KR960036160A - 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

화합물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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마사토 마츠시마
히사시 세키
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Abstract

고성능 화합물 반도체 발광 소자 및 그것을 공업적으로 제조할 수 있는 방법이 제공된다.
화합물 반도체 발광소자는 GaAs 기판(1)과 기판(1)상에 형성된 두께가 10㎜~80㎜으 GaN로 이루어지는 버퍼층(2)고 버퍼층(2)상에 형성된 AlXGa1-XN(다만, 0≤X＜1)로 이루어지는 에피탁시층(3)과 버퍼층(2)과 에피탁시층(3)과의 계면에 위치하는 부정합면(8)과 에피탁시층(3)상에 형성된 발광층(4)상에 형성된 클래드층(5)을 포함한다. 버퍼층(2)은 유기 금속 클로라이드 기상 에피탁시 성장법에 의해 제 1의 온도에서 형성되고 에피탁시층(3)은 유기 금속 클로라이드 기상 에피탁시 성장법에 의해서 제 1의 온도보다 높은 제 2의 온도에서 형성된다.
발광층은 Mg 도프된 InyGa1-yN(다만, 0＜y＜1)로 이루면 양호하다.

Description

화합물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명에 따른 화합물 반도체 발광 소자의 예의 구조를 도시한 단면도.

Claims (9)

  1. GaAs, GaP, InAs 및 InP로 이루어지는 군에서 선택되는 화합물 반도체 기판(1)과, 상기 기판(1)상에 형성된 두께가 10㎜ 내지 80㎜의 GaN으로 이루어지는 버퍼층(2)과, 상기 버퍼층(2)상에 형성된 AlXGa1-XN(다만, 0≤X＜1)로 이루어지는 에피탁시층(3)과, 상기 버퍼층(2)과 상기 에피탁시층(3)과의 계면에 위치하는 부정합면(8)과, 상기 버퍼층(2)상에 형성한 발광층(4)과, 상기 발광층(4)상에 형성된 클래드층(5)을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 에피탁시층(3)은 제 1의 도전형을 갖는 AlXGa1-XN(다만, 0≤X＜1)로 이루어지며, 상기 발광층(4) InyGa1-yN(다만, 0＜y＜1)로 이루어지며 상기 클래드층(5)은 상기 제 1의 도전형과 상이한 제 2의 도전형을 갖는 AlZGa1-ZN(다만, 0≤Z＜1)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광 소자.
  3. 제 2항에 있어서 상기 InyGa1-yN로 이루어지는 발광층(4)은 Mg가 도프된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광 소자.
  4. 제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 버퍼층(2)의 두께는 20㎚ 내지 60㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광 소자.
  5. GaAs, GaP, InAs 및 InP로 이루어지는 군에서 선택되는 화합물 반도체 기판상에 외부로부터 반응실 전체를 가열하면서 염화수소 및 갈륨을 포함하는 유기 금속 원료를 포함하는 제 1의 가스와 암모니아를 포함하는 제 2의 가스를 반응실(54)내에 도입하고 반응실(54)내에 설치한 기판(1)상에 기상 성장시키는 방법에 의해서제 1의 온도에서 GaN으로 구성되는 버퍼층(2)을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층(2)상에 외부로부터 반응실(54) 전체를 가열하면서 염화수소 및 갈륨을 포함하는 유기 금속 원료를 포함하는 제 1의 가스와 암모니아를 포함하는 제 2의 가스를 반응실(54)에 도입해서 반응실(54)내에 설치한 기판(1)상에 기상 성장시키는 방법으로 상기 제 1의 온도 보다 높은 제 2의 온도에서 InXGa1-XN(다만, 0≤X＜1)로 이루어지는 에피탁시층(3)을 형성시키는 단계와, 상기 에피탁시층(3)에 발광층(4)을 형성하는 단계와, 상기 발광층(4)상에 클래드층(5)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광 소자의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 에피탁시층(3)은 제 1의 도전형을 갖는 AlXGa1-XN(다만, 0≤X＜1)로 이루어지며, 상기 발광층(4)은 InyGa1-yN(다만, 0＜y＜1)로 이루어지며, 상기 클래드층(5)은 상기 제 1의 도전형고 상이한 제 2의 도전형을 갖는 AlZGa1-ZN(다만, 0≤Z＜1)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광 소자의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 InyGa1-yN로 이루어지는 발광층(4)은 Mg가 도프된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광 소자의 제조방법.
  8. 제 5항 내지 제 7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1의 온도는 300℃ 내지 700℃이며 상기 제 2의 온도는 750℃이상인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광 소자의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 제 1의 온도는 400℃ 내지 600℃인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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