KR950010333B1 - 광자기기록방법 - Google Patents

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KR950010333B1
KR950010333B1 KR1019860011348A KR860011348A KR950010333B1 KR 950010333 B1 KR950010333 B1 KR 950010333B1 KR 1019860011348 A KR1019860011348 A KR 1019860011348A KR 860011348 A KR860011348 A KR 860011348A KR 950010333 B1 KR950010333 B1 KR 950010333B1
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오사무 가와꾸보
요시오 아오끼
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소니 가부시끼가이샤
오오가 노리오
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Abstract

내용 없음.

Description

광자기기록방법
제1도는 본 발명에서 이용하는 광자기기록매체의 단면도.
제2a도 및 제2b도는 본 발명에 따라 온도에 관한 바이어스 자기층과 광자기기록층의 자기 특성도.
제3a도 내지 제3d도는 본 발명에 따른 광자기기록매체의 작동시의 자화 상태도.
제4a도 및 제4b도는 본 발명에 따라 온도에 관한 바이어스 자기층과 광자기기록층의 자기 특성도.
제5도는 본 발명에 따라 온도에 관한 바이어스 자기층과 광자기기록층의 보자력의 결과를 측정한 그래프.
제6도는 종래의 광자기기록매체의 단면도.
제7도는 종래의 기록매체의 자화 상태도.
제8도는 소거 상태에서의 자화를 나타낸 도면.
제9도는 기록상태에서의 자화를 나타낸 도면.
제10도는 표우자계 발생의 설명도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 광자기기록매체 11 : 투명기판
12 : 광자기기록층 13 : 바자기층
14 : 바이어스 자기층 15 : 보호층
[발명의 배경]
본 발명은 광자기기록방법, 특히 정보를 중복기재(overwriting)할 수 있는 광자기기록방법에 관한 것이다.
[종래기술]
제6도는 종래의 광자기기록매체, 예로서 광자기디스크 요부의 단면 구조를 도시한 것이다. 제6도에 도시된 바와같이, 한쌍의 투명 기판(1)이 각각 한 측면상에 기록 트랙 위치 검출용 홈을 갖고 있다. 희토류 금속과 천이 금속으로 만들어진 수직 이방성 자기층(2)이 홈이 형성되어 있는 한 측면상에 피착·형성되어 있다. 양 기판(1)은 접착제(3)에 의해 대향된 수직 이방성 자기층(2)과 서로 접합되어 있다. 보호층(4)은 기판(1)과 자기층(2) 사이와 자기층(2)과 접착제(3) 사이에 피착·형성되어 있다.
제7도에 도시된 바와같이, 자화 상태에서는 수직 이방성 자기층(2)이 층의 두꼐 방향 또는 수지 방향에서 희토류 금속의 스핀 SRE와 천이금속의 스핀 STM의 합에 의해 수직 자화 Ms를 발생시킨다.
수직 이방성 자기층(2)에 대한 기록은 큐리점 기록 또는 보상점 기록과 같은 열자기 기록에 의해 행해진다. 큐리점 기록의 경우에는 외부자계를 제6도에 도시한 바와같이 자계 발생 수단(5)으로 기록부에 인가하고, 이 상태에서 레이저 빔(6)을 집광 렌즈 시스템(7)을 거쳐 기록을 행하고자 하는 자기층(2)에 기판(1)의 배면으로부터 자기층(2)에 집중시키는 방식으로 조사하여 초점부분의 온도를 큐리점 이상으로 가열하여 높히고, 외부자계에 의해 자화 방향을 반전시킴으로써 기록을 유효하게 한다. 환언하여, 소거상태 또는 미기록 상태에서는 자화의 방향이 제8도에 도시한 것과 같이 전반적으로 균일하다. 이에 반하여 기록 상태에서는 기록부(2W)에서의 자화 방향이 제9도에 도시한 바와같이 다른 부분과는 역방향으로 되어 있다.
수직 이방성 자기층에 대한 기록은 고밀도 기록에 적합하다. 큐리점 기록 또는 보상점 기록과 같은 열자기기록은 정보의 기록 또는 소거에 필요한 외부자계가 자기테이프 또는 자기디스크를 이용하는 소위 자기기록에 비해 현저히 낮다는 장점을 가진다.
