KR950015750A - 반도체 집적장치의 기준전압 발생회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 외부에서 입력되는 전원전압을 입력하여 일정한 전압 레벨을 가지는 기준전압을 발생하기 위한 기준전압 발생회로에 있어서, 상기 전원전압 레벨 이상으로 승압된 승압전압을 발생하기 위한 고전압 발생수단과, 상기 승압전압을 일정 전압 이하로 클램프하기 위한 클램핑 수단과, 상기 클램핑 수단을 통하여 클램프된 상기 승압전압의 리플을 방지하기 위한 리플 방지 수단과, 상기 리플 방지 수단을 통하여 출력되는 상기 승압전압을 감압하여 상기 전원전압 레벨 이하의 기준전압을 출력하기 위한 전압 분할 수단을 구비함을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 기준전압 발생회로에 의하여 외부에서 입력되는 전원전압의 변화, 반도체 집적 장치의 제조 공정 및 온도 편차에 따른 변화에 무관하게 일정한 전압 레벨을 가지는 기준전압을 제공함으로서 전체적인 반도체 집적회로의 동작 안정성 및 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명에 의한 기준전압 발생회로의 블럭 다이어그램을 보이는 도면,
제8도는 제7도에 따른 기준전압 발생회로의 상세 회로를 보이는 도면,
제9도는 제8도에 따른 기준전압 발생회로의 동작 타이밍도를 보이는 도면.
Claims (13)
- 외부에서 입력되는 전원전압을 입력하여 일정한 전압 레벨을 가지는 기준전압을 발생하기 위한 기준전압 발생회로에 있어서, 상기 전원전압 레벨 이상으로 승압된 승압전압을 발생하기 위한 고전압 발생수단과, 상기 승압전압을 일정 전압 이하로 클램프하기 위한 클램핑 수단과, 상기 클램핑 수단을 통하여 클램프된 상기 승압전압의 리플을 방지하기 위한 리플 방지 수단과, 상기 리플 방지 수단을 통하여 출력되는 상기 승압전압을 감압하여 상기 전원전압 레벨 이하의 기준전압을 출력하기 위한 전압 분할 수단을 구비함을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 고전압발생수단은 소정의 펌핑 클럭에 대응되어 상기 전원전압을 승압하기 위한 차아지 펌핑 캐패시터로 이루어짐을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 클램핑 수단은 소정의 역방향브레이크 다운 전압에 의하여 상기 승압전압이 클램프 록 다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 리플 방지 수단은 소정의 캐패시턴스를 가지는 쾌패시티르 이루어짐을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 클램프된 상기 승압전압은 1OV-18V임을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 기준전압은 1V-3V임을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 전압분할 회로는 두개의 직렬연결된 저항소자로 이루어짐을 특징으로하는 기준전압 발생회로.
- 제7항에 있어서, 상기 저항소자는 폴리실리콘 저항 또는 불순물 확산 저항으로 이루어짐을 특징으로 하는 기준전압 발생회로.
- 외부에서 입력되는 전원전압을 입력하여 일정한 전압 레벨을 가지는 기준전압을 발생하기 위한 기준전압 발생회로에 있어서, 상기 전원전압 레벨 이상으로 승압된 승압전압을 발생하기 위한 고전압 발생수단과, 상기 승압전압을 일정 전압 이하로 클램프하기 위한 클램핑 수단과, 상기 승압전압을 입력하여 상기 전원전압 레벨 이하의 기준전압이 출력되도록 상기 승압전압을 감압하는 전압분할 수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
- 제9항에 있어서, 상기 고전압 발생수단은 소정의 펌핑 클럭에 대응되어 상기 전원전압을 승아하기 위한 차아지 펌핑 캐패시터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
- 제9항에 있어서, 상기 전압 분할 회로는 직렬 연결된 저항소자로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
- 제9항에 있어서, 상기 승압전압은 1OV-18V임을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
- 제9항에 있어서, 상기 기준전압은 1V-3V임을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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