KR940001347A - Locos 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 소자의 제조공정에서, 질화막 스페이서를 이용하여 반도체기판내에 산소를 이온주입시킨 후, 열처리공정을 진행시킴으로써, 소자특성에 나쁜 영향을 주는 버즈디크(Bird's Beak)발생을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 본 발명의 LOCOS 제조방법에 따라 반도체 기판 상부에 완충용 산화막과 질화막을 형성한후, 소정부분 식각하여 개구를 형성하는 단계를 나타내는 반도체 소자의 단면도.
제2b도는 제2a도의 공정이 완료된 후, 건식식각으로 완충용 산화막과 질화막 측벽에 질화막 스페이서를 형성하는 단계를 나타내는 반도체 소자의 단면도.
제2c도는 제2b도의 공정이 완료된 후 반도체 기판 소정영역에 이온주입 영역을 형성하는 단계를 나타내는 반도체 소자의 단면도.
제2d도는 제2c도의 공정이 완료된 후 열처리 공정을 거쳐, 격리영역과 그 상부에 얇은 산화막을 형성하는 단계를 나타내는 반도체 소자의 단면도.
제2e도는 질화막과 질화막 스페이서 및 완충용 산화막을 제거하여, 소자분리용 필드 산화막을 형성하는 단계를 나타내는 반도체 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 기판(1) 상부에 완충용 산화막(3)과 질화막(5)을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 질화막(5) 상부에 포토레지스트층을 코팅시킨후 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 이용하여 하부의 완충용 산화막(3)과 질화막(5)을 소정부분 식각하는 단계와, 상기 질화막(5) 상부에 다시 질화막을 중착시킨후, 건식식각으로 상기 완충용 산화막(3)과 질화막(5) 측벽에 질화막 스페이서(7)를 형성하는 단계와, 반도체 기판(1) 상부로부터 반도체 기판(1)내의 소정부분에 이온주입 영역 (9)을 형성하는 단계와, 상기 이온주입 영역(9)을 산화로에서 열처리하여 격리영역(11)을 형성하며, 그 상부에 얇은 산화막(13)을 형성하는 단계와, 상기 질화막(5), 질화막 스페이서(7) 및 완충용 산화막(3)을 제거하여 소자분리용 필드 산화막(15)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LOCOS 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막 스페이서 (7)를 형성하기 위해 상부에 중착되는 질화막의 두께는 500Å내지 2000Å인 것을 특징으로 하는 LOCOS 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 격리영역(11) 상부에 형성되는 산화막(3)의 두께는 100내지 1500Å인 것을 특징으로 하는 LOCOS 제조방법.
- 제1항에 있어서, 이온주입 공정에 사용되는 원소는 산소인 것을 특징으로 하는 LOCOS 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920009870A KR960000381B1 (ko) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 반도체소자의 필드산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019920009870A KR960000381B1 (ko) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 반도체소자의 필드산화막 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940001347A true KR940001347A (ko) | 1994-01-11 |
KR960000381B1 KR960000381B1 (ko) | 1996-01-05 |
Family
ID=19334314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019920009870A KR960000381B1 (ko) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 반도체소자의 필드산화막 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR960000381B1 (ko) |
-
1992
- 1992-06-08 KR KR1019920009870A patent/KR960000381B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960000381B1 (ko) | 1996-01-05 |
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