JPH04264717A - 半導体加熱処理装置 - Google Patents
半導体加熱処理装置Info
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- JPH04264717A JPH04264717A JP2603891A JP2603891A JPH04264717A JP H04264717 A JPH04264717 A JP H04264717A JP 2603891 A JP2603891 A JP 2603891A JP 2603891 A JP2603891 A JP 2603891A JP H04264717 A JPH04264717 A JP H04264717A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハの熱処理等に
使用する炉と石英管からなる半導体加熱処理装置に適用
することができ、特にヒーターの降温時間を短縮して石
英管の付帯作業温度に達するまでの待機時間を短縮する
ことができる半導体加熱処理装置に関する。
使用する炉と石英管からなる半導体加熱処理装置に適用
することができ、特にヒーターの降温時間を短縮して石
英管の付帯作業温度に達するまでの待機時間を短縮する
ことができる半導体加熱処理装置に関する。
【０００２】近年、半導体加熱処理装置の安定稼働化、
ごみ対策の要求に伴い、石英管の交換頻度が多くなって
きている。これは、石英管内に堆積した多量の生成膜に
よる汚れを清浄するために行うものであり、プロセスが
不安定になるのを防止する手段として実施している。そ
のため、石英管交換時におけるヒーター降温時間を短縮
化することができる半導体加熱処理装置が要求されてい
る。よって、炉体開度によるヒーターの強制空冷が必要
である。
ごみ対策の要求に伴い、石英管の交換頻度が多くなって
きている。これは、石英管内に堆積した多量の生成膜に
よる汚れを清浄するために行うものであり、プロセスが
不安定になるのを防止する手段として実施している。そ
のため、石英管交換時におけるヒーター降温時間を短縮
化することができる半導体加熱処理装置が要求されてい
る。よって、炉体開度によるヒーターの強制空冷が必要
である。
【０００３】
【従来の技術】従来の半導体加熱処理装置には、例えば
特開昭５９−５５０１１号公報で報告されたものがある
。以下、具体的に図面を用いて説明する。その半導体加
熱処理装置においては、図２（ａ）の模式的横方向断面
図に示される如く、直径 ２００〜３００ ｍｍで長さ
１〜２ｍ程度の石英管３１は円筒形のものを使用し、炉
３２をその長手方向に炉半部分３２ａと炉半部分３２ｂ
とに２分割し、蝶番部３３によって例えば炉半部分３２
ｂが開閉可能な如くに構成し、石英管３１を炉３２の長
手方向ではなく図に矢印で示す如く炉３２の縦軸に垂直
な方向に出入可能にする。なお、炉半部分３２ｂに代え
炉半部分３２ａを開閉可能な構成としてもよい。
特開昭５９−５５０１１号公報で報告されたものがある
。以下、具体的に図面を用いて説明する。その半導体加
熱処理装置においては、図２（ａ）の模式的横方向断面
図に示される如く、直径 ２００〜３００ ｍｍで長さ
１〜２ｍ程度の石英管３１は円筒形のものを使用し、炉
３２をその長手方向に炉半部分３２ａと炉半部分３２ｂ
とに２分割し、蝶番部３３によって例えば炉半部分３２
ｂが開閉可能な如くに構成し、石英管３１を炉３２の長
手方向ではなく図に矢印で示す如く炉３２の縦軸に垂直
な方向に出入可能にする。なお、炉半部分３２ｂに代え
炉半部分３２ａを開閉可能な構成としてもよい。
【０００４】蝶番部３３は炉３２の長手方向に複数個適
宜間隔をおいて設けても、または強固な材料で１個所に
設けてもよい。コイル３４は適正な温度分布を得る目的
で例えば３個用意し、３個のコイル３４を図２（ｂ）に
示す如くに石英管３１を取り囲むように簾状に配置し、
図２（ｃ）に示す如くコイル３４のために炉３２の碍子
３５を設け、更に断熱材を設ける。
宜間隔をおいて設けても、または強固な材料で１個所に
設けてもよい。コイル３４は適正な温度分布を得る目的
で例えば３個用意し、３個のコイル３４を図２（ｂ）に
示す如くに石英管３１を取り囲むように簾状に配置し、
図２（ｃ）に示す如くコイル３４のために炉３２の碍子
３５を設け、更に断熱材を設ける。
【０００５】以上に説明した炉においては、石英管３１
