KR950028594A - 싱글 포인트 본딩 방법 - Google Patents

싱글 포인트 본딩 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950028594A
KR950028594A KR1019950007009A KR19950007009A KR950028594A KR 950028594 A KR950028594 A KR 950028594A KR 1019950007009 A KR1019950007009 A KR 1019950007009A KR 19950007009 A KR19950007009 A KR 19950007009A KR 950028594 A KR950028594 A KR 950028594A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inner lead
leads
lead
inner leads
bonding method
Prior art date
Application number
KR1019950007009A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0149814B1 (ko
Inventor
미찌다까 우루시마
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR950028594A publication Critical patent/KR950028594A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0149814B1 publication Critical patent/KR0149814B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/86Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

리드를 1개씩 접합하는 싱글 포인트 본딩 방법은 본딩 시간이 걸리기 때문에 본딩시에 가해지는 온도에 따라 베이스 필름이 변형되어, 리드 어긋남을 발생하여 버린다. 그 본딩 순서를 최적화하여 리드 어긋남에 따른 불량을 방지한다.
공정①에서 제1코너 인너 리드(26)를 접속하고, 다음 공정②에서 제2코너 부분의 인너리드(28)로부터 중앙 부분의 인너 리드(27)까지 순차 접속하고, 다음 공정③에서 인너 리드(26)의 다음으로부터 인너 리드(27)까지 순차 접속한다.

Description

싱글 포인트 본딩 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 제1실시예에 싱글 포인트 본딩 방법을 도시한 사시도,
제2도는 본 발명의 제2실시예의 사시도,
제3도는 본 발명의 제3실시예의 사시도,
제4도는 본 발명 실시예의 응용예를 도시한 사시도,
제5(a), (b)도는 필름 캐리어와 반도체 칩을 각각 도시한 평면도, 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 칩의 사각형의 주표면(主表面)의 각 변을 따라서 다수 배열된 전극에, 각각 대향하는 인너 리드를 베이스 필름에 배열하여 이루어지는 인너 리드열을 구비한 필름 캐리어 테이프를 이용하여, 상기 전극과 이것에 대향하는 상기 인너 리드를 순차적 접속하는 싱글 포인트 본딩 방법에 있어서, 상기 인너 리드열 중 제1코너 부분의 인너 리드를 최초에 접속한 후 제2코너 부분의 인너 리드로부터 중앙 부분의 인너 리드 까지를 순차 접속하고 계속하여 상기 제1코너 부분의 인너 리드의 다음 인너 리드부로부터 상기 중앙 부분의 인너리드에 이르기 까지의 인너 리드를 순차 접속하는 것을 특징으로 하는 싱글 포인트 본딩 방법.
  2. 반도체 칩의 사각형의 주표면의 각 변을 따라서 다수 배열된 전극에 각각 대향하는 인너 리드를 베이스 필름에 배열하여 이루어지는 인너 리드열을 구비한 필름 캐리어 테이프를 이용하여 상기 전극과 이것에 대향하는 상기 인너 리드를 순차접속하는 싱글 포인트 본딩 방법에 있어서, 상기 인너 리드열 중 제1코너 부분의 인너 리드를 최초에 접속한 후, 중앙 부분의 인너 리드를 접속하고, 이 다음에 제2코너 부분의 인너 리드로부터 상기 중앙 부분의 인너 리드에 이르기까지의 인너 리드를 순차 접속하고 이 다음에 상기 제코너 부분의 다음 인너 리드로부터 상기 중앙 부분의 인너 리드에 이르기까지의 인너리드를 순차 접속하는 것을 특징으로 하는 싱글 포인트 본딩 방법.
  3. 반도체 칩의 사각형의 주표면의 각 변을 따라서 다수 배열된 전극에, 각각 대향하는 인너 리드를 베이스 필름에 배열하여 이루어지는 인너 리드열을 구비한 필름 캐리어 데이타를 이용하여, 상기 전극과, 이것에 대향하는 상기 인너 리드를 순차 접속하는 싱글 포인트 본딩 방법에 있어서, 상기 인너 리드열 중 제1코너 부분의 인너 리드를 최초에 접속한 후, 제2코너 부분의 인너 리드를 향하여 복수의 중간 부분의 인너 리드를 순차 접속하고, 계속하여 상기 제2코너 부분의 인너 리드로부터 중앙 부분의 인너 리드를 제외하고 순차 접속하고, 계속하여 상기 제1코너 부분의 인너 리드의 다음 인너 리드로부터 상기 중앙 부분의 인너 리드에 이르기 까지를 상기 중간 부분의 인너 리드를 제외하고 순차 접속하는 것을 특징으로 하는 싱글 포인트 본딩 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중앙 부분의 인너 리드를 접속할 때, 상기 제1 및 제2코너 부분의 인너 리드를 접속했을 때에 발생하는 상기 베이스 필름의 최대 변위의 위치에 가장 가까운 인너 리드인지 또는 이 인너 리드를 포함하는 복수의 인너 리드를 상기 중앙 부분의 인너 리드로서 접속하는 것을 특징으로 하는 싱글 포인트 본딩 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2코너 부분의 인너 리드 내의 각 인너 리드를 접속하는 순서가 상기 중앙 부분 인너 리드의 방향으로 향하는 것을 특징으로 하는 싱글 포인트 본딩 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1코너 부분의 인너 리드 접속 수(數)가 그 변(邊)의 전체 인너 리드 총 수의 25%이내의 접속수로 되어 있는 것을 특징으로 하는 싱글 포인트 본딩 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 중앙 부분의 인너 리드의 접속수가 그 변의 전체 인너 리드 총수의 25%이내의 접속수로 되어 있는 것을 특징으로 하는 싱글 포인트 본딩 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950007009A 1994-03-30 1995-03-30 싱글 포인트 본딩 방법 KR0149814B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6061739A JP2674501B2 (ja) 1994-03-30 1994-03-30 シングル・ポイント・ボンディング方法
JP94-061739 1994-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950028594A true KR950028594A (ko) 1995-10-18
KR0149814B1 KR0149814B1 (ko) 1998-12-01

