JP3295481B2 - アルミニウムドーパント分布の形成方法 - Google Patents
アルミニウムドーパント分布の形成方法Info
- Publication number
- JP3295481B2 JP3295481B2 JP07619893A JP7619893A JP3295481B2 JP 3295481 B2 JP3295481 B2 JP 3295481B2 JP 07619893 A JP07619893 A JP 07619893A JP 7619893 A JP7619893 A JP 7619893A JP 3295481 B2 JP3295481 B2 JP 3295481B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- silicon
- semiconductor substrate
- layer
- cover layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 32
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 title claims description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 title claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2252—Diffusion into or out of group IV semiconductors using predeposition of impurities into the semiconductor surface, e.g. from a gaseous phase
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基体の表面に近
い領域にアルミニウムを付着させ、引続き酸化雰囲気下
にアルミニウムをドライブインさせることによりシリコ
ン半導体基体内にアルミニウムドーパント分布を形成す
る方法に関する。
い領域にアルミニウムを付着させ、引続き酸化雰囲気下
にアルミニウムをドライブインさせることによりシリコ
ン半導体基体内にアルミニウムドーパント分布を形成す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような方法は先行技術から公知であ
る。この方法は通常、ｎ導電性半導体基体の場合緩やか
なドーピング傾斜でｐｎ接合を形成するために使用され
る。ドライブイン空間の気体雰囲気に酸素を添加し、そ
れによりシリコン表面上に酸化物層を形成することは、
この酸化物層をエッチングした後のシリコン表面の良好
な品質を保証するために一般に行われている。しかしア
ルミニウムを広範囲に半導体基体中に１００μｍ程度に
ドライブインする必要がある場合には、通常の酸化雰囲
気中でのドライブイン工程では特にかなり強くしかも不
均一に半導体基体からアルミニウムが外方拡散（アウト
ディフュージョン）してしまうことが判明している。こ
のことはアルミニウムドープ層の縁帯域のアルミニウム
濃度及び薄膜抵抗の不均一化を招く。
る。この方法は通常、ｎ導電性半導体基体の場合緩やか
なドーピング傾斜でｐｎ接合を形成するために使用され
る。ドライブイン空間の気体雰囲気に酸素を添加し、そ
れによりシリコン表面上に酸化物層を形成することは、
この酸化物層をエッチングした後のシリコン表面の良好
な品質を保証するために一般に行われている。しかしア
ルミニウムを広範囲に半導体基体中に１００μｍ程度に
ドライブインする必要がある場合には、通常の酸化雰囲
気中でのドライブイン工程では特にかなり強くしかも不
均一に半導体基体からアルミニウムが外方拡散（アウト
ディフュージョン）してしまうことが判明している。こ
のことはアルミニウムドープ層の縁帯域のアルミニウム
濃度及び薄膜抵抗の不均一化を招く。
【０００３】この原因は主として、シリコンの表面近く
の領域内にあるアルミニウムとドライブイン中に成長す
る酸化珪素層との相互作用に帰せられる。しかしこの場
合酸化アルミニウムも形成される。
の領域内にあるアルミニウムとドライブイン中に成長す
る酸化珪素層との相互作用に帰せられる。しかしこの場
合酸化アルミニウムも形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、酸化
雰囲気とアルミニウムとの上述の相互作用を少なくとも
著しく低下させるように先に記載した形式の方法を改良
することにある。
雰囲気とアルミニウムとの上述の相互作用を少なくとも
著しく低下させるように先に記載した形式の方法を改良
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、半導体基体
にアルミニウム原子を付着させた後及びこれを半導体基
体内にドライブインさせる前にドライブイン温度以下の
温度でアルミニウムと酸化雰囲気との相互作用を低下さ
せるカバー層を形成することにより解決される。
にアルミニウム原子を付着させた後及びこれを半導体基
体内にドライブインさせる前にドライブイン温度以下の
温度でアルミニウムと酸化雰囲気との相互作用を低下さ
せるカバー層を形成することにより解決される。
【０００６】本発明の実施態様は請求項２以下の対象で
ある。
ある。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を図１〜４に基づき以下に詳
述する。
述する。
【０００８】図１にはシリコンから成るｎ導電性半導体
基体１が示されている。半導体基体１に例えば真空中で
例えば６時間９６０℃の温度でアルミニウムを付着させ
る。その際アルミニウムで強くドープされたシリコン層
２、３（図２参照）が半導体基体１の上側及び下側に生
じる。これらの層は例えば１〜２μｍの厚さを有する。
次に（図３参照）層２及び３をそれぞれカバー層４、５
で覆うが、これらのカバー層は層２、３中のアルミニウ
ムとその後のドライブイン工程時の酸化雰囲気との相互
作用を低下させるためのものである。層４、５は例えば
エピタキシャルに析出させたシリコンからなっていても
よい。しかしシリコン層は蒸着、スパッタリング又は気
相から化学的に析出させてもよい。エピタキシャルに析
出させた層の場合層は単結晶で成長する。蒸着層はスパ
ッタリング層の場合と同様に非晶質である。気相から化
学的に析出させたシリコン層（ＣＶＤシリコン層）は一
般に多結晶で成長する。層４及び５は典型的には０．５
〜１０μｍの厚さを有する。カバー層４及び５が主とし
て例えば１２４０℃のドライブイン温度以下の温度で形
成されることは重要である。ＣＶＤ法による析出の場合
例えば６５０℃の温度が選択される。
基体１が示されている。半導体基体１に例えば真空中で
例えば６時間９６０℃の温度でアルミニウムを付着させ
る。その際アルミニウムで強くドープされたシリコン層
２、３（図２参照）が半導体基体１の上側及び下側に生
じる。これらの層は例えば１〜２μｍの厚さを有する。
次に（図３参照）層２及び３をそれぞれカバー層４、５
で覆うが、これらのカバー層は層２、３中のアルミニウ
ムとその後のドライブイン工程時の酸化雰囲気との相互
作用を低下させるためのものである。層４、５は例えば
エピタキシャルに析出させたシリコンからなっていても
よい。しかしシリコン層は蒸着、スパッタリング又は気
相から化学的に析出させてもよい。エピタキシャルに析
出させた層の場合層は単結晶で成長する。蒸着層はスパ
ッタリング層の場合と同様に非晶質である。気相から化
学的に析出させたシリコン層（ＣＶＤシリコン層）は一
般に多結晶で成長する。層４及び５は典型的には０．５
〜１０μｍの厚さを有する。カバー層４及び５が主とし
て例えば１２４０℃のドライブイン温度以下の温度で形
成されることは重要である。ＣＶＤ法による析出の場合
例えば６５０℃の温度が選択される。
【０００９】アルミニウムを半導体基体中にドライブイ
ンするには（図４参照）、半導体基体１を例えば酸素５
％の他に窒素も含んでいてもよい酸化雰囲気中に曝す。
前述のようにその温度は例えば１２４０℃であることが
重要である。例えば１０時間以上ドライブインすると厚
さ１００μｍのｐドープ層６、７が作られる。その際層
６及び７内へのｐｎ接合のドーピング傾斜は所望の緩や
かな経過をたどる。一方縁帯域の濃度及び薄膜抵抗は半
導体基体の面全体にわたって均一である。縁帯域の濃度
及び薄膜抵抗はその付着するアルミニウムの分量の他に
カバー層４、５の厚さにも依存する。従って半導体基体
１の元の表面域内のアルミニウム濃度は層４、５の厚さ
が増えるにつれて高まり、アルミニウムドープ帯域の薄
膜抵抗が低下するのが観察された。
ンするには（図４参照）、半導体基体１を例えば酸素５
％の他に窒素も含んでいてもよい酸化雰囲気中に曝す。
前述のようにその温度は例えば１２４０℃であることが
重要である。例えば１０時間以上ドライブインすると厚
さ１００μｍのｐドープ層６、７が作られる。その際層
６及び７内へのｐｎ接合のドーピング傾斜は所望の緩や
かな経過をたどる。一方縁帯域の濃度及び薄膜抵抗は半
導体基体の面全体にわたって均一である。縁帯域の濃度
及び薄膜抵抗はその付着するアルミニウムの分量の他に
カバー層４、５の厚さにも依存する。従って半導体基体
１の元の表面域内のアルミニウム濃度は層４、５の厚さ
が増えるにつれて高まり、アルミニウムドープ帯域の薄
膜抵抗が低下するのが観察された。
【００１０】層４、５によって層２、３内へドライブイ
ンする際の酸化雰囲気とアルミニウムとの相互作用及び
ドライブイン工程中のシリコン結晶からのアルミニウム
のアウトディフュージョンも著しく低下する。これはド
ライブインする際に層２、３の領域内に酸化物が殆ど形
成されないことからも明らかに説明できる。酸化物はむ
しろカバー層４、５の表面領域内に生じる。元の半導体
基体１自体は層４、５の厚さを十分に設定すれば酸化物
を形成することはない。
ンする際の酸化雰囲気とアルミニウムとの相互作用及び
ドライブイン工程中のシリコン結晶からのアルミニウム
のアウトディフュージョンも著しく低下する。これはド
ライブインする際に層２、３の領域内に酸化物が殆ど形
成されないことからも明らかに説明できる。酸化物はむ
しろカバー層４、５の表面領域内に生じる。元の半導体
基体１自体は層４、５の厚さを十分に設定すれば酸化物
を形成することはない。
【００１１】層４、５が非晶質シリコン層である場合、
完成デバイスに関してはそれらを熱処理することにより
結晶化することが望ましい。これは例えば８５０℃の温
度での付加的熱処理によるか又は直接ドライブイン時に
行うことができる。
完成デバイスに関してはそれらを熱処理することにより
結晶化することが望ましい。これは例えば８５０℃の温
度での付加的熱処理によるか又は直接ドライブイン時に
行うことができる。
【００１２】シリコンからなるカバー層４、５の代わり
に酸化珪素層を使用することも可能であり、それらは例
えばＣＶＤ法により被覆層２、３の表面上にアルミニウ
ムのドライブイン温度以下の温度で析出することができ
る。それによってもまた層２、３中のアルミニウムの酸
化は実際に低下し得る。酸化物層上に更に付加的に窒化
珪素層を析出してもよく、それにより酸化雰囲気とアル
ミニウムとの相互作用を更に低下することができる。更
に酸化物で保護されたシリコン表面に基づきドライブイ
ン中にドライブイン空間内の気体雰囲気に酸素を添加す
ることを全面的に中止し、それによりそれ以上の酸化物
形成を回避する方法もある。その場合気体雰囲気は例え
ば専ら窒素であってもよい。
に酸化珪素層を使用することも可能であり、それらは例
えばＣＶＤ法により被覆層２、３の表面上にアルミニウ
ムのドライブイン温度以下の温度で析出することができ
る。それによってもまた層２、３中のアルミニウムの酸
化は実際に低下し得る。酸化物層上に更に付加的に窒化
珪素層を析出してもよく、それにより酸化雰囲気とアル
ミニウムとの相互作用を更に低下することができる。更
に酸化物で保護されたシリコン表面に基づきドライブイ
ン中にドライブイン空間内の気体雰囲気に酸素を添加す
ることを全面的に中止し、それによりそれ以上の酸化物
形成を回避する方法もある。その場合気体雰囲気は例え
ば専ら窒素であってもよい。
【図１】半導体基体の断面図。
【図２】アルミニウムをドープされた第一工程の半導体
基体の断面図。
基体の断面図。
【図３】アルミニウムドープ層上にカバー層を施された
第二工程の半導体基体の断面図。
第二工程の半導体基体の断面図。
【図４】アルミニウムをドラインブインされた第三工程
の半導体基体の断面図。
の半導体基体の断面図。
１ ｎ導電性シリコン半導体基体 ２、３ アルミニウムをドープされたシリコン層 ４、５ カバー層 ６、７ アルミニウムをドライブインされたｐドープ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/225
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基体をアルミニウムで被覆し、シ
リコンからなるカバー層（４、５）を、アルミニウムと
酸化性雰囲気との相互作用を回避すべくアルミニウムの
ドライブイン温度より低い温度で形成し、その後酸化性
雰囲気中でアルミニウムを半導体基体内にドライブイン
することによりシリコン半導体基体内にアルミニウムド
ーパント分布を形成する方法において、シリコン半導体
基体をアルミニウムにより被覆し、真空中で、アルミニ
ウムで強くドープされたシリコン層（２、３）が生成す
るに足る時間と温度の下で加熱処理することを特徴とす
るアルミニウムドーパント分布の形成方法。 - 【請求項２】 アルミニウムで強くドープされたシリコ
ン層（２、３）が１〜２μｍの厚さを有することを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 シリコンカバー層（４、５）が０．５〜
１０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１記載
の方法。 - 【請求項４】 シリコンカバー層をエピタキシャル析出
させることを特徴とする請求項１から３の１つに記載の
方法。 - 【請求項５】 シリコンカバー層を蒸着により施すこと
を特徴とする請求項１から３の１つに記載の方法。 - 【請求項６】 シリコンカバー層をスパッタリングによ
り施すことを特徴とする請求項１から３の１つに記載の
方法。 - 【請求項７】 シリコンカバー層を気相から化学的に析
出させることを特徴とする請求項１から３の１つに記載
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4208163 | 1992-03-13 | ||
| DE4208163.7 | 1992-03-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613337A JPH0613337A (ja) | 1994-01-21 |
| JP3295481B2 true JP3295481B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=6454052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07619893A Expired - Lifetime JP3295481B2 (ja) | 1992-03-13 | 1993-03-10 | アルミニウムドーパント分布の形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0560085B1 (ja) |
| JP (1) | JP3295481B2 (ja) |
| DE (1) | DE59307362D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100443912C (zh) * | 2004-08-31 | 2008-12-17 | 国际商业机器公司 | 测量半导体器件的传输特性的方法和设备 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140212728A1 (en) * | 2011-09-08 | 2014-07-31 | Zeon Corporation | Slurry for secondary batteries |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3145126A (en) * | 1961-01-10 | 1964-08-18 | Clevite Corp | Method of making diffused junctions |
| US4199386A (en) * | 1978-11-28 | 1980-04-22 | Rca Corporation | Method of diffusing aluminum into monocrystalline silicon |
| DD207833A3 (de) * | 1982-07-12 | 1984-03-14 | Adw Ddr | Verfahren zur herstellung von hochdotierten gebieten im silizium durch diffusion |
| JPH0397224A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-15 EP EP93102345A patent/EP0560085B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-15 DE DE59307362T patent/DE59307362D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-10 JP JP07619893A patent/JP3295481B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100443912C (zh) * | 2004-08-31 | 2008-12-17 | 国际商业机器公司 | 测量半导体器件的传输特性的方法和设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613337A (ja) | 1994-01-21 |
