KR950021321A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 폴리실리콘층과 감광막 패턴의 사이에 산화막을 개재시킨후, 상기 감광막 패턴을 마스크로 건식식각하여 산화막 패턴을 형성하고, 공정부산물을 습식방법으로 제거한 후 CD를 측정하며, 상기 산화막 패턴을 마스크로 하여 폴리실리콘층 패턴을 정확하게 형성하였으므로, 폴리실리콘층의 FICD를 측정하여 소장의 제조공정을 간단하게 하고, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (A)및 (B)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조공정도이다.
Claims (2)
- 폴리실리콘층 상에 CD검사에 충분한 두께로 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막 상에 상기 폴리실리콘층의 패턴으로 예정된 부분을 보호하는 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴에 의해 노출되어 있는 산화막을 건식식각 방법으로 제거하여 산화막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 구조의 기판을 소정의 식각용액에 담궈 건식식각의 부산물인 폴리머를 제거하는 공정과, 상기 산화막 패턴에 의해 노출되어 있는 폴리실리콘층을 제거하여 폴리실리콘층 패턴을 형성하는 반도체 소장의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각용액이 50:1에서 100:1로 희석된 HF나 BOE인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031850A KR950021321A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031850A KR950021321A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021321A true KR950021321A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66853541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930031850A KR950021321A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021321A (ko) |
-
1993
- 1993-12-31 KR KR1019930031850A patent/KR950021321A/ko not_active Application Discontinuation
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