그러나 실제상 이와같은 종류의 광자기기록매체에 외부자계를 부여하는 데에는 각종 문제점이 있다. 외부자계를 수직 자화층의 단지 미소 영역에만 인가한 경우에는 도체 패턴 등을 포토리소그라피(photolithography) 등의 미세가공 기술에 의해 형성하고 이것에 전류를 흘려서 미소 영역에 한정적으로 자계를 발생시키는 방법이 제안되었다. 그러나 이러한 방법에서는 대영역내의 임의의 미소 영역에 자계를 인가하는 것은 기술적으로, 또 비용면에 문제가 있다.
또 자계를 고주파로 구동시킬 때 장해로 되는 것은 자계 발생의 권선에 의한 인덕턴스이다. 권선의 인덕턴스를 감소시키기 위해서는 권선 회수를 감소시킬 필요가 있다. 그러나 권선 회수를 감소시키면 소정의 자계를 발생시키기 위하여 전류값을 증가시킬 필요가 생겨서 구동 전원의 대형화와 전력 소비의 증가가 따른다.
그외에도 상술한 종래의 광자기기록매체는 중복기재(over-writing)를 행하지 못한다. 즉 기록작업에 있어서 레이저 빔 조사에 의해 큐리점에 도달한 영역 또는 보상점 기록에서는 보자력 HC가 감소되어 기록(자화반전)이 가능한 온도(이하, 이 온도를 기록온도라 한다)에 도달한 영역에서는 그 주위의 자화에 의한 표우자계 HSF가 부여된다. 그 결과, 특히 소거시에는 표우자계가 정보를 소거하는데 필요한 외부 자계를 제거하는 방향으로 작용하므로, 소거에는 큰 외부자계를 필요로 하게 된다. 제10도는 수직 이방성 자기층(2)에 레이저 빔(6)을 조사하여 부분 a를 큐리점 또는 기록온도로 가열한 상태를 나타낸 것이다. 예로서 큐리점에서는 부분 a에서의 자화가 소실되지만, 표유자계 HSF가 부분 a의 주위에서 자화 Ms에 의해 부분 a에서 발생하게 된다. 따라서 부분 a에 외부자계를 인가하여 정보를 기록 또는 소거할 때, 표유자계 HSF가 유효자계에 영향을 미친다. 기록시에 기록부분에는 주위 자화와는 역방향의 자화가 발생하므로, 기록시의 외부자계 Hexw는 표유자계 HSF와 동일 방향이 되지만, 소거시의 외부자계 Hexw는 표유자계 HSF와 역방향으로 된다. 따라서 기록시 및 소거시의 유효자계 Heffw 및 Heffe는 각각 다음의 식(1)과 (2)로 표시된다.
Heffw=HSF+Hexw ……………………………………………… (1)
Heffe=-HSF+Hexe ……………………………………………… (2)
소거시의 유효자계는 작기 때문에 외부자계 Hexe가 클 필요가 있다.
외부자계 Hexw가 없어도 충분히 반전된 자기영역을 얻을 수 있는 이상적인 경우에는 기록시의 유효자계 Heffw가 표유자계 HSF만으로 이루어진다. 그러나 그와같이 이상적인 경우에도 소거시에 적어도 표유자계 HSF를 초과하는 외부자계 Hexe를 적용하는 것을 필요로 하고, 더우기 충분한 자화반전을 위해서는 표유자계 HSF의 2배 정도의 외부자계 Hexe가 요구된다. 실제로 기록시에 반전된 자기영역을 포화시키는데에는 수백 Oe 내지 수 KOe정도의 외부자계가 필요하고, 소거시에 외부자계 Hexe에 대해서도 그와같은 자계의 크기가 필요하다.
소거시에 외부자계 Hexe를 작게 하기 위해서는 표유자계 HSF를 가능한 작게 하는 것이 필요하다. 표유자계 HSF를 작게 하기 위해서는 자기층(2)이 포화 자화 Ms를 작게 하는 보상점 조성에 근접한 조성으로 함으로써 어느정도 작게할 수 있지만, 이경우 보자력 Hc가 증가하여 자화가 곤란해지고, 또한 예로서 제작된 광자기디스크의 검사가 까다로와진다. 이것은 그와같은 디스크의 검사가 약 15KOe 정도의 자계를 발생시킬 수 있는 VSM(진동 샘플 자력계)의 사용으로 측정하여 행한다는 사실에 기인한다. 그러므로 다른 특별한 측정장치를 사용하든가, 또는 온도를 높혀 보자력 Hc를 감소시켜야 하므로 작업이 복잡해진다. 더우기 보자력 Hc를 높이지 않고 포화 자화 Ms만을 감소시켜 자기층(2)을 제작하는 경우에도 기록 상태가 불안정해지고, 고밀도 기록이 불가능하게 된다.
광자기기록에 있어서 광자기기록매체에 대해 정보의 광자기기록, 재생 및 소거를 위한 광 자기헤드 즉 레이저 빔조사단, 광학렌즈 시스템 및 자계 발생수단 등을 구비한 광자기헤드부는 헤드부가 유지되어 있고 광자기기록매체로부터 소정 거리에서 주사되는 비접촉 타입으로 되어 있다.
그러므로 자계 발생수단은 기록매체의 자기층으로부터 상당 거리만큼 격리되어 있다. 제6도에 도시된 바와같이 자계 발생수단과 기록매체간의 거리 d가 1mm인 경우에는 자계 발생수단과, 레이저 빔(6)의 조사에 의해 정보를 기록, 재생 및 소거하기 위한 자기층(2)간의 거리 D가 기판(1)의 두께, 접착제(3)의 두께 등을 고려하여 약 2.5 mm에 이르게 된다. 그러므로 대상 자기층(2)에 수백 Oe 내지 수 KOe의 자계를 부여하기 위해서는 상당히 강력한 자계 발생수단(5)이 필요하게 된다. 그러나 그와같은 강력한 자계 발생수단(5)을 설계하는 데에는 기술적으로 큰 문제가 따른다. 예로서 자계 발생수단(5)을 전자석으로 구성하는 경우에는 소비 전력이나 열발생의 문제가 생기고, 영구자석으로 구성하는 경우에는 기록, 재생 및 소거의 절환 사이클, 즉 자계 반전 속도를 가속시키는데 어려움이 생긴다. 약한 인가 자계의 기록엑서는 C/N(캐리어 잡음 비율)이 낮고, 약한 인가자계의 소거에서는 사전에 기록된 정보가 완전히 소거되지 않는다. 그러므로 이미 기록된 영역에서 어떠한 정보의 재기록, 즉 어떠한 정보의 중복기재(cover-writing)시에는 정보 에러가 커진다고 하는 문제점이 있다.
일본특허공개공보 소 50-60746호에는 2층의 자기층을 갖는 자기광학 기록매체가 개시되어 있지만, 이것은 후술하는 본 발명에 따라 바이어스 자계가 절환되는 기술 사상과는 다른 것이다.
[발명의 목적 및 개요]
본 발명의 목적은 개량된 광자기록방법을 제공하는 것이고, 본 발명의 다른 목적은 정보를 중복 기재할 수 있는 광자기기록방법을 제공하는 것이며, 본 발명의 또다른 목적은 두가지 레벨의 파워를 가진 레이저빔을 사용하여 정보를 중복기재할 수 있는 광자기기록방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 특징에 따르면, 광자기록 시스템은 투명기판상에 실온보다 높은 큐리점을 갖는 광자기기록층과, 큐리점보다 높은 보상점을 갖는 바이어스 자기층과, 이러한 광자기기록층과 바이어스 자기층 사이에 개재된 비자기층을 적층하여 광자기록매체를 형성하고, 제1 및 제2가열 파워 레벨을 갖는 광자기기록매체에 가열수단을 적용하는 것으로 이루어져 있다.
상기에서, 제1가열 파워 레벨은 광자기기록층을 그 큐리점 이상의 온도로 가열함과 동시에 바이어스 자기층을 그 보상점 이상의 온도로 가열하는 상태로 하고, 제2가열 파워 레벨은 광자기기록층을 그 큐리점 이상의 온도로 가열함과 동시에 바이어스 자기층을 그 보상점 이하의 온도로 가열하는 상태로 하고 있다.
[적합한 실시예의 설명]
제1도를 참조로 하여 본 발명을 설명한다. 도면부호 10은 광자기기록매체이다. 광자기기록매체(10)는 투명기판(11)의 주면상에 광자기기록층(12), 비자기층(13), 바이어스 자기층(14) 및 보호층(15)을 적층하여 피착시킨 것이다.
