KR950021332A - 패턴 측정방법 - Google Patents

패턴 측정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950021332A
KR950021332A KR1019930028872A KR930028872A KR950021332A KR 950021332 A KR950021332 A KR 950021332A KR 1019930028872 A KR1019930028872 A KR 1019930028872A KR 930028872 A KR930028872 A KR 930028872A KR 950021332 A KR950021332 A KR 950021332A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
data
optical system
chip
design drawing
Prior art date
Application number
KR1019930028872A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100268779B1 (ko
Inventor
배상만
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930028872A priority Critical patent/KR100268779B1/ko
Priority to KR2019940013531U priority patent/KR970005776Y1/ko
Publication of KR950021332A publication Critical patent/KR950021332A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100268779B1 publication Critical patent/KR100268779B1/ko

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16NLUBRICATING
    • F16N31/00Means for collecting, retaining, or draining-off lubricant in or on machines or apparatus

Abstract

반도체소자의 패턴공정에 의해 제조된 측정방법에 있어서, 마스크에 설계된 패턴을 디지탈 신호로 저장하는 입력데이타와 웨이퍼의 칩상에 형성되는 패턴을 광학 시스템으로 측정한 데이타를 비교하여 비교된 데이타의 공차가 공정마진 데이타에 포함되는지를 검사하여 패턴의 양품과 불량품을 판단하도록 하는 방법이다.

Description

패턴 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의해 모든 칩의 패턴을 측정하는 방법을 도시한 도면이다.
제3도는 칩 가장자리에 패턴 영역을 형성한 도면이다.
제4도는 패턴영역 내의 패턴을 도시한 도면이다.
제5도는 본 발명에 의해 패턴을 측정하는 방법을 도시한 블럭도이다.

Claims (3)

  1. 반도체소자의 패턴공정에 의해 제조된 측정방법에 있어서, 마스크에 설계된 패턴을 디지탈 신호로 저장하는 입력데이타와 웨이퍼의 칩상에 형성되는 패턴을 광학 시스템으로 측정한 데이타를 비교하여 비교된 데이타의 공차가 공정마진 데이타에 포함되는지를 검사하여 패턴의 양품과 불량품을 판단하는 방법을 특징으로 하는 패턴 측정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 칩상에 형성되는 패턴은 복잡하기 때문에 칩 가장자리 스크라이브 라인에 별도의 패턴영역을 만들고, 이 패턴영역에 형성된 패턴을 광학시스템으로 측정하는 것을 특징으로 하는 패턴 측정방법.
  3. 제1항에 있어서, 공정마진 범위의 데이타 측정방법으로, 종래의 광학 시스템(데이타 베이스 비교방식의 결함검사장치)이 마스크 패턴 설계도면 1개를 공정 스펙범위를 측정할 수 있도록 가상적인 설계도면을 설치 이들 설계도면 데이타들과, 웨치퍼 상의 패턴 싸이즈 1개가 어느 하나 이상과 일치할 때, 공정 스펙 마진에 들어오는 것으로 간주하고, 전혀 일치하지 않을때는 스펙 아웃으로 판단하는 결함검사 장치에 의한 공정 스펙 검사방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028872A 1993-12-21 1993-12-21 반도체소자의 패턴 결함 검사방법 KR100268779B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930028872A KR100268779B1 (ko) 1993-12-21 1993-12-21 반도체소자의 패턴 결함 검사방법
KR2019940013531U KR970005776Y1 (ko) 1993-12-21 1994-06-10 오일교환 및 수거장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930028872A KR100268779B1 (ko) 1993-12-21 1993-12-21 반도체소자의 패턴 결함 검사방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950021332A true KR950021332A (ko) 1995-07-26
KR100268779B1 KR100268779B1 (ko) 2000-11-01

Family

ID=19371955

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930028872A KR100268779B1 (ko) 1993-12-21 1993-12-21 반도체소자의 패턴 결함 검사방법
KR2019940013531U KR970005776Y1 (ko) 1993-12-21 1994-06-10 오일교환 및 수거장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019940013531U KR970005776Y1 (ko) 1993-12-21 1994-06-10 오일교환 및 수거장치

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR100268779B1 (ko)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03159252A (ja) * 1989-11-17 1991-07-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 集積回路試験装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR970005776Y1 (ko) 1997-06-13
KR950019753U (ko) 1995-07-24
KR100268779B1 (ko) 2000-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870000599A (ko) 반도체 검사장치 및 반도체 검사방법
KR100194745B1 (ko) 포토마스크 패턴결함을 검사하는 장치 및 방법
KR870007561A (ko) 피검사물의 표면 검사 장치
KR930018686A (ko) 복수의 반도체 웨이퍼와 결합된 맵핑 결함을 특징지우는 방법
US5793650A (en) System and method of identifying the number of chip failures on a wafer attributed to cluster failures
KR950019753A (ko) 반도체 집적회로의 검사 방법 및 장치
KR950021332A (ko) 패턴 측정방법
JPS6246239A (ja) 表面異物検査装置
KR0165319B1 (ko) 포토리소그래피 공정에서의 공정 마진 평가 방법
JPS63124939A (ja) パターン検査方法およびその装置
JP2003273172A (ja) マーキング方法
JPS6165444A (ja) 被検査チツプの回路パタ−ン外観検査方法並びにその装置
US20040253754A1 (en) System and method for testing a semiconductor chip
KR100256806B1 (ko) 반도체 웨이퍼 결함 검사시의 원점 통일 패턴
KR0182170B1 (ko) 유기 박막 경도 측정 장치
Eran et al. Improved image acquistion for advanced reticle inspection
KR970006519Y1 (ko) 디바이스의 리드변형 측정장치
JPS54162475A (en) Inspection unit for semiconductor device
KR950015695A (ko) 반도체 소자의 패턴 중첩도 측정 방법
JPS57154003A (en) Detection of defect on semiconductor chip pattern
KR940010645B1 (ko) 방사형 정합패턴
JPS6186637A (ja) パタ−ン欠陥検出方法
KR910003776A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR200179267Y1 (ko) 반도체의 패턴정렬에 사용되는 오버레이 계측키
KR0127661B1 (ko) 반도체 제조용 레티클을 이용한 자동 노광방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080619

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee