KR950004487A - 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 필드 산화막을 형성하는 방법에 관하여 기술한 것으로, 반도체 소자의 제조공정 중 소자분리를 위한 필드 산화막 형성시 질화막의 일부분으로 된 셀프 스페이서를 사용하여 필드 산화막을 성장시키는 방법으로 필드 산화막을 형성하므로써, 필드 산화막의 폭을 크게 줄여 넓은 활성영역을 확보할 수 있는 반도체 소자의 필드 산화막을 형성하는 방법에 관하여 기술된다.

Description

반도체 소자의 필드 산화막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3E도는 본 발명에 의한 필드 산화막을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 있어서, 반도체 기판(11)상에 열적으로 패드 산화막(12)을 형성한후, 그 상부에 소저의 두께를 갖는 폴리실리콘(13), 질화막(14) 및 CVD 산화막(17)을 순차적으로 증착하는 단계와, 필드영역을 설정하기 위하여 마스크 공정 및 식각공정으로 상기 CVD 산화막(17)을 식각하고, 연속하여 질화막(14)의 노출된부분을 소정의 깊이로 식각하여 요홈부(18)을 형성하는 단계와, 상기 요홈부(18) 및 상기 패턴화된 CVD 산화막(17) 상부에 전반적으로 제1질화막(15)을 소정의 두께로 증착하는 단계와, 상기 제1질화막(15) 증착단계로부터 전반적으로 스페이서 식각공정을 실시하여 요홈부(18) 하부의 폴리실리콘(13)의 소정부분의 노출되도록 하되, 상기 질화막(14)의 일부분이셀프 스페이서(14a)로 형성되는 단계와, 상기 폴리실리콘(13)이 소정부분이 노출된 상태에서 셀프 스페이서(14a)를 사용하여 산화공정을 통해 필드 산화막(16)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘(13)은 300~700Å, 질화막(14)은2000~3000Å, CVD 산화막(17)을 500~1000Å, 제1질화막(15)은 300~800Å 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 질화막(14)의 일부분인 셀프 스페이서(14a)는300~600Å 두께인 것을 특징으로 하는반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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