Family

ID=13179869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950007009A KR0149814B1 (ko) 1994-03-30 1995-03-30 싱글 포인트 본딩 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5662263A (ko)
EP (1) EP0675533B1 (ko)
JP (1) JP2674501B2 (ko)
KR (1) KR0149814B1 (ko)
DE (1) DE69500635T2 (ko)
TW (1) TW299489B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7004644B1 (en) * 1999-06-29 2006-02-28 Finisar Corporation Hermetic chip-scale package for photonic devices
KR20020069884A (ko) * 2001-02-28 2002-09-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지의 와이어 본딩 방법
JP2003007773A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Nec Corp ボンディングツールおよびボンディング方法
US7005729B2 (en) * 2002-04-24 2006-02-28 Intel Corporation Device packaging using tape automated bonding (TAB) strip bonded to strip carrier frame
US20060021901A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Sven Dobler Removable sampler
US8912667B2 (en) * 2012-01-31 2014-12-16 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged integrated circuit using wire bonds

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5921055A (ja) * 1982-07-26 1984-02-02 Nec Corp 半導体装置
JPH0424933A (ja) * 1990-05-15 1992-01-28 Toshiba Corp シングルポイントtab方法
JPH0574875A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Nec Corp Tabインナーリードの接合方法
JPH05183020A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Nec Kansai Ltd Tabリード型半導体装置の製造方法
JPH06151512A (ja) * 1992-10-30 1994-05-31 Nec Corp Tabテープおよびtabインナーリードの接合方法
US5269452A (en) * 1992-11-12 1993-12-14 Northern Telecom Limited Method and apparatus for wirebonding

Also Published As

Publication number Publication date
KR0149814B1 (ko) 1998-12-01
DE69500635T2 (de) 1998-04-02
TW299489B (ko) 1997-03-01
JP2674501B2 (ja) 1997-11-12
EP0675533A1 (en) 1995-10-04
US5662263A (en) 1997-09-02
DE69500635D1 (de) 1997-10-09
EP0675533B1 (en) 1997-09-03
JPH07273144A (ja) 1995-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0538003B1 (en) Method of manufacturing inversion type ICs and IC module using same
US4496965A (en) Stacked interdigitated lead frame assembly
US5227995A (en) High density semiconductor memory module using split finger lead frame
US5084753A (en) Packaging for multiple chips on a single leadframe
KR950001854A (ko) 수지봉지형 반도체장치의 제조방법과, 이 제조방법에 이용되는 복수의 반도체소자를 설치하기위한 리드프레임과, 이 제조방법에 의해 제조되는 수지봉지형 반도체장치
KR850700288A (ko) 동시접합 작업에 적합한 집적회로 리드 프레임
KR870011692A (ko) 반도체 장치 패키지
KR910007096A (ko) Tab 테이프와 반도체 칩을 접속하는 방법 및 그것에 사용하는 범프시이트와 범프부착 tab 테이프
US6121690A (en) Semiconductor device having two pluralities of electrode pads, pads of different pluralities having different widths and respective pads of different pluralities having an aligned transverse edge
KR950028594A (ko) 싱글 포인트 본딩 방법
JPH057868B2 (ko)
KR100281216B1 (ko) 반도체 장치
KR950013330A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR910007120A (ko) 전기 회로용 디자인 시스템 및 반도체 박막 다중 칩 모듈
JPS62113459A (ja) フイルムキヤリア
JPH0685150A (ja) 集積回路
US6291841B1 (en) Flat interconnection semiconductor package
JPS6216552A (ja) 半導体装置
JPS63244658A (ja) 半導体装置
JPH034547A (ja) 半導体装置
JPS6358879A (ja) 光半導体素子アレイ
JPH01258447A (ja) 混成集積回路の積層厚膜基板
JPS629652A (ja) 半導体装置
JPS62188333A (ja) 集積回路装置
KR920001699A (ko) 반도체장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040524

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee