KR950014542B1 - 저반사막을 갖는 음극선관 및 그 제조방법 - Google Patents

저반사막을 갖는 음극선관 및 그 제조방법 Download PDF

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1995년12월05일
시기 모리야
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Abstract

내용 없음.

Description

저반사막을 갖는 음극선관 및 그 제조방법
제1도는 본 발명에 관한 저반사막을 갖는 음극선관의 1예에 있어서의 2층의 저반사막을 구비한 페이스플레이트 부분을 도시한 확대 단면 개념도.
제2도는 음극선관의 페이스부 및 저반사막의 분광 반사율을 도시한 도면.
제3도는 본 발명의 다른 실시예로서, 4층의 저반사막을 구비한 페이스플레이트 부분을 도시한 확대 단면개념도.
제4도는 본 발명의 또 다른 실시예로서, 2층의 저반사막을 구비한 페이스플레이트 부분을 도시한 확대단면 개념도.
제5도는 본 발명의 다른 실시예로서, 4층의 저반사막을 구비한 페이스플레이트 부분을 도시한 확대 단면개념도.
제6도는 음극선관의 페이스플레이트의 바깥 표면의 반사의 정도를 도시한 도면.
제7도는 광선택 흡수막을 갖는 음극선관의 형광면 부분을 도시한 확대 개략 단면도.
제8도는 음극선관의 형광면 부분을 도시한 확대 개략 단면도.
제9도는 대전방지 광선택 흡수막을 도시한 확대 단면 개념도.
제10도는 음극선관의 페이스부등의 분광 투과율 분포를 도시한 도면.
제11도는 대전방지 광선택 흡수막을 갖는 음극선관의 구조를 도시한 도면.
제12도는 음극선관의 페이스플레이트부의 표면 전위의 변화를 도시한 도면.
제13도는 표면 반사 측정 및 평가용의 백열등의 발광 스펙트럼 분포를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : 페이스플레이트 7 : 다공질 실리카막
8 : 유기계 또는 무기계의 염료 또는 안료입자 9 : 도전형 필러입자
10 : 고굴절율층 11 : 저굴절율층
12,32,42 52 : 저반사막 13 : 다공질산화티탄막
14 : 초미립자 플루오르화 마그네슘(MgF2)
본 발명은 페이스플레이트부에 저반사막을 형성한 저반사막을 갖는 음극선관 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 컬러텔레비젼 수상기의 화질에 대한 요구가 대단히 강해지고 있다. 이때문에 음극선관의 콘트라스트 성능에 대해서도 대폭적인 개선이 요망되고 있다.
이 콘트라스트 성능에 대해서, 제8도에 따라서 설명한다. 제8도는 음극선관의 형광면 부분의 확대 개략단면도이다. 페이스플레이트(2)의 내면에는 형광면의 외부광 반사율을 저하시켜서 콘트라스트 선응을 향상시키기 위한 흑색광흡수막(6), BGR3색 형광체층(4) 및 메탈백막(5)가 형성되어 있다.
지금, 형광면의 발광휘도를 F0, 페이스플레이트(2)를 투과해서 나오는 광의 출력휘도를 F1, 페이스플레이트(2)의 광투과율을 TP, BGR3색 형광체층(4), 흑색광흡수막(6) 및 메탈맥박(5)의 모두가 총괄된 형광막 반사율을 RP, 흑색광흡수막(6)의 열린구멍율을 TB, 형광면으로 들어오는 입사광의 강도를 E0, 페이스플레이트(2)의 바깥면에서 반사된 표면 반사 외부광의 강도를 E1, 페이스플레이트(2)의 내부표면과 형광막에서 반사되어 페이스플레이트(2)의 외부로 나가는 형광면 반사 외부광의 강도를 E2로 하면, 콘트라스트지표 Cr는 다음식으로 나타낼 수 있다.
[식 1]
상기의 식에서는 페이스플레이트(2)의 재질이 유리이므로, 공기 및 진공의 계면에서의 표면 반사를 4%로계산하였다. 상기의 식(1)에서 명확한 것은 식(3)에서 E1은 일정하므로, 콘트라스트 성능, 즉 콘트라스트 지표 Cr를 향상시키기 위해서는 출력휘도 F1를 크게 하던가, 형광면 반사 외부광의 강도 E2를 작게하면 좋다. 이 E2를 작게 하기 위해서는 식(4)에서 페이스플레이트(2)의 광투과율 Tp을 낮게 하는 것이 유효하다는 것을 알수 있다. 이때문에 음극선관의 콘트라스트 성능을 향상시키는 방법으로서, 페이스플레이트(2)의 광투과율 Tp를 내리는 것이 흔히 실행된다. 이 경우에는 단점으로서, 음극선관의 출력휘도 F1도 동시에 저하하는 것이 식(2)에서 명확하다.
제10도는 페이스플레이트(2) 및 형광면의 광학 특성을 설명하기 위한 도면이다. 도면중, BGR은 BGR3색 형광체층(4)에서의 발광의 상대 발광 강도 스펙트럼 분포를 도시한 것이다. 또, 도면중의 곡선II,III,IV, V는 페이스플레이트(2)의 유리 두께가 13mm의 경우의 상기 페이스플레이트(2)의 분광 투과율 분포를 도시한 것으로,II는 가시광 영역의 분광 투과율이 약 85%의 클리어형,III은 약 69%의 그레이형,IV는 약50%의 틴트형, V는 약 38%의 다크 틴트형의 분광 투과율 분포를 나타낸다. 페이스플레이트(2)의 분광 투과율은 낮을수록 음극선관의 형광면의 휘도 성능으로서는 불리하게되는 것은 BGR의 형광면의 상대 발광강도 스펙트럼 분포와의 관계에서 명확하지만, 음극선관의 형광면에 입사하는 외부광을 유효하게 제거할 수 있으므로, 콘트라스트상은 유리하게 되며, 최근의 컬러텔레비젼 수상기의 화질중시의 경향과 함께 휘도 성능중시의 종래의 클리어형 및 그레이형보다도 콘트라스트 성능중시의 틴트형 및 다크 틴트형의 페이스플레이트(2)가 많이 사용되도록 되어 있다.
또, 최근의 음극선관의 대형화 및 휘도 성능이나 포커스 성능의 개선에 따라서 음극선관의 형광면에 인가하는 전압, 즉 전자빔의 가속 전압이 높게 되어 오고 있으며, 컬러텔레비젼 수상식이 페이스 부분의 차지업현상의 문제가 크게 되어 오고 있다. 즉, 이 차지업에 의해 페이스 부분에 공기중의 미세한 먼지가 부착해서 오염 등이 눈에 띄기 쉽게 되며, 그 결과로서 음극선관의 휘도 성능을 저하시키는 원인으로 되고 있다. 또, 차지업한 페이스 부분에 시청자가 가깝게 있을때에 방전현상이 일어나서 시청자에게 불쾌감을 주는 불합리도 있다.
이와 같은 컬러텔레비젼 수상기의 페이스 부분의 대전방지와 영상의 콘트라스트 성능의 높은 향상을 목적으로 해서 제11도에 도시한 바와 같이, 음극선관의 페이스플레이트(2)의 바깥표면에 대전방지 광선택 흡수막(3)을 마련한 대전방지 광선택 흡수막을 갖는 음극선관(1)이 사용되도록 되어 왔다. 이 대전방지 광선택흡수막(3)은 실리카(SiO2)계의 막으로 구성되어 있으며, 대전방지 기능과 광선택 흡수 기능의 양쪽의 기능을 갖고 있다. 이와 같은 대전방지 광선택 흡수막(3)을 형성하기 위해서는 일반적으로 관능기로서 -OH기나 -OR기를 갖는 실리콘(Si) 알콕시드의 알콜 용액을 베이스 도료로 하고, 이 베이스 도료에 도전성 필러로서 산화주석(SnO2)이나 산화인둠(In2O3)의 미립자를 분산 혼합함과 동시에 유기계 또는 무기계의 염료또는 안료도 분산 혼합시킨 도포액을 음극선관의 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에 도포, 성막하는 것에 의해 실행된다. 성막후, 강한 막 강도를 얻기 위해서 100∼200℃의 온도에서 막의 소결 처리를 실행한다.
제9도는 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에 형성된 대전방지 광선택 흡수막(3)의 확대 단면 개념도이며, 다공질 실리카막(7) 중에 유기계 또는 무기계의 염료 또는 안료 입자(8)과 도전성 필러 입자(9)가 분사한 구조로 되어 있다.
제12도는 음극선관의 페이스플레이트부의 표면 전위의 변화를 도시한 그래프이고, 동일 도면중, L,L1은 각각 대전방지 기능을 갖고 있지 않는 음극선관의 전원ON시 및 전원 OFF시의 표면 전위의 변화 곡선인것에 대해서, 곡선 M,M1은 대전방지 기능을 갖고 있는 음극선관의 전원ON시 및 OFF시의 표면 전위의변화 곡선이다. 대전방지 기능을 갖고 있는 음극선관은 그 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에 도전성의 막에 형성되어 있으며, 이 도전형의 막이 어스와 접합되어 있으므로, 표면 차지가 정상적으로 어스쪽으로 피해서 대폭적으로 차지업이 작게 되어 있는 것을 알 수 있다.
또, 대전방지 광선택 흡수막(3)에 의한 콘트라스트 성능 향상의 원리를 제7도의 음극선관의 형광면 부분의 확대 개략 단면도에 의해 설명한다. 대전방지 광선택 흡수막(3)이 페이스플레이트(2)의 바깥표면에 부가되어 있는 것 이외는 제8도의 단면도와 모두 동일하다. 또, 페이스플레이트(2)의 유리 재료와 대전방지 광선택 흡수막(3)의 광학적인 굴절율은 대략 동일하계 선택되고 있으므로, 이들의 계면에서의 광반사는 거의무시할 수 있다. 이 경우의 콘트라스트 지표 CT1은 상술과 마찬가지로 다음식에서 나타낼수가 있다.
[식 2]
(8) 윗식에서 E1은 일정하고, Tp도 일정한 경우, 콘트라스트 지표 CT1를 더욱 향상시키기 위해서는 상기 식(5) 및 (8)에서 대전 방지 광선택 흡수막(3)의 광투과율 Tc를 작게하는 것이 유효하다. 대전방지 광선택흡수막(3)의 경우, 이 막의 가시광 영역에서의 분광투과율 분포와 BGR3색 형광체층(4)에서의 발광의 상대발광 강도 스펙트럼 분포의 최적화를 실행하는 것에 의해, 식(6)에서 나타내는 출력 휘도 F1저하를 극력억제해서 콘트라스트지표 CT1를 향상시키는 것이 가능하다. 제10도의 곡선I는 이와 같은 목적에서 음극선관의 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에 마련된 대전방지 광선택 흡수막(3)이 분광 투과율 분포의 1예를 나타낸다. G,R의 상대 발광 강도 스펙트럼 분포의 주스펙트럼 파장간 535nm 내지 625nm의 내, 이 주스펙트럼 파장에 가까운 부분에 이 대전방지 광선택 흡수막(3)의 흡수 피크 A가 있으면, 음극선관의 형광면의 휘도 성능상 불리하게 되므로, 이 흡수대의 1/2값폭등을 고려해서 통상 570nm 내지 610nm의 범위에 흡수대의 흡수 피크 A가 놓여진다. 이 범위의 파장의 광은 인간의 눈의 시감도의 비교적 높은 영역과 일치하므로, 외부광(통상은 백색광)성분중, 이 영역의 광이 흡수, 제거되면 콘트라스트 성능상 바람직하다, 즉, 대전 방지광 선택 흡수막을 갖는 음극선관(1)의 대전방지 광선택 흡수막(3)의 광학 특성으로서는 인간의 눈의 시감도로서 비교적 높고, 또, 형광면에서의 발광에 가능한 한 영향이 적은 570nm 내지 610nm의 범위에 흡수대의 피크A를 놓고 형광면의 휘도 성능을 유지하면서 외부광을 유효하게 흡수해서 콘트라스트 성능의 향상을 도모하도록 한 것이다.
이와 같은 광학 특성을 갖는 유기계 또는 무기계의 염료 또는 안료의 선정이 대단히 중요하며, 곡선I의경우, 580nm에 흡수내의 흡수 피크A를 갖게 한 예를 나타낸다. 이와 같은 대전방지 광선택 흡수막을 갖는 음극선관(1)에서는 베이스 도료에 혼합하는 유기계나 무기계의 염료나 안료의 광학적인 광흡수 특성이 비교적 넓으므로, 형광면의 발광중, 예를들면, 녹색(G) 발광의 경우, 주스펙트럼 파장의 장파장측의 테일부,적색(R) 발광의 경우, 주스펙트럼 파장의 단파장측의 서브피크부가 이 광선택 흡수막에 의해 흡수되어 발광색조의 개선도 동시에 실행하는 것이 가능하다.
제6도는 여러가지 종류의 음극선관의 페이스플레이트(2)의 바깥표면에 강도 100의 외부광 Eo이 입사했을때에 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에서 반사되는 표면 박사 외부광의 강도 E1과 페이스플레이트(2)의 내부표면과 형광막에서 반사되어 페이스플레이트(2)의 외부로 나오는 형광면 반사 외부광의 강도E2와 전반사 외부광중에 차지하는 표면 반사 외부광의 비율[(E1/E1+E2)×100]를 나타낸다.
표면 반사 외부광의 강도 E1에 내해서는 (k)∼(n)은 모두 유리반사로 이루어지는 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에서의 반사이며, (O) 및 (P)는 유리 재료와 대략 광학적인 굴절율이 같은 대전방지 광선택 흡수막(3)의 바깥 표면에서의 반사이므로, 그 강도는 모두 약4.0로 된다. 형광면 반사 외부광의 강도E2에 대해서는 페이스플레이트(2) 및 그 바깥 표면에 형성된 대전방지 광선택 흡수막(3)의 광튜과율에 의존하고, 이들의 광투과율이 낮게 되면 급격하게 작게 된다. 이들의 측정 및 평가를 실행할때의 외부광으로서는 제13도에서 도시하는 상대 발광 강도 스펙트럼 분포를 갖는 백열등을 사용하였다.
이들(k)∼(n)의 각 수치를 보고 명확한 것은 (k) 및 (l)과 같이 페이스플레이트(2)의 광투과율이 비교적높은 경우는 E1에 비해서 E2가 대단히 높고, 즉 [(E1/E1+E2)×100]의 값이 작고, E1의 영향은 무시할 수있지만, (m) 및 (n)과 같이 페이스플레이트(2)의 광투과율이 낮게 되면, E1과 E2가 내단히 가깝게 되고,E1의 영향을 무시할 수 없게 되어 온다 (O) 및 (P)와 같이, 원래 광투과율이 낮은 페이스플레이트(2)의 바깥 표면상에 광흡수막을 형성하는 경우에는 이 경향이 더욱 현저하게 된다.
이것은 현상적으로는 음극선관의 콘트라스트 성능을 향상시키기 위해서 페이스플레이트(2)의 광투과율을 내리면 내릴수록 또 다시 이 페이스플레이트(2)의 바깥표면성에 광흡수막을 마련해서 광투과율을 내리면 내릴수록 페이스플레이트(2)의 표면 외부광 반사가 눈에 띄기 시작하고, 예를들면 음극선관의 페이스부에 영입하는 시청자의 열굴등이 선명하게 보여서 시청자로서 대단히 눈에 거슬리계 되고, 장시간 영상을 계속보면 눈의 피로의 원인으로도 된다. 이 표면 외부광 반사가 두드러진 문제는, 특히, 페이스플레이트(2)의 광투과율이 50%이하로 되면 대단히 현저하게 되며, 이와 같은 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에 대전방지 광선택 흡수막(3) 등의 광흡수막을 형성하면 문제는 한층 심각하게 된다.
이상 기술한 바와 같이, 종래의 음극선관에서는 콘트라스트 성능을 향상시키도록 해서 페이스플레이트(2)의 광투과율을 내리면 내릴수록 또 더욱 페이스플레이트(2)의 바깥 표면상에 광흡수막을 마련해서 광투과율을 내리면 내릴수록 페이스플레이트(2)의 표면 외부광반사가 두드러지게 되어 영입을 위해서 시청자가 영상을 잘 볼 수가 없게 되거나, 시청자의 눈의 피로를 발생하는등의 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해서 이루어진 것으로, 음극선관의 콘트라스트 성능을 향상시키기 위해서 페이스플레이트의 광투과율을 내리거나, 또 그 바깥 표면에 광흡수막을 마련해도 외부광에 의한 영입등을 적게 할 수가 있는 저반사막을 갖는 음극선관을 저렴하며, 또한 대량 생산이 가능한 상태로 제공하는 것이다.
본 발명에 관한 저반사막을 갖는 음극선관은 50%이하의 광투과율을 갖는 페이스플레이트 바깥 표면에 실리콘(Si)의 알콕시드의 알콜 용액을 저굴절율 베이스 도료로 하고, 마찬가지로 탄탈(Ta) 또는 티탄(Ti) 또는 지르코늄(Zr)등의 금속원소의 유기화합물의 알콜 용액을 고굴절율 베이스 도료로 해서 50%이하의 광투과울을 갖는 페이스플레이트에 이들 고굴절율 베이스 도료 및 저굴절율 베이스 도로를 스핀코트법에 의해, 교대로 도포해서 2층 이상 4층 이하의 다층광학 간섭막으로 이루어지는 저반사막을 형성한 것을 특징으로한다.
상기 베이스 도료에 유기계 또는 무기계의 염료 또는 안료를 분산 혼합하면 좋다. 또, 고굴절율 베이스 도료에만 도전성 필러를 분산 혼합하면 좋다.
또, 저굴절율 베이스 도료에 평균 입자 지름이 1000Å 이하의 초미립자 플루오르화 마그네슘(MgF2)을 분산 혼합해도 좋다.
또, 본 발명에 관한 저반사막을 갖는 음극선관의 제조방법은 어떤 층의 도포막의 형성후, 그 막상에 다음의 도료를 도포하기에 앞서서 미리 하지의 도포막의 큐어링을 실행하는 것을 특징으로 한다.
또, 적어도 제1층께의 고굴절율층의 도포, 성막을 음극선관의 제조공정중의 열처리 공정전에 실행하고,그후, 음극선관의 열처리 공정도 겸해서 300℃이상의 처리 온도로서 가열해서 도포막의 소결 처리를 실행하는 제조 방법이라도 좋다.
본 발명에 의하면, 특정 재료를 베이스 도료로한 2층 이상 4층 이하의 고굴절율층 및 저굴절율층의 조합에 의한 다층 광학 간섭막으로 이루어지는 저반사막을 페이스플레이트의 바깥 표면에 마련하였으므로, 50%이하의 광투과율을 갖는 페이스플레이트라도 상기 페이스플레이트의 바깥 표면에서의 외부광 반사가 저감되어 외부광에 의한 영입등의 영향을 저렴한 수단으로 적게 할 수가 있다.
또, 도전형 필러를 고굴절율 베이스 도료로 분산시키거나 하면, 소결 처리후에서도 저럼한 고굴절율층을 얻을 수가 있다. 또, 저굴절율베이스 도료로 초미립자 플루오르화 마그네슘(MaF2)을 분산시킨 것에서는 막의 굴절율이 효과적으로 저하된다.
또, 성막시에 미리 하지에 큐어링을 실행하면, 하지막이 녹아나오는 것을 방지할 수가 있다.
또, 300℃이상의 온도에서 도포막의 소결 처리를 실행하면, 막의 광학 특성이 안정하고, 또한 강도도 강화된다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 따라서 설명한다.
[실시예 1]
제1도는 본 발명에 관한 저반사막을 갖는 음극선관의 페이스플레이트부의 확대 단면 개념도이다. 페이스플레이트(2)의 바깥표면에는 일정 막두께 d11의 고굴절율층(10)과 마찬가지로 일정 막두께d21의 저굴절율(11)의 2층의 조합으로 이루어지는 저반사막(12)가 형성되어 있다. 종래, 이와 같은 저반사막(12)는 고굴절율층(10)으로서, 예를들면 산화 티탄(TiO2)와 같은 고굴절 재료를 진공 증착법등에 의해 일정 막두께로 형성하고 있었다. 또, 저굴절율층(11)로서도 마찬가지로 플루오르화 마그네슘(MgF2)과 같은 저굴절 재료를 진공 증착법등에 의해 일정 막두께로 형성하고 있었다. 이와 같은 진공 증착법등에 의한 저반사막은 광학적인 성능으로서 상당히 좋은 것이 얻어지지만, 진공 증착법등의 처리 코스트가 매우 높고, 디스플레이모니터관등의 특수한 용도로 이미 일부 도입되어 있지만, 일반 민생용 컬러텔레비젼 수상기와 같은 용도로의 도입은 코스트적으로 매우 곤란한 것이있다. 한편, 본 발명의 경우, 고저의 양굴절율층(10),(11) 모두 실리콘(Si)의 알콕시드나 금속 원소의 유기화합물을 베이스로한 도포액을 페이스트플레이트에 도포, 성막해서 형성하므로, 코스트적으로 대단히 저렴하게 대량 생산을 실행하는 것이 가능하다 이하, 제1도의 고저 2층(10),(11)의 조합으로 이루어지는 저반사막(12)에 대해서 구체적으로 설명한다.
페이스트플레이트(2)의 바깥표면을 충분히 크리닝한후, 티탄(Ti)의 유기화합물의 알콜 용액에 대전방지용의 도전성 필러 및 착색용염료 또는 안료를 분산 혼합시킨 도포액을 고굴절율 도포액으로서 종래와 마찬가지로 스핀코트법에 의해, 일정 막두께 d11로 페이스트플레이트(2)의 바깥 표면에 도포, 성막해서 고굴절율층(10)으로 하였다. 이 고굴절율층(10)이는 제1도의 페이스트플레이트부의 확대 단면 개념도로 도시한바와 같이, 다공질 산화 티탄막(13)중에 유기계 또는 무기계의 염료 또는 안료입자(8)과 도전성 필러 입자(9)를 분산하고 있다. 순수한 산화 티탄(TiO2)의 막의 굴절율은 약 2.35이지만, 상기와 같이 해서 형성된 고굴절율층(10)은 후술한 소결 처리후도 막중에 일부 유기질이 남기 때문에 막중에 분산하고 있는 도전성필러 입자(9)나 유기계 또는 무기계의 염료 또는 안료 입자(8)의 영향등에 의해 굴절율로서는 약 2.0으로된다. 이와 같은 고굴절율 도포액으로서는 상기 이외에 탄탈(Ta)나 지르고늄(Zr)등의 금속 원소의 유기화합물의 알콜 용액을 사용할 수도 있다.
이와 같이 해서, 도포, 성막된 고굴절율층(10)은 가열로에 의해 큐어링이 실행된다. 이것은 도포막을 어느 정도 경화시켜서 고굴절층(10)상에 저굴절율층(11)을 형성하기 때문에 저굴절율층도포액을 도포해도 하지의 고굴절율층(10)에서의 녹아서 나오는 현상이 일어나지 않도록 하기 위함이다. 이 경우 큐어링의 조건으로서는 100℃의 온도에서 30분간 유지하게 하였다. 이 큐어링으로서는 열뿐만아니라 자외선이나 화학약품등을 사용하는 것도 가능하다.
다음에 큐어링이 끝난 고굴절율층(10)상에 시실리콘(Si)의 알콕시드의 알콜 용액에 대전방지용의 도전성필러 및 착색용의 염료 또는 안료를 분산 혼합시킨 도포액으로, 또, 도막의 저굴절율화를 위해서 평균 입자지륨이 300Å인 초미립자 플루오르화 마그네슘(MgF2)를 일정량 혼합해서 저굴절율 도포액으로 하고, 고굴절율층(10)의 형성시와 마찬가지로 스핀코트법에 의해 일정막 두께d21로 고굴절율층(10)상에 도포, 성막해서 저굴절율층(11)으로 하였다. 이 저굴절율층(11)은 제1도의 페이스트플레이트부의 확대 단면 개념도로도시한 바와 같이, 다공질 실리카막(7)중에 유기질 또는 무기질의 염료 또는 안료 입자(8)과 도전성 필러입자(9)에 가하고, 초미립자 플로오르화 마그네슘 (MgF2)(14)가 분산하고 있다. 초미립자 플로오르화 마그네슘(MgF2)(14)가 가하지 않는 상태에서는 이 막의 굴절율은 1.50∼1.54이지만, 플루오르화 마그네슝(MgF2)자체는 굴절율이 약 1.38의 저귤절율 재료이므로, 이 막에 일정량의 초미립자 플루오르화 마그네슘(MgF2)를 가하는 것에 의해, 막의 굴절율을 약 1.42까지 내릴 수가 있고, 저굴절율층(11)이 형성된다.· 이와 같은 목적으로 사용하는 플우오르화마그네슘(MgF2)의 평균 입자 지름으로서는 1000Å이하, 바람직하게는 300Å이하로 하는 것이 굴절율을 효과적으로 내리는 점 및 형성된 균일성의 점에서 바람직하다.
이와 같이 해서 페이스플레이트(2)상에 각각 일정막 두께로 형성된 고굴절율층(l0) 및 저굴절율층(11)로 이루어지는 저반사막(12)는 가열로에 의해, 예를들면 175℃의 온도에서 30분간 유지해서 막의 소결 처리가 실행되어 완성한다. 이 소결 처리는 막의 광학 특성의 안정화 및 막강도 향상을 위해서 실행된다.
고굴절율충(10)에 대해서는 재료적인 특성, 즉 막강도에서 막의 소결 처리를 가급적으로 고온(300℃이상)에서 실행하는 것이 바람직하지만, 완성한 음극선관을 200℃이상의 고온으로 유지하는 것은 음극선관의 기계적 강도의 점이나 특히 에미션 관계의 수명의 점에서 바람직하지 않다. 그러나, 음극선관의 제조 공정중에는 300℃이상의 열처리 공정이 통상 4회 실시된다. 예를들면, 가장 최후의 열처리 공정인 배기 공정은 음극선관의 온도를 약 380℃까지 올려서 내부의 가스 배출을 실행하면서 내부를 고진공으로 배기하는 공정이다. 따라서, 제1층째의 고굴절율층(10)의 도포, 성막을 이 배기 공정의 전에 실행하고, 큐어링 및 제1층째의 소결처리를 겸해서 380℃의 배기 처리 공정을 통하면, 내단히 견고한 막강도를 갖는 고굴절율을 얻을수도 있다. 이후, 상술과 바찬가지로 제2층째의 저굴절율층(11)의 도포, 성막 및 소결 처리가 실행된다. 물론, 음극선관의 제조 공정중의 열처리 공정전에 고저모든 층을 형성하고, 이 열처리 공정의 겸해서 모든도포막의 소결 처리를 실행해도 지장은 없다.
다층광학 간섭막으로 이루어지는 저반사막의 막구성으로서는 대략(1/4)파장의 광학적 두께를 갖는 저굴절율층을 L, 대략(1/4)파장의 광학적 두께를 갖는 고굴절율층을 H로 하고, 유리 기판을(S)로 하면, 2층의경우는 (S)-H-L 및 (S)-2H-L이 기본인 것은 잘 알려져 있다. 3∼4층 구조의 경우는 조합이 조금 복잡하게 되지만, 기본적으로는 상기 H와 L의 조합으로 된다.
상기 제1도에서 도시한 막구성은 (S)-H-L의 경우에 있어서, 각각의 막두께 d11및 d21의 최적화가 실행된다. 제2도(a)는 음극선판의 페이스플레이트 그대로 또는 그 바깥 표면에 종래의 대전방지 광선택 흡수막을 형성한 경우의 표면 분광 반사율을 나타내고, 가시광 영역에서 약 4%의 값을 나타낸다. 제2도(b)는 이 실시예 1의 경우의 대전방지 광선택 흡수형 저반사막(2층)의 표면분광반사율을 나타내고, 가시광 영역 평균으로 1.0%까지 저하한다.
