KR960000182B1 - 반 위상반전마스크 제조 방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반 위상반전마스크 제조 방법

제1도는 종래기술에 따른 반 위상반전마스크 단면도.

제2도는 종래기술에 따른 반 위상반전마스크를 사용하여 노광 공정시의 문제점을 나타내는 단면도.

제3도는 본 발명에 따른 반 위상반전마스크 단면도.

제4a도 및 제4b도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반 위상반전마스크의 제조 공정 단면도.

제5a도 내지 제5d도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반 위상반전마스크의 제조 공정 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 석영기판 2,2′,2″,7,7′ : 크롬막

3 : 위상반전물질 패턴 4 : 브라인드

5 : 회절 빛 6 : 감광막

본 발명은 반도체 제조공정중 포토리소그래피(photolithography) 공정에 사용되는 위상반전마스크에 관한 것으로, 특히 반 위상 반전마스크 제조 방법에 관한 것이다.

첨부된 도면 제1도를 통해 반 위상반전마스크와 종래기술에 따른 반 위상반전마스크 제조 방법을 살펴본다.

반 위상반전마스크는 제1도에 도시된 바와같이 석영기판(1)상에 빛투과 억제막인 크롬패턴(2′)이 형성되어 있되 4~20%이 투과율을 갖도록 얇게 형성되어 있고, 상기 크롬패턴(2′)상에 위상반전물질 패턴(3)를 형성되어 있으므로써 위상반전 효과가 매우 높다.

상기와 같은 형태를 갖는 반 위상반전마스크를 제조하는 종래의 제조 방법은 석영기판상에 크롬막을 4~20%의 투과율을 갖도록 얇게 형성하고, 상기 크롬막상에 위상반전물질을 도포한 후 전자빔(electron beam)을 이용 예정된 위상반전물질 패턴 및 크롬패턴을 형성하게 되는데, 이와 같이 제조되는 반 위상반전 마스크는 실제 포토리소그래피 공정에서 사용할때 4~20%의 투과율을 갖는 크롬막에 의하여 다음과 같은 문제점이 발생한다.

제2도는 상기 반 위상반전마스크를 사용하여 노광할때의 문제점을 나타내는 단면도로서, 도면에서 1은 석영기판, 2′는 크롬패턴, 3은 위상반전물질, 4는 브라인드(blind), 5는 회절 빛, A는 노광영역을 각각 나타낸다.

제2도에 도시된 바와같이 노광기의 브라인드(4)를 위상반전마스크의 설계지역인 노광영역(A)에 맞게 설치하였다고 하더라도 상기 브라인드(4)에서 간섭되는 회절 빛(5)에 의하여 노광영역 이외의 지역에도 노광 빛이 통과하게 된다.

즉, 노광영역 이외의 지역에 크롬패턴이 형성되어 있되 4~20%의 투과율을 갖도록 얇게 형성되어 있으므로 노광 빛이 투과하는 문제점이 발생하게 된다.

따라서 본 발명은 석영기판상의 반 위상반전마스크 설계지역 이외의 지역에 노광 빛은 차단 할 수 있는 빛 차단막을 설치하여 노광기 브라인드에 의해 간섭되는 빛에 의한 문제점을 해결하는 반 위상반전마스크 제조 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여 안출된 본 발명은 석영기판상에 크롬막을 증착하되 노광 빛이 투과하지 못할 정도록 두껍게 증착하는 단계, 상기 석영기판 영역중 설계지역상의 크롬막을 제거하되 빛이 반투과율을 갖을 수 있도록 소정의 두께를 남기고 제거하는 단계, 상기 석영기판상의 전체구조 상부에 위상반전물질을 도포한 후 전자 빔을 이용 위상반전물질 패턴 및 크롬패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명은 석영기판상에 제1크롬막을 증착하되 반투과율을 갖도록 얇게 증착하는 단계, 상기 석영 기판 영역중 설계지역상에 감광막을 형성하는 단계, 상기 석영기판상의 전체구조 상부에 노광 빛이 투과하지 못할 정도로 제2크롬막을 두껍게 증착하는 단계, 상기 설계지역 상에 형성되어 있던 감광막을 제거하는 단계, 상기 석영기판상의 전체구조 상부에 위상반전물질을 도포한후 전자 빔을 이용 위상반전물질 패턴 및 크롬패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면 제3도 내지 제5d도를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

제3도는 본 발명에 따른 반 위상반전마스크 단면도로서, 노광영역(A) 이외의 지역의 크롬패턴(2″)는 노광기의 브라인드에 의해 간섭되는 빛을 차단 할 수 있도록 종래의 크롬패턴과는 달리 두껍게 형성된 상태의 단면도이다.

제4a도 및 제4b도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반 위상반전마스크의 제조 공정 단면도로서, 제4a도와 같이 석영기판(1)상에 크롬막(2)을 증착하되 노광 빛이 투과하지 못할 정도로 두껍게 증착한 후, 제4b도에 도시된 바와같이 설계지역(A)상에 형성된 상기 크롬막(2)의 일부분만을 식각하여 반 투과율을 갖는 잔류크롬막(2′)를 형성한다.

이때, 설계지역(A) 이외의 크롬막(2″)는 두껍게 형성되어 있어 노광 빛 차단막 역활을 하게 된다.

계속해서 위상반전물질을 도포한 다음 종래기술과 마찬가지로 전자 빔(electron beam)을 이용하여 위상반전물질 패턴 및 크롬패턴을 형성 하므로서 제3도와 같은 반 위상반전마스크를 완성한다.

제5a도 내지 제5d도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반 위상반전마스크의 제조 공정 단면도로서, 제5a도와 같이 석영기판(1)상에 제1크롬막(2′)을 증착하되 4~20%의 투과율을 갖도록 얇게 형성되한 후, 제 5b도와 같이 설계지역(A)상에 감광막(6)을 형성하고, 제5c도와 같이 전체구조상에 제2크롬막(7,7′)을 두껍게 증착한다.

이어서, 제5d도에 도시된 바와같이 상기 설계지역(A)상에 형성되어 있던 감광막(6)을 제거하므로써 감광막(6)상에 증착되었던 제2크롬막(7)을 동시에 제거하여 노광 빛 차단막 역할을 하게되는 잔류 제2크롬막(7′)을 형성한다.

계속해서 이후의 공정을 계속하여 제3도와 같은 반 위상반전마스크를 완성한다.

상기 설명과 같은 본 발명에 따른 반 위상반전마스크는 노광시 설계지역 이외의 지역에 빛이 투과되는 문제점을 방지할 수 있어 반도체소자의 신뢰성 및 고집적화를 이루는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 반 위상반전마스크 제조 방법에 있어서, 석영기판(1)상에 크롬막(2)을 증착하되 노광 빛이 투과하지 못할 정도로 두껍게 증착하는 단계, 상기 석영기판(1) 영역중 설계지역(A)상의 크롬막을 제거하되 빛이 반투광율을 갖을 수 있도록 소정의 두께를 남기고 제거하는 단계, 상기 석영기판(1)상의 전체구조 상부에 위상반전물질을 도포한 후 전자 빔(electron beam)을 이용 위상반전물질 패턴 및 크롬패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반 위상반전마스크 제조 방법.
2. 반 위상반전마스크 제조 방법에 있어서, 석영기판(1)상에 제1크롬막(2)을 증착하되 반투과율을 갖도록 얇게 증착하는 단계, 상기 석영기판(1) 영역중 설계지역(A)상에 감광막(6)을 형성하는 단계, 상기 석영기판(1)상의 전체구조 상부에 노광 빛이 투과하지 못할 정도로 제2크롬막(7,7′)을 두껍게 증착하는 단계, 상기 설계지역(A)상에 형성되어 있던 감광막(6)을 제거하는 단계, 상기 석영기판(1)상의 전체구조 상부에 위상반전물질을 도포한 후 전자 빔(electron beam)을 이용 위상반전물질 패턴 및 크롬패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반 위상반전마스크 제조 방법.