が炉３２の縦軸の垂直方向に取り出し得るので、処理室
の内部のスペースを考慮し、図２（ａ）の矢印に示す如
く水平に対し斜め方向に例えば略４５度の角度で出し入
れできるようにしても、または、炉半部分３２ａ，３２
ｂを同時に開閉し得る構造としても、あるいは石英管３
１を垂直方向に出し入れし得るようにしてもよい。いず
れの方向に出し入れするにせよ、この半導体加熱処理装
置においては、炉３２の長手方向で石英管３１を取り出
す分割型ではなく一体型の炉を有する半導体加熱処理装
置の場合に比べ極めて容易に、かつ、短時間内で石英管
の出し入れを行うことができるという利点がある。
が炉３２の縦軸の垂直方向に取り出し得るので、処理室
の内部のスペースを考慮し、図２（ａ）の矢印に示す如
く水平に対し斜め方向に例えば略４５度の角度で出し入
れできるようにしても、または、炉半部分３２ａ，３２
ｂを同時に開閉し得る構造としても、あるいは石英管３
１を垂直方向に出し入れし得るようにしてもよい。いず
れの方向に出し入れするにせよ、この半導体加熱処理装
置においては、炉３２の長手方向で石英管３１を取り出
す分割型ではなく一体型の炉を有する半導体加熱処理装
置の場合に比べ極めて容易に、かつ、短時間内で石英管
の出し入れを行うことができるという利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体加熱処理装置は、炉３２の開閉を炉３２
から石英管３１を出し入れするためだけに行っており、
９００℃（成長温度）程度まで昇温した炉３２の冷却
を炉３２近傍に設けたラジエター、排気ダクト等による
自然空冷によって行っていたため、ヒーターをＯＦＦに
してもヒーターの降温スピードが著しく遅く、石英管３
１の付帯作業温度（１００ ℃程度以下）に達するまで
に６〜７時間以上と待機時間に長時間を要し、装置全体
の稼働率が低下してしまうという問題があった。
た従来の半導体加熱処理装置は、炉３２の開閉を炉３２
から石英管３１を出し入れするためだけに行っており、
９００℃（成長温度）程度まで昇温した炉３２の冷却
を炉３２近傍に設けたラジエター、排気ダクト等による
自然空冷によって行っていたため、ヒーターをＯＦＦに
してもヒーターの降温スピードが著しく遅く、石英管３
１の付帯作業温度（１００ ℃程度以下）に達するまで
に６〜７時間以上と待機時間に長時間を要し、装置全体
の稼働率が低下してしまうという問題があった。
【０００７】そこで本発明は、ヒーターの降温時間を短
縮して石英管の付帯作業温度に達するまでの待機時間を
短縮することができ、装置稼働率を向上させることがで
きる半導体加熱処理装置を提供することを目的としてい
る。
縮して石英管の付帯作業温度に達するまでの待機時間を
短縮することができ、装置稼働率を向上させることがで
きる半導体加熱処理装置を提供することを目的としてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体加熱
処理装置は上記目的達成のため、熱処理される縦長の石
英管が炉の内部に配置され、該炉がその長手方向に２分
割され、２分割された炉半部分の少なくともどちらか一
方が炉開閉ヒンジ部によって開閉可能な構成とした半導
体加熱処理装置において、該炉半部分の少なくともどち
らか一方を開けるのを間欠揺動的または自動揺動的に行
う手段を設けるものである。
処理装置は上記目的達成のため、熱処理される縦長の石
英管が炉の内部に配置され、該炉がその長手方向に２分
割され、２分割された炉半部分の少なくともどちらか一
方が炉開閉ヒンジ部によって開閉可能な構成とした半導
体加熱処理装置において、該炉半部分の少なくともどち
らか一方を開けるのを間欠揺動的または自動揺動的に行
う手段を設けるものである。
【０００９】
【作用】本発明では、図１に示すように、加熱された石
英管１及び炉２の冷却を炉開閉メカ機構部５によって炉
半部分２ｂを間欠揺動的に開けることにより行うように
したため、ヒートダウン時における炉２内の高温熱雰囲
気を炉２外に排気することができ、従来の自然空冷によ
る場合よりも急激なる強制空冷を行うことができる。
英管１及び炉２の冷却を炉開閉メカ機構部５によって炉
半部分２ｂを間欠揺動的に開けることにより行うように
したため、ヒートダウン時における炉２内の高温熱雰囲
気を炉２外に排気することができ、従来の自然空冷によ
る場合よりも急激なる強制空冷を行うことができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明に係る半導体加熱処理装置の一実施例の構成
を示す装置概略図（横方向断面図）である。図１におい
て、１は石英管であり、図２に示した従来と同様円筒形
のものを使用し、炉２をその長手方向に炉半部分２ａと
炉半部分２ｂとに２分割し、炉開閉ヒンジ部３によって
例えば炉半部分２ｂが開閉可能な如く構成し、石英管１
を炉２の長手方向ではなく炉２の縦軸に垂直な方向に出
入可能にする。なお、炉半部分２ｂに代え炉半部分２ａ
を開閉可能な構成としてもよい。
１は本発明に係る半導体加熱処理装置の一実施例の構成
を示す装置概略図（横方向断面図）である。図１におい
て、１は石英管であり、図２に示した従来と同様円筒形
のものを使用し、炉２をその長手方向に炉半部分２ａと
炉半部分２ｂとに２分割し、炉開閉ヒンジ部３によって
例えば炉半部分２ｂが開閉可能な如く構成し、石英管１
を炉２の長手方向ではなく炉２の縦軸に垂直な方向に出
入可能にする。なお、炉半部分２ｂに代え炉半部分２ａ
を開閉可能な構成としてもよい。
【００１１】炉開閉ヒンジ部３は炉２の長手方向に複数
個適宜間隔をおいて設けても、または、強固な材料で１
個所に設けてもよい。ここでは所定間隔を開けて 個
所設ける。
個適宜間隔をおいて設けても、または、強固な材料で１
個所に設けてもよい。ここでは所定間隔を開けて 個
所設ける。
【００１２】抵抗加熱ヒーターとなるコイルは従来と同
様、適正な温度分布を得る目的でこのコイルを簾状に石
英管１を取り囲むように配置し、コイルのために碍子を
設け、更に断熱材を設ける。そして、炉開閉ヒンジ部３
が２分割された炉２を有する分割炉４と炉開閉メカ機構
部５間を連結するようになっており、その炉半部分２ａ
，２ｂ間の開閉を間欠制御する間欠制御部６が炉開閉メ
カ機構部５に取付けられており、処理室７に設けられた
排気ダクト８で炉２の高温熱雰囲気を排気するようにな
っている。ここでの５ａ及び５ｂは分割炉４を間欠開閉
する炉開閉メカ機構部５を構成しており、例えばワイヤ
ー支持及びＡＣモーター駆動による揺動機構で構成され
ている。間欠揺動動作は間欠制御部６にて設定された動
作時間にて揺動動作する。また、揺動タイム・パラメー
ターを伴うタイム監視制御により任意の揺動角度が自動
調整され、間欠なる分割炉の開閉度を一定にする。
様、適正な温度分布を得る目的でこのコイルを簾状に石
英管１を取り囲むように配置し、コイルのために碍子を
設け、更に断熱材を設ける。そして、炉開閉ヒンジ部３
が２分割された炉２を有する分割炉４と炉開閉メカ機構
部５間を連結するようになっており、その炉半部分２ａ
，２ｂ間の開閉を間欠制御する間欠制御部６が炉開閉メ
カ機構部５に取付けられており、処理室７に設けられた
排気ダクト８で炉２の高温熱雰囲気を排気するようにな
っている。ここでの５ａ及び５ｂは分割炉４を間欠開閉
する炉開閉メカ機構部５を構成しており、例えばワイヤ
ー支持及びＡＣモーター駆動による揺動機構で構成され
ている。間欠揺動動作は間欠制御部６にて設定された動
作時間にて揺動動作する。また、揺動タイム・パラメー
ターを伴うタイム監視制御により任意の揺動角度が自動
調整され、間欠なる分割炉の開閉度を一定にする。
【００１３】一方、炉２の強制空冷が開始されると、ヒ
ーターはヒートダウンし、各種の監視インターロック及
び安全確認を経てから上記同様な分割炉の任意なる間欠
開閉が実行される。この間欠開閉は分割炉全開における
高温熱雰囲気の放出によって生じ、ヒーター素線の劣化
防止、炉体開閉メカ機構部の保護、熱雰囲気における排
気効率の改善等のために実施する。この間欠開閉動作は
全閉状態（炉２温度 ９００℃） →間欠開閉１（開閉
度：約１０度）→冷却１（待機時間：約１０分）→間欠
開閉２（開閉度：約３０度）→冷却２（待機時間：約２
０分）→間欠開閉３（開閉度：約４５度）→冷却３（待
機時間：約３０分）→全開状態（開閉度：約５０度）→
冷却４（待機時間：降温設定温度 １００℃）から成り
立っている。これらの動作シーケンスは炉開閉メカ機構
部５と間欠制御部６との連動動作によって、分割炉４の
任意なる間欠開閉を実行することができる。このような
手段によって、ヒートダウン時における炉２内の高温熱
雰囲気を炉体開度と冷却時間の任意パラメーター及び間
欠動作シーケンスの組み合わせにより、炉２の急激な強
制空冷を実行することができる。なお、ヒーターの熱容
量及び排気ダクト容量による降温スピードの変化は任意
パラメーターの設定変更にて対応すればよい。
ーターはヒートダウンし、各種の監視インターロック及
び安全確認を経てから上記同様な分割炉の任意なる間欠
開閉が実行される。この間欠開閉は分割炉全開における
高温熱雰囲気の放出によって生じ、ヒーター素線の劣化
防止、炉体開閉メカ機構部の保護、熱雰囲気における排
気効率の改善等のために実施する。この間欠開閉動作は
全閉状態（炉２温度 ９００℃） →間欠開閉１（開閉
度：約１０度）→冷却１（待機時間：約１０分）→間欠
開閉２（開閉度：約３０度）→冷却２（待機時間：約２
０分）→間欠開閉３（開閉度：約４５度）→冷却３（待
機時間：約３０分）→全開状態（開閉度：約５０度）→
冷却４（待機時間：降温設定温度 １００℃）から成り
立っている。これらの動作シーケンスは炉開閉メカ機構
部５と間欠制御部６との連動動作によって、分割炉４の
任意なる間欠開閉を実行することができる。このような
手段によって、ヒートダウン時における炉２内の高温熱
雰囲気を炉体開度と冷却時間の任意パラメーター及び間
欠動作シーケンスの組み合わせにより、炉２の急激な強
制空冷を実行することができる。なお、ヒーターの熱容
量及び排気ダクト容量による降温スピードの変化は任意
パラメーターの設定変更にて対応すればよい。
【００１４】このように、本実施例では、加熱された石
英管１及び炉２の冷却を炉開閉メカ機構部５によって炉
半部分２ｂを間欠的に開けることにより行うようにした
ため、ヒートダウン時における炉２内の高温熱雰囲気を
炉２外に排気することができる。このため、従来の自然
空冷による場合よりも急激なる強制空冷を行うことがで
き、ヒーターの降温時間を短縮して石英管１の付帯作業
温度に達するまでの待機時間を短縮することができる。 従って、装置稼働率を向上させることができる。
英管１及び炉２の冷却を炉開閉メカ機構部５によって炉
半部分２ｂを間欠的に開けることにより行うようにした
ため、ヒートダウン時における炉２内の高温熱雰囲気を
炉２外に排気することができる。このため、従来の自然
空冷による場合よりも急激なる強制空冷を行うことがで
き、ヒーターの降温時間を短縮して石英管１の付帯作業
温度に達するまでの待機時間を短縮することができる。 従って、装置稼働率を向上させることができる。
【００１５】なお、上記実施例では分割炉４を開けるの
を間欠揺動動作で行う場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、ゆっくりした自動揺
動動作で行う場合であってもよい。
を間欠揺動動作で行う場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、ゆっくりした自動揺
動動作で行う場合であってもよい。
【００１６】上記実施例は、分割炉を横型設置する場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、開閉可能に付随する設置様式、例えば縦型設置
する場合であってもよい。また、熱雰囲気の排気方法を
、排気ダクト８で行うのではなく、強制空冷に付随する
排気源、例えば水封ポンプのエアー吸入口等で行う場合
であってもよい。
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、開閉可能に付随する設置様式、例えば縦型設置
する場合であってもよい。また、熱雰囲気の排気方法を
、排気ダクト８で行うのではなく、強制空冷に付随する
排気源、例えば水封ポンプのエアー吸入口等で行う場合
であってもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ヒーターの降温時間を
短縮して石英管の付帯作業温度に達するまでの待機時間
を短縮することができ、装置稼働率を向上させることが
できるという効果がある。
短縮して石英管の付帯作業温度に達するまでの待機時間
を短縮することができ、装置稼働率を向上させることが
できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例に則した半導体加熱処理装置
の構成を示す装置概略図である。
の構成を示す装置概略図である。
【図２】従来例の半導体加熱処理装置の構成を示す装置
概略図である。
概略図である。
１ 石英管
２ 炉
２ａ，２ｂ 炉半部分
３ 炉開閉ヒンジ部
Claims (1)
