KR950030283A - 반도체소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 저장전극 형성방법 Download PDF

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KR950030283A
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photoresist
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김대영
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 종래기술로 형성한 실린더형 저장전극은 반도체 소자가 고집적화되면서 한계성을 맞이하게 되었다. 따라서, 종래기술로 인한 한계성을 극복하기 위하여, 반도체기판의 예정된 부위에 제1저장전극용 다결정실리콘이 매립된 콘택홀을 형성한 다음, 그 상부에 측벽에 굴곡을 갖는 감광막패턴을 형성하고 상기 감광막패턴의 측면에 같은 높이의 절연막을 증착한 다음, 상기 감광막패턴을 제거하고 제2저장전극용 다결정실리콘을 증착한 다음, 상기 제2저장전극용 다결정실리콘의 편평한 부분을 제거하고 절연막을 제거함으로써, 상기 콘택홀을 통해서 반도체기판에 접속되고 양측벽에 굴곡을 갖는 실린더형 저장전극을 형성하여 반도체소자의 생산성을 향상시키고 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 저장전극 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예로서 반도체소자의 저장전극 형성공정을 도시한 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체소자의 저장전극 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부절연층 및 제1절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용하여 상기 제1절연막과 하부절연층을 순차적으로 식각하여 상기 반도체기판 상부에 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀에 제1저장전극용 다결정실리콘막을 매립한 플러그를 형성하는 공정과, 상기 전체구조상부에 제1감광막을 도포하고 저장전극 마스크를 이용하여 측벽에 굴곡을 갖는 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴의 상부면까지 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 제거하여 홈을 형성한 다음, 전체구조상부에 제2저장전극용 다결정실리콘막을 일정두께 증착하는 공정과, 상기 홈에 제2감광막을 매립하는 공정과, 에치백공정으로 노출된 상기 제2저장전극용 다결정실리콘막을 식각하는 공정과, 상기 제2감광막과 제2절연막을 제거하여 양측벽에 굴곡이 형성된 실린더를 구비한 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1감광막패턴은 저장전극을 이용하여 노광공정을 실시한 다음, 경화시키기위한 열공정을 실시하지않고 노광된 감광막을 현상하여 상기 제1감광막패텬의 양측벽을 굴곡지게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1감광막패턴의 측벽에 형성된 굴곡은 노광시키는 빛의 세기와 파장으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1감광막패턴의 측벽에 형성된 굴곡의 깊이는 400A-600A정도로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 낮은 온도에서 증착이 가능하며 증착시 감광막에 손상을 주지 않는 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 실리콘질화막을 사용하고 상기 제2절연막은 SOG 를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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