KR950006870A - 노어형 불 휘발성 메모리 제어회로 - Google Patents

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KR950006870A
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writing
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히로미 노부카타
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오오가 노리오
소니 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명의 목적은 써 넣기가 불충분한 셀에 대하여만 선택적으로 다시 써 넣기 한다.
그 구성은 비트선 전위가 하이레벨(H)인 때는 다시 써넣기 모드로 된다. 이때에는 센스앰프(20)와 해당셀의 각각이 액티브 상태로 제어된다. 그렇게 하면 센스앰프(20)의 래치데이터가 하이레벨(H)이기 위한 해당셀의 전자가 FN터널하여 그 셀에 데이터「0」가 써넣기가 충분한 셀은 비트선 전위(BLR)가 로우레벨(L)로 되고, 같은 워드선에 써넣기 충분한 셀이 접속되어 있었다 하여도 그 셀에는 다시 써넣기가 되지 않는다. 써넣기가 충분한 셀에 대해서는 다시 써넣기 처리가 되지 않으므로 각 셀의 임계레벨이 가지런하고, 임계레벨 분포가 브로드 하게 되는 것은 아니다.

Description

노어형 불 휘발성 메모리 제어회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관계되는 노어형 불 휘발성 메모리의 제어회로의 일예를 나타내는 주요부분의 계통도이다.
제4도는 제어수단의 구체예를 나타내는 접속도이다.

Claims (4)

  1. 워드선 단위에서 데이터 써넣기 및 조합을 반복하도록 한 터널전류에 의한 데이터의 써넣기 및 소거를 행하는 노어형 불 휘발성 메모리의 제어회로에 있어서, 비트선마다 센스앰프를 가지는 셀 제어수단이 설치되고, 데이터의 써넣기가 충분한 셀에 대응하는 비트선에는 상기 셀 제어수단으로부터 데이터 조합후의 다시 써 넣기시에 데이터 써 넣기를 금지하는 반선택전위가 공급되도록 구성된 것을 특징으로 하는 노어형 불 휘발성 메모리의 제어회로.
  2. 제1항에 있어서, 바이트 단위로 데이터의 써 넣기 및 조합을 행할 때는 상기 셀 제어수단에서는 데이터의 써 넣기에는 사용되지 않은 셀에 대하여 데이터 써 넣기를 금지하는 반 선택전위가 공급되도록 구성된 것을 특징으로 하는 노어형 불 휘발성 메모리 제어회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 셀 제어수단의 페이지 프로그램 판정회로를 가지고, 이 페이지 프로그램 판정회로에는 각 페이지에 대응한 제어선이 공통으로 설치되고, 데이터 써 넣기 직후에 행해지는 데이터 조합시 상기 제어선에 생기는 상기 비트선 전위에 관련하는 전위의 변화에 의거해서 상기 셀에 대한 데이터의 써 넣기 불충분 상태를 페이지 단위로 판정하도록 구성된 것을 특징으로 하는 노어형 불 휘발성 메모리 제어회로.
  4. 제1항에 있어서, 페이지 단위로 데이터를 조합한 결과 데이터의 써 넣기가 불충분한 셀이 존재한 때에는 상기 셀 제어수단의 출력에 의거해서 그 셀만이 다시 써 넣기 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 노어형 불 휘발성 메모리 제어회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940019352A 1993-08-11 1994-08-05 노어형 불 휘발성 메모리 제어회로 KR950006870A (ko)

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JP5199798A JPH0757484A (ja) 1993-08-11 1993-08-11 Ｎｏｒ型不揮発性メモリ制御回路

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KR1019940019352A KR950006870A (ko) 1993-08-11 1994-08-05 노어형 불 휘발성 메모리 제어회로

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EP0638906A3 (en) 1995-04-19
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