KR950034617A - 반도체장치의 제조장치 및 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 반응실을 냉각하는 냉각속도를 각 온도범위에 있어서 제어할 수 있는 반도체장치의 제조장치를 제공한다.
이를 위해 본 발명에서는, 반응실(11)의 외측에 균일관(14)을 설치하고, 균일관(14)의 외측에 가열히터(15)를 설치하며, 히터(15)와균일관(14)간에 제1가스 경로(17)를 설치한다. 히터(15)의 외측에 단열제(19)를 설치하고, 단열재(19)와 히터(15)간에 제2가스 경로(21)를 설치한다. 제1경로(17)의 일단(17a)을 제1송풍기(24)에 접속하고, 제2경로(21)의 일단 (21a)을 제2송풍기(27)에 접속하며, 제2경로(21)의 타단(21b)을 송풍기 (24,27)에 접속하고, 송풍기(24,27)를 제어수단 (29)에 접속하며, 제어수단(29)을 내부열전쌍(30a)에 접속하고, 열전쌍(30a)을 반응실(11)내에 삽입한다. 제1경로(17)내에 외부열전쌍(30b~30e)을 삽입하고, 제어수단(29)에 기억부(29a)를 설치하며, 기억부(29a)에 냉각특성의 입력데이터를 입력하고 있다. 따라서, 반응실을 냉각하는 냉각속도를 각 온도범위에 있어서 제어할 수 있다.

Description

반도체장치의 제조방치 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체장치의 제조방치를 나타낸 구성도, 제2도는 본 발명 및 종래 각각의 반도체장치의 제조장치의 냉각특성 및 반도체 웨이퍼에 슬립 등의 조성변형이 생기는 냉각특성의 경계를 나타낸 그래프,제3도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체장치의 제조장치를 나타낸 구성도.

Claims (35)

