KR960019604A - 다결정 반도체박막의 작성방법 - Google Patents
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Abstract
레이저어닐에 의하여 균일한 다결정 반도체박막을 작성하는 방법에 관한 것으로, 열전율이 비교적 낮고 또한 20㎚ 이상의 두께의 절연층을 가지는 기판을 준비한다. 다음에, 열전도율이 비교적 높은 비정질 실리콘 박막을 35㎚ 이하의 두께로 절연층의 위에 형성한다. 이 후, 비정질 실리콘박막에 레이저광을 조사(照射)하여 열에너지를 가하여 다결정 실리콘박막으로 전환한다. 비정질 실리콘박막의 두께를 35㎚ 이하로 함으로써, 균일한 입경을 가지는 다결정 실리콘의 성장을 가능하게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 결정화 메카니즘의 일예를 나타낸 모식도.
Claims (15)
- 열전도율이 비교적 낮고 또한 20㎚ 이상의 두께의 절연층을 준비하고, 열전도율이 비교적 높은 비정질 반도체박막을 35㎚ 이하의 두께로 이 절연층의 위에 형성하고, 이 비정질 반도체박막에 레이저광을 조사(照射)하여 이 비정질 반도체박막을 다결정 반도체박막으로 전환하는 레이저어닐을 행하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 반도체박막의 작성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층은 절연기판인 것을 특징으로 하는 다결정 반도체박막의 작성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층은 절연기판의 위에 성막된 절연막인 것을 특징으로 하는 다결정 반도체박막의 작성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질 반도체박막은 비정질 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 반도체박막의 작성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층은 산화실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 반도체박막의 작성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질 반도체박막의 형성공정은 플라즈마 CVD 또는 저압 CVD에 의하여 행하여지는 것을 특징으로 하는 다결정 반도체박막의 작성방법.
- 열전율이 비교적 낮고 또한 20㎚ 이상의 두께의 절연층을 준비하고, 열전도율이 비교적 높은 비정질 반도체박막을 35㎚ 이하의 두께로 이 절연층의 위에 형성하고, 이 비정질 반도체박막에 레이저광을 조사하여 이 비정질 반도체박막을 다결정 반도체박막으로 전환하는 레이저어닐을 행하고, 이 다결정 반도체박막을 TFT의 소자영역으로 하여 TFT를 집적형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막반도체장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 절연층은 절연기판인 것을 특징으로 하는 박막반도체장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 절연층은 절연기판의 위에 성막된 절연막인 것을 특징으로 하는 박막반도체장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 레이저어닐은 레이저광의 원숏에 의하여 행하여지는 것을 특징으로 하는 박막반도체장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 레이저어닐은 상기 레이저광을 주사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막반도체장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 비정질 반도체박막은 비정질 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막반도체장치의 제조방법.
- 저열전도성이고 또한 20㎚ 이상의 두께의 절연층을 가지는 제1의 기판을 준비하고, 고열전도성의 비정질 반도체박막을 35㎚ 이항의 두께로 이 제1의 기판의 위에 형성하고, 이 비정질 반도체박막에 레이저광을 조사하여 이 비정질 반도체박막을 다결정 반도체박막으로 전환하고, 이 다결정 반도체박막을 TFT의 소자영역으로 하여 TFT를 집적형성하고, 화소전극을 개개의 TFT에 접속하여 화소전극을 집접형성하고, 대향전극이 형성된 제2의 기판을 준비하고, 이 제2의 기판을 소정의 간극을 통하여 이 제1의 기판에 접합하고, 이 간극에 액정을 봉입하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 비정질 반도체박막은 비정질 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 비정질 반도체박막에 레이저광을 조사하는 공정은 레이저광의 원숏에 의하여 행하여지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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