KR960012181A - 전자 방출 소자, 전자원 및 화상 형성 장치의 제조 방법 - Google Patents

전자 방출 소자, 전자원 및 화상 형성 장치의 제조 방법 Download PDF

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다께오 쯔가모또
신이찌 가와떼
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게이스께 야마모또
가즈히로 산도
야스히로 하마모또
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Abstract

전자 방출 영역을 갖고 있는 전자 도전막이 기판 상에 배치된 전극들 사이에 제공되는 전자 방출 소자의 제조 방법에 있어서, 전자 방출 영역의 형성 단계는 전자 도전막에 구조적 잠상을 형성하는 단계 및 구조적 잠상을 현상하는 단계를 포함한다. 기판 상에 배열된 다수의 전자 방출 소자를 포함하는 전자원, 및 전자원 및 화상 형성 부재와 결합하는 화상 형성 장치는 상기 방법으로 제조된 전자 방출 소자를 사용하여 제조된다. 각 전자 방출 소자의 전자 방출 영역의 위치 및 형태는 균일한 소자 특성을 달성하도록 제어되어, 전자 방출 소자들 사이에 방출된 전자량 및 화면의 밝기의 변화를 적게 할 수 있다. 또, 전자 방출의 영역의 형성시 많은 전류를 흐르게 할 필요가 배제되고, 배선의 전류 용량이 감소될 수 있다.

Description

전자 방출 소자, 전자원 및 화상 형성 장치의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제2B도는 본 발명에 의해 제조되는 표면 전도형 전자 방출 소자 구조의 제1실시예를 나타내는 개략도,
제2A도 및 제2B도는 본 발명에 의해 제조되는 표면 전도형 전자 방출 소자 구조의 제2실시예를 나타내는 개략도,
제3A도 및 제3B도는 본 발명에 의해 제조되는 표면 전도형 전자 방출 소자 구조의 제3실시예에를 나타내는 개략도,
제4A도 내지 제4C도는 본 발명에 의해 제조되는 표면 전도형 전자 방출 소자 구조의 제1실시예에 대한 제조공정을 설명하는 개략도.

Claims (22)

  1. 전자 방출 영역을 갖고 있는 전자 도전막이 기판 상에 배치된 전극들 사이에 제공되는 전자 방출 소자의 제조 방법에 있어서, 전자 도전막에 구조적 잠상을 형성하느 단계; 및 상기 구조적 잠상을 현상하는 단계; 및 상기 구조적 잠상을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 전자 방출 소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 구조적 잠상을 형성하는 단계는 상기 막이 국부적으로 막 두께가 다른 부분을 갖도록 상기 전자 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 구조적 잠상을 형성하는 단계는 상기 막이 국부적으로 막질이 다른 부분을 갖도록 상기 전자 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 구조적 잠상을 형성하는 단계는 상기 막이 상기 기판 상에 형성된 계단 부분을 스트래들링(straddling)하게 연장하도록 상기 전자 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 2개의 계단 부분은 상기 전극들 각각의 상부면과 상기 기판의 표면 사이에 높이가 다르게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 2개의 계단부분은 상기 전극들 중 한 전극이 상기 전극들 중 다른 전극보다 더 두껍게 되도록 상기 한 쌍의 전극을 형성함으로써 높이가 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 2개의 계단 부분은 상기 기판과 상기 전극들 중 한 전극 사이에 높이 규제 부재를 형성함으로써 높이가 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 계단 부분은 상기 전극들 사이에 스텝 형성 부재를 배치함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 구조적 감상을 형성하는 단계는 상기 전자 도전막 부분과 접촉하여, 상기 현상 단계에서 상기 전자 도전막과 화학적 반응을 발생시키도록 하는 부재를 형성하는 단계를 포하하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 전자 도전막과 화학적 반응을 발생시키는 상기 부재는 상기 전극들 중 한 전극의 적어도 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 구조적 잠상을 현상하는 단계는 상기 전자 도전막을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 전자 도전막은 외부가 열원에 의해 가열되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  13. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 구조적 잠상을 현상하는 단계는 환원 가스, 불활성 가스 또는 압력이 감소된 분위기에서 상기 전자 도전막을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특지응로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  14. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 구조적 잠상을 현상하는 단계는 전압을 상기 전자 도전막을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 구조적 잠상을 형성하는 단계는 상기 전자 도전막의 일부분을 국부적으로 변경시키는 단계를 포함하여, 상기 변경된 부분이 연속적으로 행해지는 상기 현상 단계의 화학적 반응에 의해 제거될 수 있게 하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 부분은 금속 산화물로 제조된 상기 전자 도전막의 일부분에 형성된 금속으로 제조되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 구조적 잠상을 현상하는 단계는 에칭으로 금속으로 제조된 상기 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  18. 기판 상에 배열되고, 제1항에 따른 방법으로 각각 제조된 다수의 전자 방출 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자원의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 다수의 전자 방출 소자는 다수의 소자 로우를 형성하도록 상호 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자원의 제조 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 다수의 전자 방출 소자는 매트릭스 배선 패턴으로 배열되는 것을 특징으로 하는 전자원의 제조 방법.
  21. 전자 방출 소자의 어레이 및 화상 형성 부재를 포함는 전자원과 결합된 화상 형성 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 전자 방출 소자 각각은 제1항에 따른 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 화상 형성 부재는 형광막인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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