제6도의 (m1)∼(P1)의 음극선관 페이스플레이트(2)의 바깥표면에 이 실시예 1에 의한 저반사막을 마련한 경우의 반사광의 강도(E1,E2) 및 표면 반사 비율{(E1/E1+E2)×100}을 종래와 마찬가지로 나타내는 것이며, 같은 조건에 있어서의 종래의 경우의 (m)∼(P)와 비교해서 표면 반사막 외부광의 비율은 약 33%까지 저하하고 있으며, 대폭적인 개조가 이루어지고 있는 것을 알 수 있다.
[실시예 2]
제3도는 고굴절율층(10)과 저굴절율층(1)의 조합에 의해 형성한 저반사막(32)가 다른 막구성을 나타내는것이다. 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에 각각 일정 막두께 d11,d12의 고굴절율층(10),(10)과 마찬가지로각각 일정 막두께 d21,d22의 저굴절율(11),(11)의 4층의 조합으로 이루어지는 저반사막(32)가 형성되어 있다. 이들의 도포막 형성은 실시예 1에서 기술한 것과 마찬가지인 재료 및 프로세스에 의해 실행된다.
제2도(c)는 이 실시예 2의 경우의 대전방지 광선택 흡수형 저반사막(4층)의 표면분광 반사율을 나타내고, 가시광 영역 평균에서 0.4%까지 저하한다. 가시광 영역 전체에서 크계 표면분광 반사율을 저하사킨다는 점에서 4층의 것은 2층의 것보다도 대단히 우수하다고 말할 수 있다. 제6도의 (m2)∼(P2)는 음극선관의 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에 이 실시예 2에 의한 저반사막을 마련한 경우의 반사광의 강도(E1,E2)및 표면 반사의 비율{(E1/E1+E2)×100}을 종래와 마찬가지로 나타내는 것이며, 동일조건에 있어서의 종래의 경우의 (m)∼(P)와 비교해서, 표면 반사 외부광의 비율은 약 14%까지 저하하고 있으며, 상술한 실시예 1에 비해서도 대폭적인 개선이 실행되고 있다.
[실시예 3]
제4도는 실시예 1의 경우와 마찬가지로 고굴절율층(10)과 저굴절율층(11)의 2층의 조합으로서, 더욱 개량된 저반사막(42)의 막구성을 나타내는 것이다. 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에는 일정막 두께 d11의 고굴절율층(10)과 마찬가지로 일정 막두께 d21의 저굴절율층(11)에 형성되어 있다. 이 경우, 실시에 1과는 달리 도전형 달리 도전형 필러 입자(9)는 고굴절율(10)에만, 유기계 또는 무기계의 염료 또는 안료 입자(8)은 저굴절율층(11)에만 분산 혼합되어 있다. 이와 같은 막구조로한 경우, 도전성 필러 입자(9)는 원래 대단히높은 굴절율을 갖고 있으므로, 고굴절율층(10)에 내해서는 도전성 필러 입자(9)의 농도가 을라가며, 이 막의 굴절율 그자체도 실시예 1의 경우의 약 2.0에 대해서 약 2.05까지 을릴 수가 있다. 마찬가지로 저굴절율(11)에 대해서도 굴절율의 높은 도전헝 필러 입자(9)가 존제하지 않으므로, 막의 굴절율 그자체도 실시예 1의 경우의 약 1.42에 대해서 약 1.40까지 내릴 수가 있다. 이때문에, 저반사막(42)의 광학 특성은 대폭적으로 개선된다. 제2도(d)는 이 실시예 3의 경우의 대전방지 광선택 흡수형 저반사막(2층)의 표면분과반사율을 나타내고, 가시광 영역 평균에서 0.6%로까지 저하한다. 덧붙여서 실시예 1의 2층의 것의 경우는 표면분광반사율은 가시광 영역 평균에서 1.0%이었다.
제6도의 (m3)∼(P3)은 음극선관의 페이스플레이트(2)의 바깥 표면에 이 실시예 3에 의한 저반사막을 마련한 경우의 반사광의 강도(E1,E2) 및 표면반사의 비율{(E1/E1+E2)×100}를 종래와 마찬가지로 나타내는것이며, 실시예 1의 2층의 것의 경우((m1)∼(P1)에 비교해서 표면 반사 외부광의 비율은 약 63%로까지 저하하고 있어 보다 나은 개선이 이루어지고 있다.
이 실시예의 경우, 저굴절율(11)에 내해서는 초미립자 플루오르화 마그네슘(MgF2)(14)를 넣지 않아도 안팎의 저굴절율(약 1.45)을 실현할 수 있으므로, 저굴절율 베이스 도료로서는 실리콘(Si)의 알콕시드의 알콕 용액을 사용하는 것도 가능하다.
[실시예 4]
제5도는 실시예 2의 경우와 마찬가지로 고굴절율(10)과 저굴절율(11)의 4층의 조합으로서, 이것을 더욱개량한 저반사막(52)의 막구성을 도시한 것이다. 페이스플레이트(2)의 바깥표면에는 각각 일정 막두께 d11,d12의 고굴절율(10),(10)과 마찬가지로 각각 일정 막두께 d21,d22의 저굴절율(11),(11)의 4층의 조합으로 이루어진 저반사막(12)가 형성되어 있다. 이 경우도 실시예 3에서 나타낸 것과 같은 방법에 의해, 실시예 2의 경우보다도 고굴절율(10)의 굴절율은 보다 높고, 저굴절율(11)의 굴절은 보다 낮게 설정할 수 있으므로, 저반사막(12)의 광학 특성이 대폭적으로 개선된다.