| DE59307362D1 (de) | 1997-10-23 |
| EP0560085B1 (de) | 1997-09-17 |
| EP0560085A1 (de) | 1993-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5192708A (en) | Sub-layer contact technique using in situ doped amorphous silicon and solid phase recrystallization | |
| US4859626A (en) | Method of forming thin epitaxial layers using multistep growth for autodoping control | |
| US4270960A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device utilizing a mono-polycrystalline deposition on a predeposited amorphous layer | |
| US4344985A (en) | Method of passivating a semiconductor device with a multi-layer passivant system by thermally growing a layer of oxide on an oxygen doped polycrystalline silicon layer | |
| JPH02191320A (ja) | 結晶物品及びその形成方法 | |
| JP3295481B2 (ja) | アルミニウムドーパント分布の形成方法 | |
| US4404048A (en) | Semiconductor device manufacture | |
| JP2911694B2 (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
| JPH0770535B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0482180B2 (ja) | ||
| JPS6185815A (ja) | 多結晶シリコン膜の形成方法 | |
| JPS6052580B2 (ja) | 半導体装置に於ける表面保護膜の製法 | |
| JP2649876B2 (ja) | 基 板 | |
| KR950002173B1 (ko) | 반도체 장치의 폴리실리콘 증착방법 | |
| JP3465765B2 (ja) | Ｉｇｂｔ用半導体基板の作製方法 | |
| JP2830295B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3244336B2 (ja) | 強誘電体素子 | |
| US6482659B2 (en) | Post-epitaxial thermal oxidation for reducing microsteps on polished semiconductor wafers | |
| JPH01238126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05308057A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2945023B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2533141B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3282242B2 (ja) | 不純物の拡散方法およびドープトオキサイド膜のリフロー制御方法 | |
| JP2650972B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05275424A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020228 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080405 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090405 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100405 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110405 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120405 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120405 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120405 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120405 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130405 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |