KR950021111A - 반도체 소자의 소오스 콘택 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 소오스 콘택 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 소오스 이온주입영역상(4)에 전도층(6)을 형성하여 콘택을 이루는 반도체 소자의 소오스 콘택 형성방법에 있어서, 상기 소오스 이온주입영역(4)을 절단하는 형상의 트렌치(5)를 형성하는 단계, 금속층을 증착 상기 소오스 이온주입영역(4) 및 반도체 기판에 동시에 접속되는 소오스 전극(6)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소오스 콘택 형성 방법에 관한 것으로, 그라운드 접속을 위한 별도의 이온주입영역을 형성하지 않아도 되어 PN 접합에 의한 전압 드롭(Voltage Drop)을 막아주어서 메모리 소자의 안정성을 향상시키는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 소오스 콘택 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 실시예에 따른 NMOS의 소오스 콘택 공정도.

Claims (1)

  1. 소오스 이온주입영역상(4)에 전도층(6)을 형성하여 콘택을 이루는 반도체 소자의 소오스 콘택 형성 방법에 있어서, 상기 소오스 이온주입영역(4)을 절단하는 형상의 트렌치(5)를 형성하는 단계, 금속층을 증착 상기 소오스 이온주입영역(4) 및 반도체 기판에 동시에 접속되는 소오스 전극(6)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소오스 콘택 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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