JP2720655B2 - 薄膜トランジスタ制御型蛍光表示パネル - Google Patents
薄膜トランジスタ制御型蛍光表示パネルInfo
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- JP2720655B2 JP2720655B2 JP25402391A JP25402391A JP2720655B2 JP 2720655 B2 JP2720655 B2 JP 2720655B2 JP 25402391 A JP25402391 A JP 25402391A JP 25402391 A JP25402391 A JP 25402391A JP 2720655 B2 JP2720655 B2 JP 2720655B2
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- Japan
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- glass
- film transistor
- thin film
- display panel
- fluorescent display
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は蛍光表示パネルに関し、
特に薄膜トランジスタ制御型蛍光表示パネルに関する。
特に薄膜トランジスタ制御型蛍光表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜トランジスタ制御型蛍光表示
パネルでは、真空外囲器を構成する陽極基板ガラス及び
箱型カバーガラスに無アルカリガラスを用いて薄膜トラ
ンジスタ制御型蛍光表示パネルを組み立てていたが、市
販の無アルカリガラスでは板厚が１ｍｍ程度のものしか
手に入らず、耐圧上の問題から薄膜トランジスタ制御型
蛍光表示パネルの大型化が困難であった。
パネルでは、真空外囲器を構成する陽極基板ガラス及び
箱型カバーガラスに無アルカリガラスを用いて薄膜トラ
ンジスタ制御型蛍光表示パネルを組み立てていたが、市
販の無アルカリガラスでは板厚が１ｍｍ程度のものしか
手に入らず、耐圧上の問題から薄膜トランジスタ制御型
蛍光表示パネルの大型化が困難であった。
【０００３】このため、薄膜トランジタ制御型蛍光表示
パネルでは一般に以下に述べる構造を採っていることが
多い。図４に示すように、ソーダガラス板に溝部１を設
けたものをソーダガラス製基板ガラス３とする。次に溝
部１内に薄膜トランジスタ４及び陽極蛍光体層５を形成
した無アルカリガラス製陽極基板７を設置し、更に無ア
ルカリガラス製陽極基板７の固定及び陰極フィラメント
１１の支持の機能を有する金属製薄板８，９を設置す
る。次に、無アルカリガラス製陽極基板７上に電子線制
御用のグリッド電極１０及び陰極フィラメント１１を配
設し、更にソーダガラス製箱型カバーガラス１２をソー
ダガラス製基板ガラス３上に設置する。その後、封入・
排気等の数工程を経て完成する。
パネルでは一般に以下に述べる構造を採っていることが
多い。図４に示すように、ソーダガラス板に溝部１を設
けたものをソーダガラス製基板ガラス３とする。次に溝
部１内に薄膜トランジスタ４及び陽極蛍光体層５を形成
した無アルカリガラス製陽極基板７を設置し、更に無ア
ルカリガラス製陽極基板７の固定及び陰極フィラメント
１１の支持の機能を有する金属製薄板８，９を設置す
る。次に、無アルカリガラス製陽極基板７上に電子線制
御用のグリッド電極１０及び陰極フィラメント１１を配
設し、更にソーダガラス製箱型カバーガラス１２をソー
ダガラス製基板ガラス３上に設置する。その後、封入・
排気等の数工程を経て完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の薄膜トラン
ジスタ制御型蛍光表示パネルでは、薄膜トランジスタ及
び陽極蛍光体層を形成した無アルカリガラス製陽極基板
が真空中に配置されているため、対流による放熱が生じ
ないという構造的特徴を有している。
ジスタ制御型蛍光表示パネルでは、薄膜トランジスタ及
び陽極蛍光体層を形成した無アルカリガラス製陽極基板
が真空中に配置されているため、対流による放熱が生じ
ないという構造的特徴を有している。
【０００５】また、無アルカリガラス製陽極基板とソー
ダガラス製基板ガラスは積み重ねられており互いに接触
しているので、熱伝導による放熱も考えられる。しか
し、表１に示すように、例えば石英ガラスを用いた無ア
ルカリガラス製陽極基板とソーダガラス製基板ガラスと
の間の熱伝導時の抵抗は大きく、非常に熱伝導性が悪い
と言える。このため、無アルカリガラス性陽極基板が、
パネル動作時で８０〜１６０℃程度の高温状態にあり、
薄膜トランジスタ素子及び蛍光体の諸特性に好ましくな
い影響を与えているという問題点があった。
ダガラス製基板ガラスは積み重ねられており互いに接触
しているので、熱伝導による放熱も考えられる。しか
し、表１に示すように、例えば石英ガラスを用いた無ア
ルカリガラス製陽極基板とソーダガラス製基板ガラスと
の間の熱伝導時の抵抗は大きく、非常に熱伝導性が悪い
と言える。このため、無アルカリガラス性陽極基板が、
パネル動作時で８０〜１６０℃程度の高温状態にあり、
薄膜トランジスタ素子及び蛍光体の諸特性に好ましくな
い影響を与えているという問題点があった。
【０００６】
【表１】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜トランジ
スタ制御型蛍光表示パネルにおいて、真空外囲器を構成
するソーダガラス製ガラス基板に溝部を設け、溝部底面
に金属皮膜を形成し、薄膜トランジスタ及び陽極蛍光体
層を形成しその裏面に金属被膜を形成した無アリカリガ
ラス製陽極基板を溝部内に設置することを特徴とする。
スタ制御型蛍光表示パネルにおいて、真空外囲器を構成
するソーダガラス製ガラス基板に溝部を設け、溝部底面
に金属皮膜を形成し、薄膜トランジスタ及び陽極蛍光体
層を形成しその裏面に金属被膜を形成した無アリカリガ
ラス製陽極基板を溝部内に設置することを特徴とする。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を薄膜トランジスタ制御型
蛍光表示パネルの断面図である。製造工程を説明しなが
ら構造を明らかにする。図２（ａ）は本発明のソーダガ
ラス製基板ガラス３の断面図であり、図２（ｂ）は溝部
１の上方から見たソーダガラス製基板ガラス３の平面図
である。ソーダガラス板にエッチング加工技術を用いる
か、あるいはソーダガラスの溶融時に専用型を用いて整
形する等の手段で図２（ａ）に示すように所望の大きさ
及び深さの溝部１を設ける。次に溝部１の底面に金属皮
膜２、例えばアルミニウムの薄膜を真空蒸着法等の手段
により一面に形成する。この金属皮膜２を形成する金属
皮膜材料の選択にあたっては、通常の蛍光表示パネルの
製造工程における封入時の高温加熱工程での最高温度よ
りも金属皮膜材料の融点の方が高いことが望ましく、一
般的に金属皮膜材料の融点は５００℃以上と言える。こ
のように加工したソーダガラス板をソーダガラス製基板
ガラス３とする。
る。図１は本発明の一実施例を薄膜トランジスタ制御型
蛍光表示パネルの断面図である。製造工程を説明しなが
ら構造を明らかにする。図２（ａ）は本発明のソーダガ
ラス製基板ガラス３の断面図であり、図２（ｂ）は溝部
１の上方から見たソーダガラス製基板ガラス３の平面図
である。ソーダガラス板にエッチング加工技術を用いる
か、あるいはソーダガラスの溶融時に専用型を用いて整
形する等の手段で図２（ａ）に示すように所望の大きさ
及び深さの溝部１を設ける。次に溝部１の底面に金属皮
膜２、例えばアルミニウムの薄膜を真空蒸着法等の手段
により一面に形成する。この金属皮膜２を形成する金属
皮膜材料の選択にあたっては、通常の蛍光表示パネルの
製造工程における封入時の高温加熱工程での最高温度よ
りも金属皮膜材料の融点の方が高いことが望ましく、一
般的に金属皮膜材料の融点は５００℃以上と言える。こ
のように加工したソーダガラス板をソーダガラス製基板
ガラス３とする。
【０００９】次に図３に示すように、無アルカリガラス
板上に半導体製造プロセスを用いて薄膜トランジスタ４
を形成し必要な形状に配列する。次に薄膜トランジスタ
４上に電着法、プリント法等の手段で所望の形状の陽極
蛍光体層５を形成する。更に、薄膜トランジスタ４及び
陽極蛍光体層５を形成した無アルカリガラス板の裏面に
金属皮膜６、例えばアルミニウムの薄膜を真空蒸着法等
の手段により一面に形成する。前述の金属皮膜２と同様
に金属皮膜６を形成する金属皮膜材料の融点が、通常の
蛍光表示パネルの製造工程における高温加熱工程での最
高温度より高いことが望ましい。このように加工した無
アルカリガラス板を無アルカリガラス製陽極基板７とす
る。
板上に半導体製造プロセスを用いて薄膜トランジスタ４
を形成し必要な形状に配列する。次に薄膜トランジスタ
４上に電着法、プリント法等の手段で所望の形状の陽極
蛍光体層５を形成する。更に、薄膜トランジスタ４及び
陽極蛍光体層５を形成した無アルカリガラス板の裏面に
金属皮膜６、例えばアルミニウムの薄膜を真空蒸着法等
の手段により一面に形成する。前述の金属皮膜２と同様
に金属皮膜６を形成する金属皮膜材料の融点が、通常の
蛍光表示パネルの製造工程における高温加熱工程での最
高温度より高いことが望ましい。このように加工した無
アルカリガラス板を無アルカリガラス製陽極基板７とす
る。
【００１０】次に図１に示すように無アルカリガラス製
陽極基板７をソーダガラス製基板ガラス３に設けた溝部
１内に設置し、この際に金属皮膜２と金属皮膜６が接す
るように設置する。次に無アルカリガラス製陽極基板７
の固定及び陰極フィラメント１１の支持の機能を有する
金属製薄板８，９を設置し、更に陽極蛍光体層５に対し
て所定の間隔を保つように周辺部が整形・加工されたメ
ッシュ状のグリッド電極１０を設置する。次に陰極フィ
ラメント支持体である金属製薄板８，９の最高点間に必
要本数の陰極フィラメント１１を張架する。この後ソー
ダガラス製基板３上にソーダカラス製箱型カバーガラス
１２を設置し、あらかじめソーダガラス製基板ガラス３
及びソーダガラス製箱型カバーガラス１２の外周部に塗
布しておいた低融点ガラスで封着し、この後排気等の工
程を経て完成する。
陽極基板７をソーダガラス製基板ガラス３に設けた溝部
１内に設置し、この際に金属皮膜２と金属皮膜６が接す
るように設置する。次に無アルカリガラス製陽極基板７
の固定及び陰極フィラメント１１の支持の機能を有する
金属製薄板８，９を設置し、更に陽極蛍光体層５に対し
て所定の間隔を保つように周辺部が整形・加工されたメ
ッシュ状のグリッド電極１０を設置する。次に陰極フィ
ラメント支持体である金属製薄板８，９の最高点間に必
要本数の陰極フィラメント１１を張架する。この後ソー
ダガラス製基板３上にソーダカラス製箱型カバーガラス
１２を設置し、あらかじめソーダガラス製基板ガラス３
及びソーダガラス製箱型カバーガラス１２の外周部に塗
布しておいた低融点ガラスで封着し、この後排気等の工
程を経て完成する。
【００１１】金属製薄板８，９からは陰極フィラメント
電圧を供給するためのリード端子が蛍光表示パネル外に
導出されており、封入後これらも低融点ガラスで固定さ
れる。このため、金属製薄板８，９で無アルカリガラス
製陽極基板７を溝部１内に確実に固定できる。
電圧を供給するためのリード端子が蛍光表示パネル外に
導出されており、封入後これらも低融点ガラスで固定さ
れる。このため、金属製薄板８，９で無アルカリガラス
製陽極基板７を溝部１内に確実に固定できる。
【００１２】金属皮膜２及び金属皮膜６は本実施例では
両者共にアルミニウムを用いて形成したが、金属皮膜材
料の融点を考慮すれば、同種の金属材料を用いる必要は
ない。また、金属薄膜を陽極配線材料に用いる一般の蛍
光表示管同様に、無アルカリガラス製陽極基板７上には
黒色等の顔料を含む任意の形状の絶縁層が薄膜トランジ
スタ４及び陽極蛍光体層５と同一面上に形成される。こ
のため、金属皮膜による外部光の反射といった表示品位
に関わる問題が生ずることはない。
両者共にアルミニウムを用いて形成したが、金属皮膜材
料の融点を考慮すれば、同種の金属材料を用いる必要は
ない。また、金属薄膜を陽極配線材料に用いる一般の蛍
光表示管同様に、無アルカリガラス製陽極基板７上には
黒色等の顔料を含む任意の形状の絶縁層が薄膜トランジ
スタ４及び陽極蛍光体層５と同一面上に形成される。こ
のため、金属皮膜による外部光の反射といった表示品位
に関わる問題が生ずることはない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は熱伝導率
の低いソーダガラス製基板ガラスに設けた溝部及び無ア
ルカリガラス製陽極基板に熱伝導率の高い金属皮膜を形
成することで、無アルカリガラス製陽極基板からの放熱
を促進し、温度による薄膜トランジスタ及び蛍光体の寿
命や特性の劣化を大幅に軽減することができる。
の低いソーダガラス製基板ガラスに設けた溝部及び無ア
ルカリガラス製陽極基板に熱伝導率の高い金属皮膜を形
成することで、無アルカリガラス製陽極基板からの放熱
を促進し、温度による薄膜トランジスタ及び蛍光体の寿
命や特性の劣化を大幅に軽減することができる。
【図１】本発明の一実施例の薄膜トランジスタ制御型蛍
光表示パネルの陰極フィラメント張架方向の断面図であ
る。
光表示パネルの陰極フィラメント張架方向の断面図であ
る。
【図２】本発明の一実施例に用いるソーダガラス製基板
ガラスを示し、（ａ）図は断面図、（ｂ）図は平面図で
ある。
ガラスを示し、（ａ）図は断面図、（ｂ）図は平面図で
ある。
【図３】本発明の一実施例に用いる無アルカリガラス製
陽極基板の断面図である。
陽極基板の断面図である。
【図４】従来の薄膜トランジスタ制御型蛍光表示パネル
の陰極フィラメント張架方向の断面図である。
の陰極フィラメント張架方向の断面図である。
１ 溝部 ２，６ 金属皮膜 ３ ソーダガラス製基板ガラス ４ 薄膜トランジスタ ５ 陽極蛍光体層 ７ 無アルカリガラス製陽極基板 ８，９ 金属製薄板 １０ グリッド電極 １１ 陰極フィラメント １２ ソーダガラス製箱型カバーガラス
Claims (1)
- 【請求項１】 真空外囲器を構成するソーダガラス製ガ
ラス基板に溝部を設け、前記溝部底面に金属皮膜を形成
し、薄膜トランジスタ及び陽極蛍光体層を形成しその裏
面に金属皮膜を形成した無アルカリガラス製陽極基板を
前記溝部内に設置することを特徴とする薄膜トランジス
タ制御型蛍光表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25402391A JP2720655B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 薄膜トランジスタ制御型蛍光表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25402391A JP2720655B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 薄膜トランジスタ制御型蛍光表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594788A JPH0594788A (ja) | 1993-04-16 |
| JP2720655B2 true JP2720655B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=17259169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25402391A Expired - Fee Related JP2720655B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 薄膜トランジスタ制御型蛍光表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2720655B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2708170B1 (fr) * | 1993-07-19 | 1995-09-08 | Innovation Dev Cie Gle | Circuits électroniques à très haute conductibilité et de grande finesse, leurs procédés de fabrication, et dispositifs les comprenant. |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP25402391A patent/JP2720655B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0594788A (ja) | 1993-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971021 |
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