KR960039418A - 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, P형 실리콘기판에 형성되는 반도체 장치에 있어, 네가티브(Negative) 입력전압특성을 개선시키기 위하여 ESD(Electric Static Discharge)회로를 포함하는 입력회로(Input circuit)의 주변에 Vcc 가드링(Guard ring)을 깊게 형성시키므로써 소자의 전기적특성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 장치에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 소자의 개념도.
Claims (3)
- 반도체 장치에 있어서, 웰이 형성된 실리콘기판과, 상기 실리콘기판의 ESD회로를 포함하는 입력회로지역 및 메모리 셀 또는 주변회로지역에 각각 형성되며 게이트전극, 소오스영역 및 드레인영역으로 이루어진 트랜지스터와, 상기 ESD회로를 포함하는 입력회로지역의 드레인영역으로부터 소정거리 이격되어 형성된 픽업영역과, 상기 ESD회로를 포함하는 입력회로지역으로부터 소정거리 이격된 주변에 형성되며 상기 소오스 및 드레인 영역보다 깊은 접합깊이를 갖는 Vcc 가드링으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 Vcc 가드링은 양측면에서 각각 불순물이온을 주입하는 경사이온주입방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 불순물이온 주입시의 경사각은 0°및 7°인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009737A KR960039418A (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009737A KR960039418A (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 반도체 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039418A true KR960039418A (ko) | 1996-11-25 |
Family
ID=66523342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950009737A KR960039418A (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 반도체 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960039418A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100535089B1 (ko) * | 1999-04-09 | 2005-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
-
1995
- 1995-04-25 KR KR1019950009737A patent/KR960039418A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100535089B1 (ko) * | 1999-04-09 | 2005-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
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