KR950020851A - 전계 방출 냉음극 및 그 제조방법 - Google Patents

전계 방출 냉음극 및 그 제조방법 Download PDF

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가네꼬 히사시
니뽄 덴끼 가부시끼 가이샤
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Abstract

고저항 에피택셜 층이 기판위에 형성되며 게이트 전극을 통하여 형성된 구경을 거쳐 고저항 에피택셜 층으로 이온을 주입함으로써 각각의 에미터에 저항층이 형성된다. 에미터는 저항층 위에 제공된다. 그렇지 않으면, 이온이 제1 전도성 형태의 반도체 기판에 주입되어 구경을 가진 게이트 전극을 마스크로서 사용하여 반도체 기판의 제1 전도성 형태와는 반대인 제2 전도성 형태의 영역을 제공한다. 에미터는 반도체 기판의 영역위에 제공된다.

Description

전계 방출 냉음극 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 따른 제1 내지 제3 실시예의 전계 방출 전극을 도시한 단면도,
제9A도, 9B도, 9C도, 9D도는 본 발명에 따른 제1 실시예의 전계 방출 음극 제조 방법을 도시한 단면도.

Claims (7)

  1. 전계 방출 냉음극에 있어서, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판위에 형성된 고저항 반도체 층과, 전자를 방출하며 상기 고저항 반도체 층위에 제공되며 날카로운 선단을 가진 전자 방출 전극과, 상기 고저항 반도체 층 위에 형성되며 상기 전자 방출 전극을 에워싸는 구멍을 가진 절연층 및, 상기 절연층 위에 제공되며 상기 전자 방출 전극을 에워싸는 구경을 가진 제어 전극을 포함하며, 상기 고저항 반도체 층의 불순물 농도는 상기 고저항 반도체 층의 나머지 영역에서 보다 상기 방출 전극 아래의 영역에서 더 높은 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고저항 반도체 층은 에피택셜 층, 다결정 층, 비결정층 중 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전자 방출 전극 아래의 상기 영역의 불순물 농도는 나머지 영역에서 보다 상부 표면 영역에서 더 높은 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  4. 전계 방출 냉음극에 있어서, 반도체 기판과, 전자를 방출하며 상기 반도체 전극 위에 제공되어 있으며 날카로운 선단을 가진 전자 방출 전극과, 상기 반도체 기판 위에 형성되며 상기 전자 방출 전극을 에워싸는 구멍을 가진 절연층 및, 상기 절연층 위에 제공되며 상기 전자 방출 전극을 에워싸는 구경을 가진 제어 전극을 포함하며, 상기 반도체 기판은 상기 전자 방출 전극 아래의 영역과 함께 형성되며 상기 영역의 전도성 형태는 상기 반도체 기판의 나머지 영역의 전도성 형태와 반대인 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전자 방출 전극 아래의 상기 영역의 불순물 농도는 나머지 영역에서 보다 상부 표면 영역에서 더 높은 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
  6. 전계 방출 냉음극 제조 방법에 있어서, 고저항 반도체 층과 절연층 게이트 전극을 반도체 기판 위에 연속으로 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극과 절연층을 통하여 확장하는 구멍을 형성하는 단계와, 상기 구멍이 형성된 게이트 전극을 마스크로서 사용하여 상기 고저항 반도체 전극으로 이온을 주입하는 단계와 이 단계에 의해 상기 고저항 반도체 층의 전도성 형태와 동일한 전도성 형태의 높은 불순물 농도 영역을 제공하는 단계 및, 상기 높은 불순물 농도 영역위에 전자 방출 전극을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극 제조방법.
  7. 전계 방출 냉음극 제조 방법에 있어서, 절연층과 게이트 전극을 반도체 기판위에 연속적으로 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극과 절연층을 통하여 확장하는 구멍을 형성하는 단계 및, 상기 구멍이 형성된 게이트 전극을 마스크로서 사용하여 상기 반도체 기판으로 이온을 주입하는 단계와 이 단계에 의해 상기 반도체 기판의 전도성 형태와 반대되는 전도성 형태의 영역을 제공하는 단계 및, 상기 이온이 주입되는 상기 반도체 기판의 영역위에 전자 방출 전극을 형성하는 단계 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 냉음극.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940037700A 1993-12-28 1994-12-28 전계 방출 냉음극 및 그 제조방법 KR100189037B1 (ko)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0716438A1 (en) * 1994-12-06 1996-06-12 International Business Machines Corporation Field emission device and method for fabricating it
JP2897671B2 (ja) * 1995-01-25 1999-05-31 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極
JP3080004B2 (ja) * 1996-06-21 2000-08-21 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極およびその製造方法
WO1998034265A1 (fr) * 1997-02-04 1998-08-06 Leonid Danilovich Karpov Mode de preparation d'un appareil a resistances du type planar
FR2766011B1 (fr) * 1997-07-10 1999-09-24 Alsthom Cge Alcatel Cathode froide a micropointes
JP3595718B2 (ja) * 1999-03-15 2004-12-02 株式会社東芝 表示素子およびその製造方法
US8946739B2 (en) * 2005-09-30 2015-02-03 Lateral Research Limited Liability Company Process to fabricate integrated MWIR emitter
JP2007294126A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Canon Inc 電子放出素子、電子源、画像表示装置、及び、電子放出素子の製造方法
US8866068B2 (en) 2012-12-27 2014-10-21 Schlumberger Technology Corporation Ion source with cathode having an array of nano-sized projections

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5756384A (en) * 1980-09-19 1982-04-03 Tokyo Shibaura Electric Co Manufacture of ceramic heat transmitting body
DE3243596C2 (de) * 1982-11-25 1985-09-26 M.A.N. Maschinenfabrik Augsburg-Nürnberg AG, 8000 München Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Bildern auf einen Bildschirm
JPS63122161A (ja) * 1986-11-12 1988-05-26 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
FR2623013A1 (fr) * 1987-11-06 1989-05-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source
US5142184B1 (en) * 1990-02-09 1995-11-21 Motorola Inc Cold cathode field emission device with integral emitter ballasting
JPH04100239A (ja) * 1990-08-20 1992-04-02 Oki Electric Ind Co Ltd バイポーラ・トランジスタの製造方法
JP2626276B2 (ja) * 1991-02-06 1997-07-02 双葉電子工業株式会社 電子放出素子
JPH0536345A (ja) * 1991-07-25 1993-02-12 Clarion Co Ltd 電界放射型冷陰極の作製方法
JPH0547296A (ja) * 1991-08-14 1993-02-26 Sharp Corp 電界放出型電子源及びその製造方法
JP2720662B2 (ja) * 1991-09-30 1998-03-04 双葉電子工業株式会社 電界放出素子及びその製造方法
US5371431A (en) * 1992-03-04 1994-12-06 Mcnc Vertical microelectronic field emission devices including elongate vertical pillars having resistive bottom portions
JP2636630B2 (ja) * 1992-04-20 1997-07-30 双葉電子工業株式会社 電界放出素子及びその製造方法
US5451830A (en) * 1994-01-24 1995-09-19 Industrial Technology Research Institute Single tip redundancy method with resistive base and resultant flat panel display

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JP2809078B2 (ja) 1998-10-08
US5557160A (en) 1996-09-17
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JPH07201272A (ja) 1995-08-04

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