KR950004107A - 자기헤드 - Google Patents

Abstract

본 발명은 자기헤드에 관한 것으로서, 산화물 자성재료로 이루어지는 1쌍의 자기코어기판중 최소한 한쪽의 맞댐면에 갭막이 형성되고, 그 갭막을 맞댐면으로 하여 이들 1쌍의 자기코어기판이 맞대어지고, 그 맞댐면 사이에 자기갭이 형성되어 이루어지는 자기헤드에 있어서, 상기 갭막으로서 백금 또는 백금족을 주로 하는 금속 또는 합금으로 이루어지는 막을 사용하였다. 상기 1쌍의 자기코어 기판은 비자성유리에 의해 접합 일체화되어 있다. 상기 자기갭의 트랙쪽은 50㎛ 이하이다. 갭막의 막두께는 150nm 이하이다. 자기헤드는 산화물 자성재료로 이루어지는 1쌍의 자기코어기판중 최소한 한쪽의 맞댐면에 갭막이 형성되고, 그 갭막을 맞댐면으로 하여 이들 1쌍의 자기코어기판이 맞대어지고, 그 맞댐면 사이에 자기갭이 형성되어 이루어진다. 상기 갭막으로서 Cr 또는 Cr을 주로 하는 합금으로 이루어지는 막, Ti 또는 Ti를 주로 하는 합금으로 이루어지는 막, 또는 Ta₂O₅또는 Ta₂O₅를 주로 하는 산화물로 이루어지는 막을 사용해도 된다. 1쌍의 자기코어기판중 최소한 한쪽의 맞댐면에 역스퍼터를 행한 후에 갭막이 형성되어 있다.

Description

자기헤드

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제5도는 SiO₂를 갭막으로 한 종래의 자기헤드의 자기기록매체 러빙면부분을 확대하여 나타낸 것으로, 융착유리의 융착온도가 적온이었을 경우의 갭막과 융착유리의 모양을 나타낸 요부확대평면도. 제6도는 SiO₂와 자성 페라이트의 계면의 해석결과를 나타낸 그래프. 제7도는 본 발명을 적용한 자기헤드의 일예를 나타낸 사시도.

Claims (8)

1. 산화물 자성재료로 이루어지는 1쌍의 자기코어기판중 최소한 한쪽의 맞댐면에 갭막이 형성되고, 그 갭막을 맞댐면으로 하여 이들 1쌍의 자기코어기판이 맞대어지고, 그 맞댐면 사이에 자기갭이 형성되어 이루어지는 자기헤드에 있어서, 상기 갭막으로서 백금 또는 백금족을 주로 하는 금속 또는 합금으로 이루어지는 막을 사용한 것을 특징으로 하는 자기헤드.
2. 제1항에 있어서, 상기 1쌍의 자기코어기판은 비자성유리에 의해 접합일체화되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
3. 제1항에 있어서, 상기 자기갭의 트랙폭이 50㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 자기헤드.
4. 제1항에 있어서, 자기코어기판에 형성되는 갭막의 막두께가 150nm 이하인 것을 특징으로 하는 자기헤드.
5. 산화물 자성재료로 이루어지는 1쌍의 자기코어기판중 최소한 한쪽의 맞댐면에 갭막이 형성되고, 그 갭막을 맞댐면으로 하여 이들 1쌍의 자기코어기판이 맞대어지고, 그 맞댐면 사이에 자기갭이 형성되어 이루어지는 자기헤드에 있어서, 상기 갭막으로서 Cr 또는 Cr를 주로 하는 합금으로 이루어지는 막을 사용한 것을 특징으로 하는 자기헤드.
6. 산화물 자성재료로 이루어지는 1쌍의 자기코어기판중 최소한 한쪽의 맞댐면에 갭막이 형성되고, 그 갭막을 맞댐면으로 하여 이들 1쌍의 자기코어기판이 맞대어지고, 그 맞댐면 사이에 자기갭이 형성되어 이루어지는 자기헤드에 있어서, 상기 갭막으로서 Ti 또는 Ti를 주로 하는 합금으로 이루어지는 막을 사용한 것을 특징으로 하는 자기헤드.
7. 산화물 자성재료로 이루어지는 1쌍의 자기코어기판중 최소한 한쪽의 맞댐면에 갭막이 형성되고, 그 갭막을 맞댐면으로 하여 이들 1쌍의 자기코어기판이 맞대어지고, 그 맞댐면 사이에 자기갭이 형성되어 이루어지는 자기헤드에 있어서, 상기 갭막으로서 Ta₂O₅또는 Ta₂O₅를 주로 하는 합금으로 이루어지는 막을 사용한 것을 특징으로 하는 자기헤드.
8. 제1항에 있어서, 1쌍의 자기코어기판중 최소한 한쪽의 맞댐면에 역스퍼터를 행한 후에 갭막이 형성되어 것을 특징으로 하는 자기헤드.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.