KR960008332A - 메모리 리페어 어드레스 서치방법 - Google Patents

메모리 리페어 어드레스 서치방법 Download PDF

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KR960008332A
KR960008332A KR1019940019058A KR19940019058A KR960008332A KR 960008332 A KR960008332 A KR 960008332A KR 1019940019058 A KR1019940019058 A KR 1019940019058A KR 19940019058 A KR19940019058 A KR 19940019058A KR 960008332 A KR960008332 A KR 960008332A
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KR
South Korea
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repair address
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memory repair
test
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KR1019940019058A
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이진환
홍기호
윤건상
이운복
양정일
김선규
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 메모리 리페어 어드레스 서치(memory repair address search) 방법에 관한 것으로, 반도체 메모리 테스트를 통한 리페어 어드레스 서치시 풀 셀 테스트(full cell test)가 어려운 테스트 분야에서 멀티 다이아거널 패턴(multi diagonal pattern)을 이용하므로써 테스트의 시간 및 비용을 절감할 수 있는 메모리 리페어 어드레스 서치방법에 관한 것이다.

Description

메모리 리페어 어드레스 서치방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 메모리 리페어 어드레스 서치방법을 설명하기 위한 셀 평면도.
제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 메모리 리페어 어드레스 서치방법을 설명하기 위한 셀 평면도.

Claims (4)

  1. 반도체 소자의 메모리 리페어 어드레스 서치방법에 있어서, 다수의 단위 셀(1)중 불량 셀(1A)을 억세스하기 위해 멀티 다이아거널 패턴을 이용하는 것을 특징으로 하는 메모리 리페어 어드레스 서치방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 멀티 다이아거널 패턴은 상호 교차된 것을 특징으로 하는 메모리 리페어 어드레스 서치방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 멀티 다이아거널 패턴은 상호 평행된 것을 특징으로 하는 메모리 리페어 어드레스 서치방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 멀티 다이아거널 패턴은 상호 교차 및 평행된 것을 특징으로 하는 메모리 리페어 어드레스 서치방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940019058A 1994-08-02 1994-08-02 메모리 리페어 어드레스 서치방법 KR960008332A (ko)

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