제2a도를 참조하면, 바이어스 자기층(14)의 포화 자화 Ms의 온도 특성이 실선으로 표시되어 있고, 자발 자화 상태는 화살표로 표시되어 있다. 바이어스 자기층(14)은 소정의 작동온도 범위, 예로서 실온 TL과, 실온 TL보다 높은 소정의 온도 TB1사이의 온도 범위에서 보상점 TcompB을 갖고, 자발 자화의 방향이 보상점 TcompB을 가로질러 반전하는 특성을 가지며, 온도 TB1를 초과하는 큐리점 TCB을 갖는다. 이와같은 특성은 강자성체, 예로서 희토류 금속-천이 금속 합금에서 얻는다. 제7도를 참조로 하여 전술한 바와같이 희토류 금속 원자와 천이금속 원자의 스핀 SRE및 STM은 서로 반전된 방향에 있고, 각각 독자적인 온도 특성을 가져서 온도가 상승함에 따라 자기 모멘트양도 변하므로 자기 모멘트에 따라 결정되는 자화의 크기와 방향이 온도에 따라 변하여 자발 자화의 방향이 보상점 TcompB를 가로질러 반전하는 특성을 보인다. 이 경우에 보자력 Hc의 온도 특성이 제2A도에 점선 곡선으로 표시되어 있다.
광자기기록층(12)은 제2b도에 실선 곡선으로 표시한 바와같이 후술할 실온 TL과 기록온도 TR1사이의 큐리점 TCR을 갖는 희토류 금속-천이금속 자기재료로 형성된다. 기록용으로 단지 하나의 레이저 빔을 사용하는 경우를 고려하면, 큐리점 TCR은 바이어스 자기층(14)의 보상점 보다는 높고, 기록온도 tR1보다는 낮은 영역을 취한다. 이와달리 제4A도에 실선으로 표시한 바와같이 바이어스 자기층(14)은 보상점 TcompB이 바이어스 자기층(14)의 작옹온도 영역 TL과 TB1사이에 존재하는 특성을 갖는 자기재료로 형성된다. 반면에 광자기기록층(12)은 제4b도에 실선으로 표시한 바와 같이 보상점 TcompB이 광자기기록층(12)의 작동 온도 영역 TL과 TR1사이에 존재하는 특성을 갖는 자기재료로 형성된다. 바이어스 자기층(14)과 광자기기록층(12)의 보자력 Hc의 온도 특성은 제4a도 및 제4b도에 각각 점선 곡선으로 표시되어 있다.
광자기기록층(12)과 바이어스 자기층(14) 사이에 개재되는 비자기층(13)은 바이어스 자기층(14)의 자발자화에 의한 자계가 광자기기록층(12)에 영향을 미쳐서 양 자기층(12,14)이 정자기학적으로 결합되어도 상호 교환 작용을 피하도록 절연되며, 더우기 양자기층(12,14)이 서로 열적으로 어느정도 분리되는 단열성 재료로 형성된다.
광자기기록매체(10)에 대한 정보의 기록, 중복기재 및 소거는 레이저 빔 조사등에 의한 제1 및 제2파워 레벨을 채택하여 얻는 선택적 가열로 수행된다.
즉, 제1가열 파워 레벨은 광자기기록층(12)이 큐리점 근처의 온도 또는 그 이상의 온도로 가열함과 동시에 바이어스 자기층(14)은 보상점을 초과하는 온도로 가열하는 가열 상태이고, 제2가열 파워 레벨은 광자기-기록층(12)이 큐리점 근처의 온도 또는 그 이상의 온도로 가열함과 동시에 바이어스 자기층(14)은 보상점 이하의 온도로 가열하는 가열 상태이다. 예로서 광자기기록매체(10)의 최정 제조 단계에서, 층두께 방향의 자계는 매체의 전면에 일정하게 인가되어 광자기기록층(12)과 바이어스 자기층(14)의 양자를 동일 방향에서 자화시킨다. 제3a도는 그와같은 상태, 즉 미기록 상태 또는 무정보 상태를 도시한 것이다.
본 발명에 따르면 정보의 기록, 오버-라이트 및 소거가 가능하다. 이러한 작동은 제1도에 도시한 바와같이 광자기기록매체(10)에 대한 투명기판(11)측으로부터의 레이저 빔 L.B.의 주사와, 제1 및 제2파워 레벨에 의한 가열 상태를 적용하여 실현된다.
이하의 설명은 광자기기록층(12)이 제2b도에 도시한 온도 특성을 갖는 자기층으로 구성되어 있는 경우를 채택한 것이다. 그래서 먼저 광자기기록매체(10)가 제3a도에 도시한 1방향에서 수직으로 자화되는 미기록 상태 또는 무정보 상태로부터 제3c도에 도시한 광자기기록층(12)의 영역 I과 II에서 반전된 방향을 갖는 자화를 변경함으로써 정보 기록을 행하는 것으로 설명하기로 한다. 이 경우에 영역 I을 전술한 제1고파워 레벨로 가열, 즉 레이저 빔 L.B.를 투명기판(11)측으로부터 광자기기록층(12)에 집중시켜서 기록층(12)을 기록층(12)의 큐리점 TCR근처의 온도 또는 큐리점보다 높은 제1고온 작동 온도 TR1로 가열한다. 상기 고온 가열과 관련하여 바이어스 자기층(14)을 자기층(14)의 보상점 TcomB보다 높고 자기층(12)의 큐리점 TCB보다 낮은 제1고온 작동 온도 TB1로 가열하여 바이어스 자기층(14)의 영역 I에서 자화의 방향을 바이어스 자기층(14)을 보상점 TcompB이상의 온도로 가열함으로써 제3b도에 도시한 바와같이 반전시킨다. 이 상태에서 레이저 빔을 제거하면 영역 I에서 층(12,13,14)이 냉각되어 광자기기록층(12)이 큐리점 TCR에 도달한다.
바이어스 자기층(14)도 마찬가지로 냉각되지만 여전히 보상점 TcompB이상의 온도에서 유지되며, 동시에 바이어스 자기층(14)의 영역 I 에서 자화 방향이 제3a도에 도시한 초기 상태로부터 제3b도에 도시한 바와같이 반전된 상태에서 유지된다. 그래서 광자기 기록층(12)의 영역 I 에서 발생한 자화는 영역 I 주위의 바이어스 자기층의 표유자계와 바이어스 자기층(14)과의 자기적 결합에 의해 제3a도의 초기 상태로부터 반전된다. 이 상태에서 영역 I 의 층(12,13,14)이 실온 TL로 냉각되고, 바이어스 자기층(14)은 제2a도에 실선으로 표시한 바와같이 보상점 TcompB이하 또는 실온 TL근처의 온도로 다시 냉각되어 자화를 초기 상태로 반전시키지만, 광자기기록층(12)의 보자력 Hc는 제2a도 및 제2b도에 점선 곡선으로 표시한 바와같이 온도의 저하에 의해 증가하므로, 광자기기록층(12)은 바이어스 자기층(14)의 자화의 영향을 거의 받지 않는다. 이 목적을 위해 영역 I 에서 광자기기록층(12)은 제3a도의 초기 상태로부터 제3c도의 반전 상태에서 유지된다. 따라서 광자기기록층(12)에 있어서는 제3c도에 도시한 바와같이 영역 I 과 II에서는 서로 다른 자화 방향이 형성되어 정보의 기록이 유효하게 된다. 자화의 초기 방향이 유지되는 영역 II가 기록부로서 간주된다면, 영역 I 은 소거부로 된다.
계속해서 제3c도에 도시된 바와같이 정보가 기록된 매체(40)에 대해 정보의 중복 기재의 작동을 설명한다. 이 경우에 제3d도에 도시한 바와같이 기록부는 영역 I 의 일부인 영역 III으로 하고, 소거부는 영역 I 과 II의 각 부분인 영역 IV로 한다. 영역 III 또는 기록부에서는 제2파워 레벨의 가열 상태로 된다. 즉 레이저 빔(L.B)이 영역 III에 조사되어 광자기 기록층(12)을 제2b도에 도시한 바와같이 광자기기록층의 큐리점 TCR보다 높과 제1작동 온도 TR1보다 낮은 제2작옹 온도 TR11로 가열하여 바이어스 자기층(14)의 온도를 제2a도에 도시한 바와같이 바이어스 기록층의 보상점 TcompB보다 낮은 온도 TB11로 높힌다. 그래서 광자기기록층(12)의 자화가 큐리점 TCR보다 높은 온도로 가열함으로써 일단 소실되지만, 레이저 빔에 의한 가열을 제거하면 광자기기록층의 자화방향이 영역 주위의 광자기기록층의 표유자계에 의해 결정되어 바이어스 자기층의 방향과 동일한 방향으로 된다.
