KR940702901A - 사전 선택된 열 팽창 계수값을 갖는 폴리이미드 필름의 제조방법 - Google Patents
사전 선택된 열 팽창 계수값을 갖는 폴리이미드 필름의 제조방법Info
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Abstract
본 발명은 경화 온도와 가열 속도의 상관관계를 이용하여 사전 선택된 열 팽창 계수를 갖는 폴리이미드 필름을 제조하는 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1,1A 및 1B도는 상이한 경화 속도에 대하여 CTE와 경화 온도와의 상관관계를 개략적으로 도시한 경화 그래프.
제2도는 CTE와 복굴절율과의 상관관계를 도시한 그래프.
제3도는 CTE와 필름 두께와의 상관관계를 도시한 그래프.
Claims (10)
- (1) 다음의 기준에 따라 테트라카르복실산 성분 및 디아민 성분을 함유한 폴리아미드를 선택하는 단계; (a)사전 선택된 CTE 값이 약 20ppm/℃ 미만일 경우, 테트라카르복실산 성분의 대부분 및 디아민 성분의 대부분이 강성이고; (b)사전 선택된 CTE 값이 약 20내지 약 40ppm/℃일 경우, 한 성분의 대부분은 강성이고 다른 성분의 대부분은 가요성이며; (c)사전 선택된 CTE 값이 약 40ppm/℃ 이상일 경우, 테트라카르복실산 성분의 대부분 및 디아민 성분의 대부분이 가요성임; (2) 단계1에서 선택한 테트라카르복실산 성분 및 디아민 성분으로부터 용액 중의 폴리아미드 전구체를 제조하는 단계; (3)단계 2의 전구체로부터 제조한 폴리이미드 필름의 경화 온도를 CTE 변화와 실험적으로 상호 연계시켜 적어도 하나의 사전 선택된 경화 가열 속도에 대하여 CTE와 경화 온도와의 상관관계를 측정하는 단계; (4) 상기 상관관계를 이용하여 폴리이미드 필름의 경화 온도 및 가열 속도를 얻는 단계; 및 (5)단계 4에서 얻은 경화 온도 및 경화 가열 속도를 이용하여 단계2에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액으로부터 목적하는 CTE 값을 갖는 폴리이미드 필름을 제조하는 단계로 이루어진 것이 특징인 사전 선택된 CTE 값을 갖는 폴리이미드 필름의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, CTE와 경화 온도의 상관관계가 복수의 사전 선택된 경화 가열 속도에 대하여 측정되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, CTE와 경화 온도의 상관관계가 x측에 경화 온도 값을 표기하고 y축에 CTE 값을 표기하여 상이한 경화 가열 속도를 나타내는 복수개의 선으로 이루어진 폴리이미드 필름의 경화 그래프를 작성함으로써 측정되는 것인 방법.
- 제3항에 있어서,경화 그래프가 (i)폴리아미드 전구체 용액을 기판에 도포하여 기판상에 코팅을 형성하는 단계; (ii)코팅을 건조시키는 단계; (iii)소정의 가열 속도로 최종 경화 온도까지 승온시키고, 최종 경화 온도에서 실질적으로 완전한 아미드화가 일어나는 충분한 시간동안 가열함으로써 아미드화 시켜 경화시키는 단계; (iv)단계(iii)으로부터 경화된 필름의 CTE를 측정하는 단계; (V)동일한 가열 속도와 상이한 최종 경화 온도를 사용하여 단계(i)-(iv)를 1회 이상 반복하는 단계; (vi)얻은 CTE 수치를 CTE대 최종 경화 온도 그래프에 표기하고 곡선으로 각 값을 연결하여 y축으로 연장시키는 단계; 및 (vii)상이한 가열 속도를 사용하여 단계(i)-(vi)을 1회 이상 반복하는 단계로 작성되는 것인 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 경화 가열 속도가 불연속적인 것인 방법.
- (1) 다음의 기준에 따라 테트라카르복실산 성분 및 디아민 성분을 함유한 폴리아미드를 선택하는 단계; (a)사전 선택된 CTE 값이 약 20ppm/℃ 미만일 경우, 테트라카르복실산 성분의 대부분 및 디아민 성분의 대부분이 강성이고; (b)사전 선택된 CTE 값이 약 20내지 약 40ppm/℃일 경우, 한 성분의 대부분은 강성이고 다른 성분의 대부분은 가요성이며; (c)사전 선택된 CTE 값이 약 40ppm/℃ 이상일 경우, 테트라카르복실산 성분의 대부분 및 디아민 성분의 대부분이 가요성임; (2) 단계1에서 선택한 테트라카르복실산 성분 및 디아민 성분으로부터 폴리아미드 전구체를 제조하는 단계; (3)단계 2로부터 폴리이미드 용액을 제조하는 단계; (4) 단계 3에서 제조한 폴리이미드 용액으로부터 제조한 폴리이미드 필름의 소부 온도를 CTE 변화와 실험적으로 상호 연계시켜 적어도 하나의 사전 선택된 소부 가열 속도에 대하여 CTE와 소부 온도와의 상관관계를 측정하는 단계; (5)상기 상관관계를 이용하여 폴리이미드 필름의 소부 온도 및 소부 가열 속도를 얻는 단계; 및 (6)단계 5에서 얻은 소부 온도 및 소부 가열 속도를 이용하여 단계 3에서 제조한 폴리이미드 용액으로부터 목적하는 CTE 값을 갖는 폴리이미드 필름을 제조하는 단계로 이루어진 것이 특징인 가용성 폴리이미드 중합체 용액으로부터 사전 선택된 CTE 값을 갖는 폴리이미드 필름의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, CTE와 소부 온도의 상관관계가 복수의 사전 선택된 소부 가열 속도에 대하여 측정되는 것인 방법.