- 【請求項１】 熱処理される縦長の石英管（１）が炉
（２）の内部に配置され、該炉（２）がその長手方向に
２分割され、２分割された炉半部分（２ａ，２ｂ）の少
なくともどちらか一方が炉開閉ヒンジ部（３）によって
開閉可能な構成とした半導体加熱処理装置において、該
炉半部分（２ａ，２ｂ）の少なくともどちらか一方を開
けるのを間欠揺動的または自動揺動的に行う手段を設け
ることを特徴とする半導体加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2603891A JP2968062B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 半導体加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2603891A JP2968062B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 半導体加熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264717A true JPH04264717A (ja) | 1992-09-21 |
| JP2968062B2 JP2968062B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=12182536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2603891A Expired - Fee Related JP2968062B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 半導体加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2968062B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1027903C2 (nl) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Tempress Systems | Verticale oven voor het bewerken onder hoge temperatuur van uit halfgeleider bestaande materialen. |
| JP2007127350A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Nachi Fujikoshi Corp | 小形真空浸炭炉 |
| CN107588664A (zh) * | 2017-07-18 | 2018-01-16 | 广州博塑科学仪器有限公司 | 一种电缆烧结炉 |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP2603891A patent/JP2968062B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1027903C2 (nl) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Tempress Systems | Verticale oven voor het bewerken onder hoge temperatuur van uit halfgeleider bestaande materialen. |
| JP2007127350A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Nachi Fujikoshi Corp | 小形真空浸炭炉 |
| CN107588664A (zh) * | 2017-07-18 | 2018-01-16 | 广州博塑科学仪器有限公司 | 一种电缆烧结炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2968062B2 (ja) | 1999-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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