.
  5. 제4항에 있어서, 바이폴라 트랜지스터(2)의 베이스 구역(5)이 MOSFET의 베이스 구역과 동일한 도핑 및 깊이를 가지며, 바이폴라 트랜지스터의 에미터 구역(6)이 반도체 소자(1)의 소오스 구역(14)과 동일한 도핑 및 깊이를 갖은 것을 특징으로 하는 전계효과에 의해 제어가능한 반도체 소자를 정전 방전으로부터 보호화기 위한 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960001477A 1995-01-24 1996-01-24 전계효과에의해제어가능한반도체소자를정전방전으로부터보호하기위한장치 KR100373880B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6448587B1 (en) 1997-11-28 2002-09-10 Hitachi, Ltd. Circuit incorporated IGBT and power conversion device using the same
KR100301068B1 (ko) * 1999-08-31 2001-11-01 윤종용 저 전력 소모형 버스 구동장치 및 방법
KR100795328B1 (ko) 2006-11-30 2008-01-21 삼성전자주식회사 정전기 방전 특성을 고려한 전계효과 트랜지스터의 모델링회로
JP4930904B2 (ja) * 2007-09-07 2012-05-16 サンケン電気株式会社 電気回路のスイッチング装置
JP4697242B2 (ja) * 2008-02-21 2011-06-08 セイコーエプソン株式会社 半導体装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH081956B2 (ja) * 1987-11-06 1996-01-10 日産自動車株式会社 保護機能を備えた縦型ｍｏｓｆｅｔ
JPH061802B2 (ja) * 1989-03-14 1994-01-05 株式会社東芝 半導体装置
DE69325645T2 (de) * 1993-04-21 1999-12-09 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania Integrierte Schutzschaltungsstruktur zum Schutz von logischen MOS-Leistungshalbleitenbauelementen von elektrostatischen Entladungen

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