제2도(e)는 이 실시예 4의 경우의 대전방지 광선택 흡수형 저반사막(4층)의 표면분광반사율을 나타내고, 가시광 영역 평균에서 0.20%로까지 저하시킬 수가 있다.
또한, 상기 실시예 1∼4에서는 대전방지 광선택 흡수형 저반사막을 주체로 해서 기술했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 50%이하의 광투과율을 갖는 페이스플레이트(2)의 바깥표면에 단지 대전방지기능밖에 갖지 않는 막, 또 단지 광선택 흡수기능 밖에 갖지 않는 막, 또는 이들 양쪽의 기능을 갖지 않고서 단지 저반사 기능밖에 갖지 않는 막을 형성하는 경우에도 마찬가지로 적용할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 페이스플레이트의 바깥 표면에 실리콘(Si)의 알콕시드 및 탄탈(Ta) 또는 티탄(Ti) 또는 지르코늄(Zr)등의 금속 원소의 유기학합물의 알콜 용액을 각각 베이스 도료로한 2층 이상 4충 이하의 고굴절율층 및 저굴절율층의 조합에 의해서 다층광학 간섭막으로 이루어지는 저반사막을 마련했으므로, 50%이하의 광투과율을 갖는 페이스플레이트를 사용해도 페이스플레이트이 바깥 표면에서의 외부광 반사가 저감되고, 외부광에 의한 영입등의 영향을 회피할 수가 있어 고품질의 저반사막을 갖는 음극선관을 저렴한 방법으로 대량 생산이 가능하게 얻을 수가 있다.

Claims (6)

  1. 음극선관의 형광면을 구성하는 페이스 플레이트(2), 상기 페이스 플레이트(2)의 바깥표면에 소정의 막두께로 형성된 고굴절율층(10)과 상기 고굴절율층(10)상에 형성된 저굴절율(11)과의 조합의 다층광학 간섭막으로 이루어지는 저반사막(12)를 포함하고, 상기 고굴절율은 탄탈(Ta) 또는 티탄(Ti) 또는 지르코늄(Zr) 등의 금속원소의 유기화합물의 암콜용액을 베이스 도료로 해서 스핀코트법에 의해 도포해서 형성되고, 상기 저굴절율은 관능기로써 -OH기,-OR기를 갖는 실리콘(Si)의 알콕시드의 알롤용액을 베이스도료로 해서 스핀코트법에 의해 도포해서 형성되는 음극선관.
  2. 페이스 플례이트(2)의 바깥표면에 고굴절율과 저굴절율과의 조합으로 형성된 저반사막을 갖는 음극선관의 제조방법으로써, 탄탈(Ta) 또는 티탄(Ti) 또는 지르코늄(Zr)등의 금속원소의 유기화합물의 알콜용액을 베이스 도료로 해서 스핀코트법에 의해 도포해서 고굴절율총을 형성하는 스텝, 상기 고굴절율을 형성하기 위한 도포 후, 가열로내에서 큐어링을 실행하는 스텝, 상기 큐어링을 실행한 후, 관능기로써 -OH기,-OR기를 갖는 실리콘(Si)의 알콕시드의 알콜용액을 베이스 도료로 해서 상기 고굴절율층상에 도포해서 저굴절율층을 형성하는 스텝, 상기 저굴절율층을 형성한 후, 가열로내에서 소결처리를 실행하는 스텝을 포함하는 음극선관의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 베이스 도료에 유기계 또는 무기계의 안료를 분산혼합한 음극선관.
  4. 제1항에 있어서, 도전성 필러를 고굴절율층의 베이스 도료에만 분산혼합한 음극선관.
  5. 제1항에 있어서, 저굴절율층의 베이스 도료에 평균입자 지름이 1000Å이하의 초미립자 플루오로화 마그네슘(MgF2)를 분산혼합한 음극선관.
  6. 제2항에 있어서, 상기 고굴절율의 도포·성막을 음극선관의 제조공정중의 열처리 공정 전에 실행하고, 그 후 음극선관의 열처리 공정도 겸하도록 300℃이상의 처리온도로 가열해서 도포막의 상기 큐어링 또는 상기 소결처리를 실행하는 음극선관의 제조방법.
