KR960019577A - 저온산화막(lto) 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조방법 - Google Patents
저온산화막(lto) 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960019577A KR960019577A KR1019940031024A KR19940031024A KR960019577A KR 960019577 A KR960019577 A KR 960019577A KR 1019940031024 A KR1019940031024 A KR 1019940031024A KR 19940031024 A KR19940031024 A KR 19940031024A KR 960019577 A KR960019577 A KR 960019577A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- oxide film
- lto
- spacer
- semiconductor substrate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
LTO막 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조공정은 1) 반도체 기판 상부에 완충용 산화막과 질화막을 형성하고, 2) 상기 질화막 상부에 감광막을 코팅한 후 패터닝하고, 3) 패터닝된 상기 감광막을 마스크로 하여 하부의 질화막 및 완충용 산화막의 소정부분을 식각하고, 4) 상기 질화막 및 완충용 산화막이 형성된 반도체 기판 전표면 상에 LTO막을 형성하고, 5) 상기 LTO막을 건식식각하여 완충용 산화막과 질화막 측벽에 LTO 스페이서를 형성하고, 6) 상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상부쪽으로부터 반도체 기판 내의 소정 부분에 이온주입 영역을 형성하고, 7) 상기 이온주입 영역을 열처리하여 소자 격리 영역을 형성한 뒤 상기 격리 영역 상부에 산화막을 형성하고, 8) 상기 질화막과 LTO 스페이서 및 산화막을 제거한 후 소자 격리 영역이 형성된 상기 반도체 기판 상에 절연 산화막을 형성하는 공정으로 이루어진다.
그 결과 LTO막의 두께 조절로 LTO 스페이서의 간격 조절이 이루어지게 되므로 소자분리 영역의 간격조절이 가능하다는 잇점을 가지게 되며, 또한 종래 빈번히 발생되던 버즈 비크(bird′s beak) 현상을 제거할 수 있게 되어 반도체 소자의 특성을 향상시킨 고신뢰성의 필드 산화막을 실현할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2F도는 본 발명 따른 저온 산화막 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조공정을 도시한 단면도이다.
Claims (4)
- 소자분리용 필드 산화막 제조공정에 있어서, 반도체 기판 상부에 완충용 산화막과 질화막을 형성하는 제1공정과; 상기 질화막 상부에 감광막을 코팅한 후 패터닝하는 제2공정과; 패터닝된 상기 감광막을 마스크로 하여 하부의 질화막 및 완충용 산화막의 소정부분을 식각하는 제3공정과; 상기 질화막 및 완충용 산화막이 형성된 반도체 기판 전표면 상에 LTO막을 형성하는 제4공정과; 상기 LTO막을 건식식각하여 완충용 산화막 질화막 측벽에 LTO 스페이서를 형성하는 제5공정과; 상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상부쪽으로부터 반도체 기판 내의 소정 부분에 이온주입 영역을 형성하는 제6공정과; 상기 이온주입 영역을 열처리하여 소자 격리 영역을 형성하고 상기 격리 영역 상부에 산화막을 형성하는 제7공정과; 상기 공정 후 상기 질화막과 LTO 스페이서 및 산화막을 제거하고 소자 격리 영역이 형성된 상기 반도체 기판 상에 절연 산화막을 형성하는 제8공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 LTO막 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 LTO막은 500 내지 2000Å의 범위 내에서 형성됨을 특징으로 하는 LTO막 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 LTO막은 350 내지 500Å의 범위에서 형성됨을 특징으로 하는 LTO막 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막 및 LTO 스페이서는 BOE(HF+NH4F)용액으로 제거됨을 것을 특징으로 하는 LTO막 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940031024A KR960019577A (ko) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 저온산화막(lto) 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940031024A KR960019577A (ko) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 저온산화막(lto) 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960019577A true KR960019577A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66648722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940031024A KR960019577A (ko) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 저온산화막(lto) 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960019577A (ko) |
-
1994
- 1994-11-24 KR KR1019940031024A patent/KR960019577A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960019577A (ko) | 저온산화막(lto) 스페이서를 이용한 필드 산화막 제조방법 | |
| KR910010644A (ko) | 콘택홀의 패턴 형성 방법 | |
| KR980006032A (ko) | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 | |
| KR960005936A (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 | |
| KR970017208A (ko) | 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법 | |
| KR970053372A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| JPS5735340A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR980005303A (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
| KR960026578A (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 | |
| KR970052317A (ko) | 반도체 장치의 미세 접촉창 형성 방법 | |
| KR970053375A (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법 | |
| KR970053400A (ko) | 반도체 소자 격리형성 방법 | |
| KR960026351A (ko) | 스페이서절연층 형성방법 | |
| KR970023809A (ko) | 미세 접촉창 형성방법 | |
| KR950001945A (ko) | 필드산화막 형성방법 | |
| KR950021063A (ko) | 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상방법 | |
| KR940016679A (ko) | 반도체 소자의 싱글웰 형성과 격리 방법 | |
| KR970008479A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 | |
| KR970030643A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR970054532A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR940001347A (ko) | Locos 제조방법 | |
| KR970053419A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR960026557A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR920015602A (ko) | 모스소자의 격리 방법 | |
| KR970052224A (ko) | 반도체 장치의 접촉장 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |