KR940001347A - Locos 제조방법 - Google Patents

Locos 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940001347A
KR940001347A KR1019920009870A KR920009870A KR940001347A KR 940001347 A KR940001347 A KR 940001347A KR 1019920009870 A KR1019920009870 A KR 1019920009870A KR 920009870 A KR920009870 A KR 920009870A KR 940001347 A KR940001347 A KR 940001347A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nitride film
forming
oxide film
film
nitride
Prior art date
Application number
KR1019920009870A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960000381B1 (ko
Inventor
손희창
박대일
김원길
박상훈
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019920009870A priority Critical patent/KR960000381B1/ko
Publication of KR940001347A publication Critical patent/KR940001347A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960000381B1 publication Critical patent/KR960000381B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)

Abstract

반도체 소자의 제조공정에서, 질화막 스페이서를 이용하여 반도체기판내에 산소를 이온주입시킨 후, 열처리공정을 진행시킴으로써, 소자특성에 나쁜 영향을 주는 버즈디크(Bird's Beak)발생을 방지할 수 있다.

Description

LOCOS 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 본 발명의 LOCOS 제조방법에 따라 반도체 기판 상부에 완충용 산화막과 질화막을 형성한후, 소정부분 식각하여 개구를 형성하는 단계를 나타내는 반도체 소자의 단면도.
제2b도는 제2a도의 공정이 완료된 후, 건식식각으로 완충용 산화막과 질화막 측벽에 질화막 스페이서를 형성하는 단계를 나타내는 반도체 소자의 단면도.
제2c도는 제2b도의 공정이 완료된 후 반도체 기판 소정영역에 이온주입 영역을 형성하는 단계를 나타내는 반도체 소자의 단면도.
제2d도는 제2c도의 공정이 완료된 후 열처리 공정을 거쳐, 격리영역과 그 상부에 얇은 산화막을 형성하는 단계를 나타내는 반도체 소자의 단면도.
제2e도는 질화막과 질화막 스페이서 및 완충용 산화막을 제거하여, 소자분리용 필드 산화막을 형성하는 단계를 나타내는 반도체 소자의 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 기판(1) 상부에 완충용 산화막(3)과 질화막(5)을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 질화막(5) 상부에 포토레지스트층을 코팅시킨후 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 이용하여 하부의 완충용 산화막(3)과 질화막(5)을 소정부분 식각하는 단계와, 상기 질화막(5) 상부에 다시 질화막을 중착시킨후, 건식식각으로 상기 완충용 산화막(3)과 질화막(5) 측벽에 질화막 스페이서(7)를 형성하는 단계와, 반도체 기판(1) 상부로부터 반도체 기판(1)내의 소정부분에 이온주입 영역 (9)을 형성하는 단계와, 상기 이온주입 영역(9)을 산화로에서 열처리하여 격리영역(11)을 형성하며, 그 상부에 얇은 산화막(13)을 형성하는 단계와, 상기 질화막(5), 질화막 스페이서(7) 및 완충용 산화막(3)을 제거하여 소자분리용 필드 산화막(15)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LOCOS 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 질화막 스페이서 (7)를 형성하기 위해 상부에 중착되는 질화막의 두께는 500Å내지 2000Å인 것을 특징으로 하는 LOCOS 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 격리영역(11) 상부에 형성되는 산화막(3)의 두께는 100내지 1500Å인 것을 특징으로 하는 LOCOS 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 이온주입 공정에 사용되는 원소는 산소인 것을 특징으로 하는 LOCOS 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920009870A 1992-06-08 1992-06-08 반도체소자의 필드산화막 형성방법 KR960000381B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920009870A KR960000381B1 (ko) 1992-06-08 1992-06-08 반도체소자의 필드산화막 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920009870A KR960000381B1 (ko) 1992-06-08 1992-06-08 반도체소자의 필드산화막 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940001347A true KR940001347A (ko) 1994-01-11
KR960000381B1 KR960000381B1 (ko) 1996-01-05

Family

ID=19334314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920009870A KR960000381B1 (ko) 1992-06-08 1992-06-08 반도체소자의 필드산화막 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960000381B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR960000381B1 (ko) 1996-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950008698B1 (ko) 반도체소자의 필드산화막 형성방법
JPH05206115A (ja) 酸化物分離領域の製造方法
JPS6228578B2 (ko)
KR940001347A (ko) Locos 제조방법
JPS63110658A (ja) 半導体装置の製造方法
US6194288B1 (en) Implant N2 into a pad oxide film to mask the active region and grow field oxide without Si3N4 film
KR0143579B1 (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR930001556B1 (ko) 반도체 소자의 격리산화막 형성방법
JPS6213047A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100209226B1 (ko) 소자분리를 위한 반도체 장치 제조방법
KR100192540B1 (ko) 반도체 소자의 격리영역 형성방법
KR100253344B1 (ko) 반도체 메모리의 콘택홀 형성방법
KR100227189B1 (ko) 반도체장치의 소자분리방법
KR930008645B1 (ko) 반도체 소자 격리방법
KR100379503B1 (ko) 산화막형성방법
KR0124637B1 (ko) 반도체소자의 격리막 형성방법
KR940011745B1 (ko) 반도체 장치의 소자분리방법
KR0124643B1 (ko) 반도체소자의 격리막 형성방법
KR0144252B1 (ko) 반도체 소자의 격리막 형성방법
JPH0228929A (ja) 多結晶シリコンの乾式エッチングを利用したｌｏｃｏｓ方法
KR100188002B1 (ko) 반도체 소자 제조방법
KR0147427B1 (ko) 미세 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법
KR100444315B1 (ko) 반도체소자의소자분리막형성방법
JPH04240748A (ja) 半導体装置の製造方法
KR0179023B1 (ko) 모스소자의 격리방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20041220

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee