KR960002865A - 저전력 소모용 스택틱 램 - Google Patents

저전력 소모용 스택틱 램 Download PDF

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KR960002865A
KR960002865A KR1019940014486A KR19940014486A KR960002865A KR 960002865 A KR960002865 A KR 960002865A KR 1019940014486 A KR1019940014486 A KR 1019940014486A KR 19940014486 A KR19940014486 A KR 19940014486A KR 960002865 A KR960002865 A KR 960002865A
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KR1019940014486A
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윤종섭
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
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    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS

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Abstract

본 발명은 두개의 셀 노드(A,A')와 인가전압 (Vcc)사이를 연결하는 부하수단(R1,R2 또는 T5,T6)과, 워드라인에 의해 제어 받으면서 셀 노드(A,A')와 비트라인을 연결하는 두개의 NMOS 트랜지스터 (T1,T2)와, 노드(A,A')와 노드(A,A')를 게이트와 드레인에 각각 크로스해서 연결하는 두개의 NMOS 트랜지스터 (T3,T4)를 구비하는 SRAM에 있어서, 상기 셀의 주변회로로 부터 제어받아 상기 NMOS 트랜지스터 (T3,T4)와 접지 사이를 스위칭하는 스위칭 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스택틱 램에 관한 것으로, 셀을 형성하는 부하용 저항이나 PMOS의 특성개선을 위해 복잡하고 어려운 공정을 사용하지 않고 저전력 소모의 SRAM 제품을 만들 수 있음으로 제조단가를 낮출 수 있고 고부가가치의 제품 생산성등을 향상시킬 수 있다.

Description

저전력 소모용 스택틱 램
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 고저항형 및 CMOS형 SRAM 셀 회로도.

Claims (2)

  1. 두개의셀 노드(A,A′)와 인가전압(Vcc)사이를 연결하는 부하수단(R1,R2 또는 T5,T6)과, 워드라인에 의해 제어 받으면서 셀 노드(A,A′)와 비트라인을 연결하는 두개의 NMOS트랜지스터(T1,T2)와, 노드(A,A′)와 노드(A,A′)를 게이트와 드레인에 각각 크로스해서 연결하는 두개의 NMOS 트랜지스터(T3,T4)를 구비하는 스택틱 램(SRAM)에 있어서, 상기셀의 주변회로로 부터 제어받아 상기 NMOS 트랜지스터(T3,T4)와 접지사이를 스위칭하는 스위칭 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스택틱 램.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 게이트는 주변화로로 부터 제어신호를 입력받고, 드레인은 상기 NMOS 트랜지스터(T3,T4)의 소오스와 연결되며, 소오스는 접지와 연결되는 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 스택틱 램.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940014486A 1994-06-23 1994-06-23 저전력 소모용 스택틱 램 KR960002865A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100399401B1 (ko) * 2001-05-15 2003-09-26 심연숙 유기질 비료의 제조방법
KR100456451B1 (ko) * 2002-01-15 2004-11-09 이헌구 폐사탕을 이용한 토양 미생물 비료의 제조방법

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