KR960012314A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 반도체층(301)상에 하기의 일반식(1)로 표현되는 화합물로 이루어진 유전체박막(308)을 형성하는 공정을 구비한 반도체장치의 제조방법에 있어서,
ABO3…(1)
여기서, A는 Ca, Ba, Sr, Pb 및 La로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 원소이고, B는 Zr 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소이다. 상기 유전체박막(308)은, 상기 원소 A의 β-디케톤 착체(錯體)화합물, 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물 및 산화제를 함유한 원료가스를 이용함으로써, 400Torr이하의 압력과 1000℃ 이하의 온도하에서 화학기상성장법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법을 제공한다.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 본 발명의 실시예에 있어서 유전체박막의 형성에 사용되는 화학기상성장장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면,
제9도는 본 발명의 실시예에 있어서 박막을 형성하기 이전의 Si기판의 단면을 나타낸 도면,
제10도는 본 발명의 실시예에 있어서 그 위에 반응제어조건하에서 SrTiO3박막을 형성한 후의 Si기판의 단면을 나타낸 도면.

Claims (15)

  1. 반도체층(301)상에 하기의 일반식(1)로 표현되는 화합물로 이루어진 유전체박막(308)을 형성하는 공정을 구비한 반도체장치의 제조방법에 있어서,
    ABO3…(1)
    여기서, A는 Ca, Ba, Sr, Pb 및 La로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 원소이고, B는 Zr 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소이다. 상기 유전체박막(308)은, 상기 원소 A의 β-디케톤 착체(錯體)화합물, 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물 및 산화제를 함유한 원료가스를 이용함으로써, 400Torr이하의 압력과 1000℃ 이하의 온도하에서 화학기상성장법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학기상성장법을 반응제어조건하에서 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 화학기상성장법은, 상기 원소 A의 β-디케톤 착체화합물과 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물의 어느 열분해온도보다도 낮은 온도하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 화학기상성장법은, 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물의 공급량이 상기 원소 A의 β-디케톤 착체화합물의 공급량을 초과하는 조건하에서 수행되어 원소비(A/A+B)가 0.5의 화학양론비와 같은 상기 유전체박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 화학기상성장법은, 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물의 공급량이 몰비로 상기 원소 A의 β-디케톤 착체화합물의 공급량의 적어도 5배이상으로 되는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 화학기상성장법은, 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물의 공급량이 몰비로 상기 원소 A의 β-디케톤 착체화합물의 공급량의 적어도 10배이상으로 되는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 화학기상성장법은, 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물의 공급량이 상기 원소 A의 β-디케톤 착체화합물의 공급량을 초과하는 조건하에서 수행되어 원소비(A/A+B)가 0.5의 화학양론비와 같은 상기 유전체박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 화학기상성장법은, 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물의 공급량이 몰비로 상기 원소 A의 β-디케톤 착체화합물의 공급량의 적어도 5배이상으로 되는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 화학기상성장법은, 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물의 공급량이 몰비로 상기 원소 A의 β-디케톤 착체화합물의 공급량의 적어도 10배이상으로 되는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 화학기상성장법은, 상기 원소 A의 β-디케톤 착체화합물과 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물의 어느 열분해온도보다도 낮은 온도하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 화학기상성장법은, 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물의 공급량이 몰비로 상기 원소 A의 β-디케톤 착체화합물의 공급량의 적어도 5배이상으로 되는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 화학기상성장법은, 상기 원소 B의 β-디케톤 착체화합물의 공급량이 몰비로 상기 원소 A의 β-디케톤 착체화합물의 공급량의 적어도 10배이상으로 되는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 일반식(1)로 표현되는 화합물이 BaxSr1-xTiO3(0≤x≤1)인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 β-디케톤 착체화합물의 리건드(ligand)가 디피바로일메탄(DPM;C11H19O2)인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 산화제가 산소분자 또는 N2O를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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