KR950007212A - 반도체 레이져 다이오드 - Google Patents

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KR950007212A
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Abstract

금속층과 반도체층간의 쇼트키 장벽(Schottky Barrier)을 이용하여 전류의 흐름을 제한함으로써 고출력을 얻을 수 있는 단파장 굴절률 도파형 반도체 레이저 다이오드가 개시되어 있다.
n형 GaAs 기판에, 그 상하에 p형 및 n형 In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P크래드층이 마련되는 In0.5Ga0.5P활성층이 마련되고, 상기 P형 In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P크래드층의 일부분상에 p형 GaAs 캡층을 포함하는 릿지가 형성되고, 그리고 상기 릿지를 통해 상기 활성층에 전류를 공급하는 p형 금속층이 마련되는 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 릿지와 그 주위로 노출된 상기 p형 In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P크래드층 상에 상기 p형 금속층이 형성되어 있고, 상기 릿지 주위의 상기 p형 In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P크래드층과 상기 p형 금속층과 접촉 계면에 쇼트키 장벽이 형성되어 있다.
상기 p형 크래드층과 p형 금속층간의 쇼트키 장벽으로 인하여 전류차단이 일어나, 상대적으로 고전류 주입에 의한 고출력화가 이루어진다.

Description

반도체 레이저 다이오드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 굴절률 도파형 레이저 다이오드를 나타내는 개략적 단면도,
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 굴절률 도파형 레이저 다이오드를 나타내는 개략적 단면도,
제4도는 본 발명의 레이저 다이오드에서 활성층의 측면방향으로의 유효굴절률 변화를 나타내는 그래프.

Claims (9)

  1. n형 GaAs 기판에, 그 상하에 p형 및 n형 In Ga Al P크래드층이 마련되는 In Ga P활성층이 마련되고, 상기 P형 In Ga Al P크래드층의 일부분상에 p형 GaAs 캡층을 포함하는 릿지가 형성되고, 그리고 상기 릿지를 통해 상기 활성층에 전류를 공급하는 p형 금속층이 마련되는 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 릿지와 그 주위로 노출된 상기 p형 In Ga Al P크래드층 상에 상기 p형 금속층이 형성되어 있고, 상기 릿지 주위의 상기 p형 In Ga Al P크래드층과 상기 p형 금속층과 접촉 계면에 쇼트키 장벽이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 릿지는 상기 p형 크래드층과 p형 GaAs 캡층 사이에 p형 In0.5Ga0.5P의 통전용이층이 삽입되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 릿지 주위의 p형 크래드층은 과도식각에 의해 일정 깊이가 제거된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  4. 제3항에 있어서, 상기 과도식각에 의해 잔존하는 p형 크래드층의 두께는 0.2㎛이하인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 n형 GaAs기판과 활성층 하부의 n형 크래드층 사이에 n형 GaAs버퍼층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  6. n형 GaAs 기판에, 그 상하에 p형 및 n형 In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P크래드층이 마련되는 In0.5Ga0.5P활성층이 마련되고, 상기 P형 In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P크래드층의 일부분상에 p형 GaAs 캡층을 포함하는 릿지가 형성되고, 그리고 상기 릿지를 통해 상기 활성층에 전류를 공급하는 p형 금속층이 마련되는 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 릿지의 주위를 따라 상기 p형 In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P크래드층상에 산화막이 형성되어 있으며, 상기 릿지와 산화막의 전면에 p형 금속층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  7. 제6항에 있어서, 상기 산화막은 알루미늄 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  8. 제6항에 있어서, 상기 릿지는 상기 p형 크래드층과 p형 GaAs 캡층 사이에 p형 In0.5Ga0.5P의 통전용이층이 삽입되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  9. 제6항에 있어서, 상기 릿지 주위의 p형 크래드층은 과도식각에 의해 일정 깊이가 제거된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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