KR960015721A - 플라즈마 막형성방법과 장치 및 플라즈마 처리장치 - Google Patents

플라즈마 막형성방법과 장치 및 플라즈마 처리장치 Download PDF

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Abstract

플라즈마 막형성장치는, 처리실내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 처리실내의 피처리물에 대향된 제1전극과, 피처리물을 사이에 두고 제1전극에 대향되고, 평면형상의 코일로 이루어진 제2전극과, 처리실내의 압력을 0.1Torr 이하로 유지하는 압력조정수단과, 피처리물을 소정온도로 가열하는 가열수단과, 제1 및 제2전극간에 고주파전력을 인가하고, 그 결과, 처리가스가 플라즈마화되어서 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 피처리물의 표면에 박막이 형성되는 인가수단을 구비하고 있다. 한쌍의 전극간에 고주파전력을 인가하면 고주파 전계가 형성되는데, 전국의 한편이 평면형상의 코일이기 때문에, 자장이 형성된다. 그 결과, 처리가스는 전기에너지와 자기에너지에 의하여 플라즈마화한다. 따라서, 처리가스는 낮은 압력에서 플라즈마화하고, 그 압력이 0.1Torr 이하로 되어 있어도, 코일도의 플라즈마가 생성된다. 그 때문에, 피처리물 표면에 있어서의 이온 조사효율이 높고, 불순물의 제거효과가 높다.

Description

플라즈마 막형성방법과 장치 및 플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1실시예에 관한 플라즈마 막형성장치를 나타내는 개략단면도,
제2도는 제1도에 도시하는 플라즈마 막형성장치의 요부를 나타내는 개략사시도,
제3도는 고주파전력의 인가방식의 다른 예를 나타내는 설명도,
제4도는 고주파전력의 인가방식의 또 다른 예를 나타내는 설명도,
제5도는 고주파전력의 인가방식의 또 다시 다른 예를 나타내는 설명도.

Claims (19)

  1. 기밀한 처리실내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 처리실내의 피처리들을 얹어놓는 제1전극과, 피처리물을 사이에 두고 제1전극에 대향되고, 평면형상의 코일로 이루어진 제2전극과, 처리실내의 압력을 0.1Torr 이하로 유지하는 압력조정수단과, 피처리물을 소정온도로 가열하는 가열수단과, 상기 제1 및 제2전극 간에 고주파전력을 인가하고, 처리가스를 플라즈마화하여서, 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 피처리물의 표면에 박막을 형성하는 인가수단을 구비하는 플라즈마 막형성장치.
  2. 제1항에 있어서, 제1전극은, 피처리물의 얹어놓는대를 겸용하고, 제2전극은, 처리실의 외벽에 인접하여서 배치되고, 이 제2전극이 인접하는 외벽의 부분은, 유전체로 형성되어 있는 플라즈마 막형성장치.
  3. 제1항에 있어서, 제2전극은, 그, 내부를 냉각제를 유통시키는 냉각수단을 포함하고 있는 플라즈마 막형성 장치.
  4. 기밀한 처리실내에 처리가스를 공급하고, 처리실내의 압력을 0.1Torr 이하로 유지하고, 피처리물을 소정 온도로 가열하는 공정과, 처리실내의 피처리물을 얹어놓는 제1전극과, 피처리물을 사이에 두고 제l전극에 대향배치되고 또한 평면형상의 코일로 이루어진 제2전극과의 사이에 고주파전극을 인가하고, 처리가스를 플라즈마화하여서 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 피처리물의 표면에 박막을 형성하는 공정을 구비하는 플라즈마 막형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 고주파를 인가하는 공정은, 플라즈마 막형성처리에 의하여, 피처리물의 오목부에 박막을 형성하여 이 오목부를 매립하는 공정과, 오목부에 형성된 박막의 표면에 이온에 의한 스퍼터링처리를 하는 공정을 포함하는 플라즈마 막형성방법.
  6. 기밀한 처리실내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 처리실내에서 피처리물을 얹어놓는 얹어놓는대와, 이 얹어놓는대에 대향배치된 유도수단과, 처리실내의 압력을 0.1Torr 이하로 유지하는 압력조정수단과, 피처리물을 소정온도로 가열하는 가열수단과, 상기 유도수단에 고주파전류를 공급하고, 그 결과, 처리실내에 전자장이 형성되고, 이 전자장에 의하여 처리가스가 플라즈마화되어서 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 피처리물의 표면에 박막이 형성되는 고주파진류 공급수단을 구비하는 플라즈마 막형성장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 고주파전류 공급수단은, 얹어놓는부에 얹어놓인 피처리물에, 교류바이어스 또는 음의 전류를 인가하는 플라즈마 막형성장치.
  8. 처리실내에 처리가스를 공급하고, 처리실내의 압력을 0.1Torr 이하로 유지하고, 피처리물을 소정온도로 가열하는 공정과, 처리실내의 얹어놓는대에 대향된 유도수단에 고주파전류를 공급하고, 그 결과, 처리실내에 전자장이 형성되고, 이 전자장에 의하여 처리가스가 플라즈마화되어서 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 피처리물의 표면에 박막이 형성되는 공정을 구비하는 플라즈마 막형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 불활성가스를 처리실내에 도입하고, 처리가스와 함께 플라즈마화하는 플라즈마 막형성 방법.
  10. 제8항에 있어서, 유기 실리콘소스를 함유하는 가스와, 산소원소를 함유하는 가스를 반응시켜서. 피처리물에 실리콘 산화막을 형성하는 플라즈마 막형성방법.
  11. 제8항에 있어서, 실란계의 가스와 질소원소를 함유하는 가스를 반응시켜서, 피처리물에 질화실리콘막을 형성하는 플라즈마 막형성방법.
  12. 제8항에 있어서, 고주파를 인가하는 공정은, 플라즈마 막형성처리에 의하여, 피처리물의 오목부에 박막을 형성하여서 이 오목부를 매립하는 공정과, 오목부에 형성된 박막의 표면에 이온에 의한 스퍼터링처리를 하는 공정을 포함하는 플라즈마 막형성방법.
  13. 기밀함 처리실내에서 피처리물을 얹어놓는 얹어놓는대와, 이 얹어놓는대에 대향 배치되고 또한 한 끝단이 개방되어 있는 평면형상의 코일과, 이 코일의 마른 끝단과, 얹어놓는대 또는 처리실의 용기와의 사이에 고주파를 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 상기 피처리물에 플라즈마처리를 하는 인가수단을 구비하는 플라즈마 처리장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 코일은, 처리실의 외벽에 인접하여 배치되고, 이 코일이 인접하는 외벽의 부분은, 유전체로 형성되어 있는 플라즈마 처리장치.
  15. 제13항에 있어서, 처리실내의 입력을 10Torr∼10-6Torr의 범위로 유지하는 압력조정수단을 더욱 구비하고 있는 플라즈마 처리장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 처리실의 외벽의 바깥쪽에 배치되고, 또한, 처리실 내의 플라즈마 밀도를 높이기 위한 플라즈마 고밀도화수단을 더욱 구비하는 플라즈마 처리장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 플라즈마 고밀도화수단은, 처리실 바깥쪽에 감긴 코일과, 이 코일에 접속된 보조 고주파전원을 포함하고 있는 플라즈마 처리장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 플라즈마 고밀도화수단은, 처리실 바깥쪽에 감긴 코일과, 이 코일에 집속된 직류 전원을 포함하고 있는 플라즈마 처리장치.
  19. 제16항에 있어서, 상기 플라즈마 고밀도화수단은, 처리실 바깥쪽에 배치된 영구자석을 포함하고 있는 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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