- 제6항에 있어서, CTE와 소부 온도의 상관관계가 x축에 소부 온도 값을 표기하고 y축에 CTE 값을 표기하여 상이한 소부 가열 속도를 나타내는 복수개의 선으로 이루어진 폴리이미드 필름의 소부 그래프를 작성함으로써 측정되는 것인 방법.
- 제8항에 있어서, 소부 그래프가 (i)가용성 폴리아미드 용액을 기판에 도포하여 기판상에 코팅을 형성하는 단계; (ii)코팅을 건조시키는 단계; (iii)소정의 가열 속도로 최종 소부 온도까지 승온시키고, 최종 소부 온도에서 실질적으로 완전한 용액 제거가 일어나는 충분한 시간동안 가열함으로써 용매를 제거하여 경화시키는 단계; (iv)단계(iii)으로부터 소부된 필름의 CTE를 측정하는 단계; (v)동일한 가열 속도와 상이한 최종 소부 온도를 사용하여 단계(i)-(iv)를 1회 이상 반복하는 단계; (vi)얻은 CTE 값를 CTE대 최종 소부 온도 그래프에 표기하고 곡선으로 각 값을 연결하여 y축으로 연장시키는 단계; 및 (vii)상이한 가열 속도를 사용하여 단계(i)-(vi)을 1회 이상 반복하는 단계로 작성되는 것인 방법.
- 제6항 또는 제9항에 있어서, 소부 가열 속도가 불연속적인 것인 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69115171T2 (de) * | 1990-08-27 | 1996-05-15 | Du Pont | Flexible Polyimid-Mehrschichtlaminate und ihre Herstellung. |
US5393864A (en) * | 1993-04-26 | 1995-02-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Wet-etchable random polyimide copolymer for multichip module applications |
US5716677A (en) * | 1996-03-21 | 1998-02-10 | Ohio Aerospace Institute | Protective coatings for polyimide composites |
US5753306A (en) * | 1996-09-11 | 1998-05-19 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of forming a composite coating with particle materials that are readily dispersed in a sprayable polyimide solution |
US5889139A (en) * | 1997-02-28 | 1999-03-30 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Dimensionally stable ether-containing polyimide copolymers |
US7285321B2 (en) * | 2003-11-12 | 2007-10-23 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer substrates having at least two dissimilar polyimide layers, useful for electronics-type applications, and compositions relating thereto |
KR20060045208A (ko) * | 2004-11-12 | 2006-05-17 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 팩키지용 회로기판 및 이의 제조방법 |
CN100344699C (zh) * | 2005-09-27 | 2007-10-24 | 黄堂杰 | 聚酰胺酸组合物及聚酰亚胺/铜箔积层材料 |
KR101227317B1 (ko) * | 2007-07-31 | 2013-01-28 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 열안정성이 개선된 폴리이미드 필름 |
TWI480311B (zh) * | 2008-05-20 | 2015-04-11 | Ube Industries | 芳香族聚醯亞胺膜、疊層體及太陽電池 |
EP2326386B1 (en) | 2008-09-26 | 2015-11-18 | Pixium Vision SA | Electrode array and method of manufacturing same |
KR101710218B1 (ko) * | 2009-04-14 | 2017-02-24 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 금속화용 폴리이미드 필름, 이의 제조 방법, 및 금속 적층 폴리이미드 필름 |
US20110220178A1 (en) * | 2009-09-17 | 2011-09-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Assemblies comprising a thermally and dimensionally stable polyimide film, an electrode and a light absorber layer, and methods relating thereto |
TWI409016B (zh) * | 2011-03-09 | 2013-09-11 | Lextar Electronics Corp | 載板結構及其製造方法 |
KR101646283B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2016-08-08 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 폴리아믹산 용액 |
KR20140083233A (ko) * | 2012-12-26 | 2014-07-04 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 폴리아믹산 용액, 이미드화막 및 표시소자 |
JP6152688B2 (ja) * | 2013-04-22 | 2017-06-28 | 宇部興産株式会社 | ポリアミック酸溶液組成物、及びそれを用いたポリイミド膜の製造方法 |
TWI561558B (en) * | 2015-12-09 | 2016-12-11 | Taiflex Scient Co Ltd | Polyimide polymer, polyimide film, and flexible copper-coated laminate |
KR20170115339A (ko) * | 2016-04-07 | 2017-10-17 | 주식회사 엘지화학 | 내열성이 개선된 폴리이미드 필름 및 그 제조방법 |
CN107474251A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-12-15 | 南京工业大学 | 一种膜电容器复合介电薄膜的制备方法 |
CN110272549B (zh) * | 2018-03-16 | 2020-09-15 | 北京化工大学 | 制备聚酰亚胺膜的方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0133533B1 (en) * | 1983-08-01 | 1993-04-21 | Hitachi, Ltd. | Low thermal expansion resin material for a wiring insulating film. |
US4937133A (en) * | 1988-03-28 | 1990-06-26 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Flexible base materials for printed circuits |
JPH0760935B2 (ja) * | 1988-03-28 | 1995-06-28 | 新日鐵化学株式会社 | フレキシブルプリント基板の製造法 |
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1991
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