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2981528B2 (ja) * 1992-12-25 1999-11-22 三菱電機株式会社 陰極線管およびその製造方法
US6001486A (en) 1994-07-29 1999-12-14 Donnelly Corporation Transparent substrate with diffuser surface
DE69503598T2 (de) * 1994-08-08 1999-03-04 Philips Electronics Nv Einen mit einer elektrisch leitfähigen schicht versehenen bildschirm enthaltende kathodenstrahlröhre
DE19501640C2 (de) * 1995-01-20 1999-07-01 Schott Glas Recyclierbare Bildschirme für Kathodenstrahlröhren mit einem einstellbaren spektralen Transmissionsverlauf aus Glas und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH08293269A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Mitsubishi Electric Corp 陰極線管
GB2304453B (en) * 1995-04-21 1997-08-06 Mitsubishi Electric Corp Cathode ray tube
WO1997006896A1 (en) * 1995-08-14 1997-02-27 Central Glass Company Limited Porous metal-oxide thin film and method of forming same on glass substrate
US5853869A (en) * 1995-08-23 1998-12-29 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent conductor film for electric field shielding
JPH1069866A (ja) 1996-08-29 1998-03-10 Hitachi Ltd 陰極線管
US6163109A (en) * 1996-08-29 2000-12-19 Hitachi, Ltd. Cathode ray tube having high and low refractive index films on the outer face of the glass panel thereof
JPH10223160A (ja) * 1997-02-12 1998-08-21 Hitachi Ltd カラー陰極線管
TW420817B (en) * 1997-07-08 2001-02-01 Toshiba Corp Conductive antireflection film and cathod ray tube
US5885716A (en) * 1997-08-14 1999-03-23 Osaka Municipal Government Material and process for forming composite film
DE69938086T2 (de) * 1998-06-05 2009-01-29 Fujifilm Corporation Antireflektionsschicht und Anzeigegerät mit dieser Schicht
FR2780665B1 (fr) * 1998-07-03 2000-09-15 Oreal Procede et dispositif pour appliquer un revetement tel qu'une peinture ou un vernis
TW452169U (en) * 1999-05-07 2001-08-21 Koninkl Philips Electronics Nv Display device provided with anti-AEF strip
US6642647B2 (en) 2001-01-25 2003-11-04 Hitachi, Ltd. Cathode ray tube having a pigment on a panel front face
US20040018301A1 (en) * 2002-07-26 2004-01-29 Ackerman John F. Process for improved inorganic polymerization
US7507438B2 (en) * 2004-09-03 2009-03-24 Donnelly Corporation Display substrate with diffuser coating
KR101294551B1 (ko) * 2004-09-16 2013-08-07 가부시키가이샤 니콘 비정질 산화 규소 바인더를 갖는 ＭｇＦ２ 광학 박막, 및그것을 구비하는 광학 소자, 그리고 그 ＭｇＦ２ 광학박막의 제조 방법
US8354143B2 (en) * 2005-05-26 2013-01-15 Tpk Touch Solutions Inc. Capacitive touch screen and method of making same
KR20080110090A (ko) * 2007-06-14 2008-12-18 삼성전자주식회사 굴절률 감쇠 필름, 이를 구비한 편광 부재, 및 이를 구비한표시 장치
FR2933394B1 (fr) * 2008-07-03 2011-04-01 Saint Gobain Procede de depot de couche mince et produit obtenu

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2670279A (en) * 1950-06-23 1954-02-23 Rauland Corp Process for producing low-glare cathode-ray tubes
US3114668A (en) * 1961-05-26 1963-12-17 Corning Glass Works Coated optical screens and their production
US3898509A (en) * 1970-09-28 1975-08-05 Rca Corp Cathode-ray tube having lithium silicate glare-reducing coating with reduced light transmission and method of fabrication
US4310784A (en) * 1979-05-07 1982-01-12 Anthon Erik W Cathode ray tube face plate construction for suppressing the halo and method
US4310783A (en) * 1979-05-07 1982-01-12 Temple Michael D Cathode ray tube face plate construction for suppressing the halo having a low reflection and method
JPS57124301A (en) * 1981-01-27 1982-08-03 Asahi Glass Co Ltd Highly durable multilayered film containing silicon oxide film
NL8302460A (nl) * 1983-07-11 1985-02-01 Philips Nv Werkwijze voor het verminderen van de reflectie van een doorzichtig beeldscherm en beeldscherm met verminderde reflectie.
US4563612A (en) * 1984-06-25 1986-01-07 Rca Corporation Cathode-ray tube having antistatic silicate glare-reducing coating
US4633131A (en) * 1984-12-12 1986-12-30 North American Philips Corporation Halo-reducing faceplate arrangement
US4945282A (en) * 1987-12-10 1990-07-31 Hitachi, Ltd. Image display panel having antistatic film with transparent and electroconductive properties and process for processing same
JPH0769482B2 (ja) * 1988-05-11 1995-07-31 松下電器産業株式会社 反射防止膜
JP3039937B2 (ja) * 1988-09-09 2000-05-08 株式会社日立製作所 超微粒子
JPH02278201A (ja) * 1989-04-20 1990-11-14 Asahi Glass Co Ltd ＭｇＦ↓２膜の製造方法及び低反射膜の製造方法
JPH0311532A (ja) * 1989-06-09 1991-01-18 Hitachi Ltd 陰極線管
US5179318A (en) * 1989-07-05 1993-01-12 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Cathode-ray tube with interference filter
JPH0365530A (ja) * 1989-08-02 1991-03-20 Hitachi Ltd 被膜の形成方法
JPH03129301A (ja) * 1989-10-16 1991-06-03 Canon Inc 多層反射防止膜
JP2815932B2 (ja) * 1989-10-31 1998-10-27 株式会社東芝 陰極線管
JPH03261047A (ja) * 1990-03-09 1991-11-20 Toshiba Corp 表示装置
JP2650458B2 (ja) * 1990-03-29 1997-09-03 三菱電機株式会社 投写型陰極線管
JPH0474568A (ja) * 1990-07-17 1992-03-09 Asahi Glass Co Ltd 低反射帯電防止膜及びその製造方法、及びその用途
KR940011569B1 (ko) * 1990-10-24 1994-12-21 미쯔비시덴끼 가부시끼가이샤 저 반사막을 갖는 음극선관
JP3320776B2 (ja) * 1991-06-19 2002-09-03 株式会社東芝 反射防止膜および表示装置
JPH0580204A (ja) * 1991-09-18 1993-04-02 Asahi Glass Co Ltd 帯電防止膜及び低屈折率低反射膜及び低反射帯電防止膜
JPH0580205A (ja) * 1991-09-18 1993-04-02 Asahi Glass Co Ltd 低反射帯電防止膜の製造方法及び低反射帯電防止膜
US5219611A (en) * 1991-09-30 1993-06-15 Cornell Research Foundation, Inc. Preparing densified low porosity titania sol gel forms

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