이경우에 바이어스 자기층에서 자화 방향은 2개의 층의 정자기적 결합을 피하지 않는 방향을 가르킨다. 영역 IV에 있어서는 영역 I 에서 행해진 제1파워 레벨에 의한 작동이 행해진다. 이와 같은 방식으로 제3d도에 도시한 바와같이 제3c도와는 다른 패턴의 정보가 중복기재 작동에 의해 재기입된다.
광자기기록매체(10)로부터의 정보의 독출은 마찬가지로 기판(11)측으로부터 레이저 빔의 조사에 의해 행해진다. 이 경우에 광자기기록층(12)에서 레이저 빔의 파워 레벨은 기록층(12)이 큐리점 TCR보다 낮은 온도로 가열하고 바이어스 기록층(14)은 보상점 이하의 온도로 가열하는 범위로 정하고, 광자기 효과에 의해 독출이 행해진다.
상기한 설명은 광자기기록층(12)이 작동 온도 범위에서 보상점이 존재하지 않는 자기층에 의해 형성된 것이지만, 작동온도 범위내에 보상점 TcompR를 갖는 자기층에 있어서도 상술한 바와같은 제1 및 제2파워 레벨에 의한 정보의 기록, 소거 및 중복기재를 행할 수 있다. 그러나 본 경우에는 광자기기록층(12)의 자화방향이 큐리점 TCR보다 낮고 보상점 TcompR보다 높은 온도에 따르기 때문에 문제가 없다. 이것은 보자력 Hc가 제4b도에 도시한 바와같이 보상점 TcompR근처의 온도 범위에서 증가하고, 바이어스 자기층(14)에 의해 자기적으로 영향을 받지 않는다는 사실에 기인하지만, 이 경우에 광자기기록층(12)과 바이어스 자기층(14)에서 기록부와 소거부간에 자화관계가 역관계로 된다.
광자기기록층(12)의 보자력 Hc가 큐리점 또는 큐리점 이하의 온도로 저하되는 경우에는 자화가 바이어스 자기층(14)으로부터의 자계에 의해 반전되고, 비자기층(13)은 광자기기록층(12)과 바이어스 자기층(14) 사이의 상호 교환 작용을 방해하는 막으로 되어도 좋다. 그러므로 광자기기록층과 바이어스 자기층(12,14)의 양층은 2 내지 3원자층 두께의 거리로 분리되어도 좋다. 예로서 비자기층(13)은 광자기기록층(12)의 표면 산화층으로 될 수도 있다. 또한 비자기층(13)에는 이론적으로 약간의 단열 효과만이 요구될 뿐이다.
상기한 설명은 하나의 레이저 빔을 사용하는 경우이지만, 광자기기록층과 바이어스 자기층이 정자기적으로 결합되고, 또 양층의 온도가 독자적으로 조정되는 경우에는 광자기기록층의 가열용과 바이어스 자계용의 2개의 레이저 빔을 사용할 수 있다.
상술한 바와같이 본 발명의 시스템은 기본적으로 외부자계를 사용하지 않고 작동되지만, 더욱 양호한 기록과 소거를 위해서는 약한 정적 외부자계를 인가할 수도 있다. 외부자계는 소거 영역에서의 표유자계와 외부자계의 벡터합이 광자기 기록층에 부여되어 있는 경우의 소거시에 강도가 광자기기록층을 자기 포화시키기에는 약하지만 방향은 기록될 자화방향을 가르키고, 강도는 기록시에 광자기기록층을 자기 포화시킬 수 있는 조건을 만족시켜야 한다.
[실시예]
이하 본 발명에 사용된 광자기기록매체의 실시예를 설명한다. 투명기판(11)은 폴리카보네이트 수지 등의 수지판 또는 유리판으로 구성된다. 기판(11)의 주면에는 필요에 따라 트랙 홈(비도시)을 형성한다. 주면상에 형성된 광자기기록층(12)은 두께가 예로서 300 내지 800Å, 예를들어 500Å인 Tb21(Fe9uCo5)79의 자기층이다.
비자기층(13)은 SiO2Si3N4ZnS, 희토류금속 산화물, 이트리아(Y2O3) 또는 알루미나(Al2O3)로 구성된다. Si3N4를 사용하는 경우의 비자기층(13)의 두께는 100 내지 400Å예로서 200Å이다.
바이어스 자기층(14)은 Tb21.8Co78.2로 구성하고, 두께는 250 내지 1800Å, 예로서 800Å으로 한다.
보호층(15)은 Si3N4ZnS 또는 SiO로 구성된다.
비자기층(13)의 두께와, 바이어스 자기층(4)의 자기 온도 특성 또는 조성 및 그 두께는 바이어스 자기층(14)의 작동온도와 기록층에 작용하는 유효자계에 따라 정해진다. 또한 광자기 기록층(12)의 자화가 유효자계에 따라 정해진다. 또한 광자기 기록층(12)의 자화가 유효자계를 추종하도록 하기 위해서는 광자기기록층(12)의 온도 특성을 주요한 변수로 고려해야 한다. 더우기 광자기기록층(12)의 자화 방향이 광자기기록층(12)에 인가된 자기적 에너지, 즉 바이어스 자기층(14)의 자화 Ms와 상술한 유효자계에 따라 정해지기 때문에, 유효자계가 작을 때에는 광자기기록층(12)의 두께가 증가되어 왔다.
제5도는 보자력 Hc의 온도 특성을 도시한 것으로서, Tb21.8Co78.2의 바이어스 자기층은 흰점으로 Tb21(Fe95Co5)79의 광자기기록층은 검출점으로 표시했다.
이상 바이어스 자기층(14)의 자화의 방향을 변경하기 위하여, 즉 기록, 소거 및 중복기제를 행하기 위하여, 적합한 실시예에서는 레이저 빔을 사용했지만, 전자빔을 사용할 수도 있다.
더우기 광자기층(12)과 기판(11) 사이에 보호을 개재하고, 각층(12,13)을 조이는 보호층의 두께와 재료에 따른 역환산도 고려하여 온도상승, 냉각의 변화를 조정할 수 있다.
본 발명에 따르면 중복기재가 가능하고, 더욱이 영구자석이나 코일 등의 외부자계 발생수단을 사용하지 않고 광자기기록매체(10)에 대한 레이저 빔 조사에 의한 선택적 가열의 파우를 선정함으로써 광자기기록층(12)에 대한 바이어스자계를 절환하여 기록, 소거 등을 행할 수 있다. 바이어스 자기층(14)으로 구성되어 바이어스 자계 발생수단은 매체(10)의 자체에 제공되어 있고, 광자기기록층(12)에 실질적으로 인접한 공간 손실을 대폭줄일 수 있다. 따라서 정보의 기록, 소거 및 재기록 등을 행하기 위한 소비 전력을 격감시킬 수 있다. 또한 본 발명은 장치의 간략화, 스위칭 속도의 고속화, 분래능의 향상 등 많은 중요한 이점을 제공한다.

Claims (3)

  1. 광자기기록매체에 대하여 정보의 기록, 중복기재 및 소거를 행하는 광자기기록방법에 있어서, 상기 광자기기록매체는 광자기기록층과, 바이어스 자기층과, 이들 광자기기록층과 바이어스 자기층의 사이에 개재된 비자기층이 적층되어 있으며, 상기 광자기기록층을 큐리점 근방 또는 그 이상으로 가열함과 동시에 상기 바이어스 자기층을 그 보상점을 넘는 온도로 가열하는 가열상태로 선택한 제1가열 파워 레벨과, 상기 광자기기록층을 그 퀴리점 근방 또는 그 이상으로 함과 동시에 상기 바이어스 자기층을 그 보상점에 도달하지 않는 온도로 가열하는 가열 상태로 선택한 제2가열 파워 레벨에 의해 상기 광자기기록층으로의 정보를 기록, 중복기재 및 소거를 행하는 것을 특징으로 하는 광자기기록방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가열 파워 레벨을 갖는 가열 수단은 레이저 빔인 것을 특징으로 하는 광자기기록방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 자기층은 강저성 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 광자기기록방법.
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