KR950034869A - 발광 다이오드의 제조방법 - Google Patents

발광 다이오드의 제조방법 Download PDF

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KR950034869A
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light emitting
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히로시 우메다
히로시 다나까
마사미찌 하라다
야스히꼬 아라이
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쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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Abstract

n형 GaP 기판 상에 질소를 함유하는 GaP의 pn 접합부가 갖추어진 발광 다이오드를 제조하는 방법은 n형 GaP 기판과 과포화 상태의 용해된 Ga를 접촉시켜 n형 GaP 기판상에 n형 GaP 층을 에픽택셜 성장에 의해 형성하는 단계; 용해된 Ga를 NH3개스와 접촉시켜 낮은 n형 캐리어 농도를 갖는 n형 GaP : N층을 n형 GaP 층위에 에피택셜 성장에 의해 형성하는 단계; 및 n형 GaP : N층의 캐리어 농도와 거의 동일한 캐리어 농도를 갖는 p형 GaP : N층을 n형 GaP : N층 위에 형성하는 단계를 포함한다.

Description

발광 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명의 방법의 한 실시예를 사용하여 얻어진 GaP LED의 에픽택셜 성장층을 개략적으로 도시한 도면이고, 제2B도는 그 각 층의 캐리어 농도 프로파일을 도시한 도면.

Claims (4)

  1. n형 GaP 기판 상에 질소를 함유하는 GaP의 pn 접합부를 갖고 있는 발광 다이오드를 제조하는 방법에 있어서, n형 GaP 기판을 과포화 상태의 용해된 Ga 와 접촉시켜 n형 GaP 층을 n형 GaP 기판 상에 에피택셜 성장에 의해 형성하는 단계; 용해된 Ga를 NH3개스와 접촉시켜 낮은 n형 캐리어 농도를 갖는 n형 GaP : N층을 n형 GaP 층 상에 에피택셜 성장에 의해 형성하는 단계; 및 n형 GaP : N층의 캐리어 농도와 거의 동일한 캐리어 농도를 갖는 p형 GaP : N층을 n형 GaP : N 층 위에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, p형 GaP : N 층은 액상 에피택셜 성장 보트(boat)재료를 형성하는 카본으로부터 유래되는 p형 도펀트에 의해 p형으로 되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, n형 도펀트로서 Si가 사용되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서, n형 도펀트로서 Si가 사용되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950014097A 1994-05-31 1995-05-31 발광 다이오드의 제조방법 KR950034869A (ko)

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