  1. 반도체 웨이퍼에 소정의 열처리를 행하는 반응실(11,42)과, 상기 반응실의 외측에 설치된 가열수단(15,43), 상기 반응실의 외측에 설치된 보온수단(19,44), 상기 반응실과 상기 가열수단간에 설치된 제1냉각용 가수경로(17), 상기 가열수단과 상기 보온수단간에 설치된 제2냉각용 가스 경로(21), 상기 제1 및 제 2냉각용 가스경로 각각에 소정의 가스를 흘림으로써 상기 반응실을 냉각하는 냉각수단(22~28,36,37,40,41,52~57) 및, 상기 냉각수단을 제어하는 제어수단(29,29a)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)은, 상기 반응실이 특정의 냉각속도로 냉각되도록 상기 냉각수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)은, 상기 냉각수단에 의해 상기 반응실을 냉각할 때의 냉각속도가 상기 반도체 웨이퍼에 결함이 생기지 않는 속도로 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)은, 상기 반도체 웨이퍼에 결함이 생가지 않는 냉각속도로 상기 반응실이 냉각되도록 상기 냉각수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)은, 상기 냉각수단에 의해 냉각중의 상기 반응실 내부의 온도를 측정하는 측정수단을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  6. 웨이퍼에 소정의 열처리를 행하는 반응실(11,42)과, 상기 반응실의 외측에 설치된 히터(15,43), 상기 반응실의 외측에 설치된 단열재(19,44), 상기 반응실과 상기 히터간에 설치된 제1냉각용 가스 경로(17), 상기 히터와 상기 단열재간에 설치된 제2냉각용 가스 경로(21), 상기 반응실을 냉각할 때에 상기 제1 및 제2냉각용 가스 경로 각각에 소정의 가스를 흘리는 송풍기(24,27,54) 및, 상기 반응실이 특정의 냉각속도로 냉각되도록 상기 송풍기를 제어하는 제어수단(29,29a)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)을 구비한 것을 특징으로하는 반도체장치의 제조장치.
  8. 웨이퍼에 소정의 열처리를 행하는 반응실(11,42)과, 상기 반응실의 외측에 설치된 히터(15,43), 상기 반응실의 외측에 설치된 단열재(19,44), 상기 반응실과 상기 히터간에 설치된 제1냉각용 가수 경로(17), 상기 히터와 상기 단열재간에 설치된 제2냉각용 가스 경로(21), 상기 반응실을 냉각할 때에 상기 제1 및 제2냉각용 가스 경로 각각에 소정의 가스를 흘리는 송풍기(24,27), 상기 송풍기에 접속된 인버터(36,37) 및, 상기 인버터를 제어함으로써 상기 반응실을 냉각할 때에 냉각속도를 제어하는 제어수단(29,29a)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  9. 웨이퍼에 소정의 열처리를 행하는 반응실(11,14)과, 상기 반응실의 외측에 설치된 히터(15,43), 상기 반응실의 외측에 설치된 단열재(19,44), 상기 반응실과 상기 히터간에 설치된 제1냉각용 가스 경로(17), 상기 히터와 상기 단열재간에 설치된 제2냉각용 가스 경로(21), 상기 반응실을 냉각할 때에 상기 제1 및 제2냉각용가스 경로 각각에 소정의 가스를 흘리는 송풍기(24,27), 상기 제1 및 제2냉각용 가스 경로 각각을 개폐시키는 셔터(40,41) 및, 상기 반응실을 냉각할 때의 냉각속도를 제어하는 제어수단(29,29a)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)은, 상기 셔터의 개폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제어장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 소정의 가스는 공기 또는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 반응실(42)은 등온구체형 반응실인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 가열수단(43) 및 상기 보온수단(44) 각각은 구체형인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 제1냉각용 가스 경로(17)의 가스의 진행방향은 상기 제2냉각용 가스 경로(21)의 가스의 진행방향에 대해 반대방향으로 되어있는 것을 특징으로하는 반도체장치의 제조장치.
  15. 제6항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)은, 상기 제2냉각용 가스 경로에 소정의 가스를 흘림으로써 상기 반도체 웨이퍼가 600~700。C부근의 온도까지 냉각된 후, 상기 제1 및 제2냉각용 가스 경로에 소정의 가스를 흘림으로써 상기 반도체 웨이퍼가 상기 온도보다 낮은 온도로 냉각되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  16. 제6항에 있어서, 상기제어수단(29,29a)은, 상기 반응실을 냉각할 때의 냉각속도가 상기 반도체 웨이퍼에 조성변형이 생기지 않는 속도로 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  17. 제6항에 있어서, 상기 소정의 가스는 공기 또는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  18. 제6항에 있어서, 상기 반응실(42)은 등온구체형 반응실인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  19. 제6항에 있어서, 상기 히터(43) 및 상기 단열재(44) 각각은 구체형인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  20. 제6항에 있어서, 상기 제1냉각용 가스 경로(17)의 가스의 진행방향은 제2냉각용 가스 경로(21)의 가스의 지행방향에 대해 반대방향으로 되어있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  21. 제8항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)은, 상기 제2냉각용 가스 경로에 소정의 가스를 흘림으로써 상기 반도체 웨이퍼가 600~700。C부근의 온도까지 냉각된 후, 상기 제1 및 제2냉각용 가스 경로에 소정의 가스를 흘림으로써 상기 반도체 웨이퍼가 상기 온도보다 낮은 온도로 냉각되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  22. 제8항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)은, 상기 반응실을 냉각할 때의 냉각속도가 상기 반도체 웨이퍼에 조성변형이 생기지 않는 속도로 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  23. 제8항에 있어서, 상기 소정의 가스는 공기 또는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  24. 제8항에 있어서, 상기 반응실(42)은 등온구체형 반응실인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  25. 제8항에 있어서, 상기 히터(43) 및 상기 단열재(44) 각각은 구체형인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  26. 제8항에 있어서, 상기 제1냉각용 가스 경로(17)의 가스인 진행방향은 상기 제2냉각용 가스 경로(21)의 가스의 진행방향에 대해 반대방향으로 되어있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  27. 제9항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)은, 상기 제2냉각용 가스 경로에 소정의 가스를 흘림으로써 상기 반도체 웨이퍼가 600~700。C부근의 온도까지 냉각된 후, 상기 제1 및 제2냉각용 가스 경로에 소정의 가스를 흘림으로써 상기 반도체 웨이퍼가 상기 온도보다 낮은 온도로 냉각되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  28. 제9항에 있어서, 상기 제어수단(29,29a)은, 상기 반응실을 냉각할 때의 냉각속도가 상기 반도체 웨이퍼에 조성변형이 생기지 않는 속도로 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도제장치의 제조장치.
  29. 제9항에 있어서, 상기 소정의 가스는 공기 또는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  30. 제9항에 있어서, 상기 반응실(42)은 등온구체형 반응실인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  31. 제9항에 있어서, 상기 히터(43) 및 상기 단열재(44) 각각은 구체형인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  32. 제9항에 잇어서, 상기 제1냉각용 가스 경로(17)의 가스의 진행방향은 상기 제2냉각용 가스 경로(21)의 가스의 진행방향에 대해 반대방향으로 되어있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  33. 반도체 웨이퍼에 소정의 열처리를 행하는 반응실(11,42)과, 상기 반응실의 외측에 설치된 가열수단(15,43), 상기 반응실의 외측에 설치된 보온수단(19,44), 상기 반응실과 상기 가열수단간에 설치된 제1냉각용 가스 반대방향으로 된 가스의 진행방향을 갖는 제2냉각용 가스 경로(21) 및, 상기 제1 및 제2냉각용 가스 경로 각각에 소정의 가스를 흘림으로써 상기 반응실을 냉각하는 냉각수단(22,23,26,52~57)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  34. 복수의 반도체 웨이퍼가 각 온도범위에 있어서 특정의 냉각속도로 되도록 제어수단에 의해 상기 반도체 훼이퍼의 냉각속도가 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  35. 복수의 반도체 웨이퍼가 삽입되어 있는 반응실 튜브와, 그 튜브의 외측에 설치된 히터 및, 그 히터의 외측에 설치된 단열재가 있고, 상기 반응실 튜브와 상기 히터간에 냉각용 가스를 소정의 방향으로 흘림과 더불어 상기 히터와 상기 단열재간에 냉각용 가스를 상기 소정의 방향과 반대의 방향으로 흘리는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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