KR950004391A - 반 위상반전마스크 제조 방법 - Google Patents

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KR950004391A
KR950004391A KR1019930012958A KR930012958A KR950004391A KR 950004391 A KR950004391 A KR 950004391A KR 1019930012958 A KR1019930012958 A KR 1019930012958A KR 930012958 A KR930012958 A KR 930012958A KR 950004391 A KR950004391 A KR 950004391A
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함영목
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

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Abstract

본 발명은 반 위상반전마스크를 제조함에 있어서 설계지역 이외의 지역은 반 투과율을 갖는 크롬막이 아닌 노광 빛을 완전히 차단할 수 있는 두꺼운 크롬막을 갖도록 제조함으로써, 노광 공정시 문제점을 해결한 상태에서 반 위상반전마스크를 반도체 소자 제조공정에 적용할 수 있어 반도체 소자의 신뢰성 및 초고집적화를 이루는 효과가 있다.

Description

반 위상반전마스크 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반 위상반전마스크 단면도, 제4A도 및 제4B도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반 위상반전마스크의 제조 공정 단면도, 제5A도 내지 제5D도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반 위상반전마스크의 제조 공정 단면도.

Claims (2)

  1. 반 위상반전마스크 제조 방법에 있어서, 석영기판(1)상에 크롬막(2)을 증착하되 노광 빛이 투과하지 못할 정도로 두껍게증착하는 단계, 상기 석영기판(1) 영역중 설계지역(A)상의 크롬막을 제거하되 빛이 반투광율을 갖을 수 있도록 소정의 두께를 남기고 제거하는 단계, 상기 석영기판(1)상의 전체구조 상부에 위상반전물질을 도포한 후 전자 빔(electron beam)을이용 위상반전물질 패턴 및 크롬패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반 위상반전마스크 제조 방법.
  2. 반 위상반전마스크 제조 방법에 있어서, 석영기판(1)상에 제1크롬막(2)을 증착하되 반투과율을 갖도록 얇게 증착하는 단계, 상기 석영기판(1) 영역중 설계지역(A)상에 감광막(6)을 형성하는 단계, 상기 석영기판(1)상의 전체구조 상부에 노광빛이 투과하지 못할 정도로 제2크롬막(7,7′)을 두껍게 증착하는 단계, 상기 설계지역(A)상에 형성되어 있던 감광막(6)을제거하는 단계, 상기 석영기판(1)상의 전체구조 상부에 위상반전물질을 도포한 후 전자 빔(electron beam)을 이용 위상반전물질 패턴 및 크롬패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반 위상반전마스크 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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