DE69919661D1 - Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus leitfähigen Polythiophen bei neidriger Temperatur - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus leitfähigen Polythiophen bei neidriger TemperaturInfo
- Publication number
- DE69919661D1 DE69919661D1 DE69919661T DE69919661T DE69919661D1 DE 69919661 D1 DE69919661 D1 DE 69919661D1 DE 69919661 T DE69919661 T DE 69919661T DE 69919661 T DE69919661 T DE 69919661T DE 69919661 D1 DE69919661 D1 DE 69919661D1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- conductive polymer
- producing
- low temperature
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 title abstract 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 abstract 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP98203951 | 1998-11-17 | ||
EP98203951 | 1998-11-17 | ||
EP98204382 | 1998-12-21 | ||
EP98204382A EP1013413B1 (de) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | Elektrisch leitfähiges Verbundglas |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69919661D1 true DE69919661D1 (de) | 2004-09-30 |
DE69919661T2 DE69919661T2 (de) | 2005-09-22 |
Family
ID=26150906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69919661T Expired - Lifetime DE69919661T2 (de) | 1998-11-17 | 1999-10-27 | Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus leitfähigen Polythiophen bei niedriger Temperatur |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4491098B2 (de) |
DE (1) | DE69919661T2 (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4725943B2 (ja) * | 2001-06-22 | 2011-07-13 | アグフア−ゲヴエルト,ナームローゼ・フエンノートシヤツプ | 3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマーもしくはコポリマーを含有するフレキソグラフィーインキ |
KR100978825B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2010-08-30 | 아그파-게바에르트 엔.브이. | 3,4-디알콕시티오펜의 중합체 또는 공중합체 및 비수계용매를 포함하는 조성물 |
JP3940625B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 有機el正孔注入層用インクおよびその製造方法、有機el表示装置の製造方法、ならびに有機el表示装置 |
KR100498577B1 (ko) * | 2002-07-26 | 2005-07-01 | 이찬우 | 전자파 차폐용 도료 조성물 및 그의 제조방법 |
WO2004018560A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Agfa-Gevaert | Layer configuration with improved stability to sunlight exposure |
WO2004114326A1 (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-29 | Agfa-Gevaert | Process for preparing electroconductive coatings |
JP2006028214A (ja) | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Nagase Chemtex Corp | ポリ(3,4−ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体の製造方法 |
US7387856B2 (en) * | 2005-06-20 | 2008-06-17 | Industrial Technology Research Institute | Display comprising liquid crystal droplets in a hydrophobic binder |
US7973180B2 (en) | 2005-11-17 | 2011-07-05 | H.C. Starck Gmbh | Process for producing aqueous dispersion of composite of poly(3,4-dialkoxythiophene) with polyanion |
JP2009255546A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Nagaoka Sangyo Kk | 樹脂積層体の製造方法及び積層体 |
JP2010090397A (ja) * | 2010-01-29 | 2010-04-22 | Nagase Chemtex Corp | ポリ(3,4−ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体の製造方法 |
JP5872872B2 (ja) | 2011-12-12 | 2016-03-01 | Necトーキン株式会社 | 導電性高分子組成物の製造方法、導電性高分子材料の製造方法、導電性基材の製造方法、電極の製造方法および固体電解コンデンサの製造方法 |
JP5952551B2 (ja) | 2011-12-12 | 2016-07-13 | Necトーキン株式会社 | 導電性高分子組成物およびその製造方法、導電性高分子材料の製造方法、導電性基材の製造方法、電極の製造方法、電子デバイスの製造方法並びに固体電解コンデンサの製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4211461A1 (de) * | 1992-04-06 | 1993-10-07 | Agfa Gevaert Ag | Antistatische Kunststoffteile |
TW247319B (de) * | 1992-06-17 | 1995-05-11 | Japat Ltd | |
ATE228545T1 (de) * | 1994-05-06 | 2002-12-15 | Bayer Ag | Leitfähige beschichtungen |
-
1999
- 1999-10-27 DE DE69919661T patent/DE69919661T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-12 JP JP32254499A patent/JP4491098B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4491098B2 (ja) | 2010-06-30 |
DE69919661T2 (de) | 2005-09-22 |
JP2000153229A (ja) | 2000-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69919661D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus leitfähigen Polythiophen bei neidriger Temperatur | |
WO2001086709A3 (en) | Simplified method to produce nanoporous silicon-based films | |
DE69827259D1 (de) | Zusammensetzungen aus alkoxysilan und organischem polymer zur herstellung von dünnen isolierenden schichten und deren verwendung | |
CA2301863A1 (en) | Polymorphs modifications of 2-(3-cyano-4-isobutyloxyphenyl)-4-methyl-5-thiazolecarboxylic acid and method of producing the same | |
DE60022746D1 (de) | Durch polymerabbau erhältliches nano-poröses material mit niedriger dielektrizitätskonstante | |
DE69122568D1 (de) | Hitzebeständiger flammfester leitender Film mit einer elektrischen Isolierschicht und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE60139463D1 (de) | Prozess zur herstellung von dünnfilmtransistoren | |
JPS5760330A (en) | Resin composition | |
DE59913339D1 (de) | Verfahren zur herstellung von derivaten des polyarylenvinylen | |
DE3485704D1 (de) | Verfahren zur herstellung von leitfaehigen, durchgehenden loechern durch eine dielektrische schicht. | |
DE602005014421D1 (de) | Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte | |
ATE343608T1 (de) | Verfahren zur herstellung von organischem silicatpolymer | |
KR960030376A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
TW200504165A (en) | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device | |
DE3482546D1 (de) | Plasmaverfahren zur herstellung leitfaehiger durchgehender loecher durch eine dielektrische schicht. | |
JP6599640B2 (ja) | シリカ系膜形成用組成物、シリカ系膜、および電子デバイス | |
DE602004001781D1 (de) | Elektrische leitung beschichtet mit einer haftenden schicht und herstellungsprozess davon | |
SG131746A1 (en) | A method for forming a region of low dielectric constant nanoporous material using a microemulsion technique | |
DE69506215D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht aus konjugiertem, substituiertem oder nicht-substituiertem poly(p-phenylen-vinylen) mittels gasphasenabscheidung und herstellungsverfahren einer elektrolumineszierenden vorrichtung | |
JP2003286336A (ja) | 透明の導電性層の製造方法、こうして得られる層並びにその使用 | |
DE10131669A1 (de) | Herstellung von organischen Halbleitern mit hoher Ladungsträgermobilität durch pi-konjugierte Vernetzungsgruppen | |
DE602006010568D1 (de) | Siliziumbeschichtung mit niedriger dielektrizitätskonstante, herstellungsverfahren dafür und deren anwendung für integrierte schaltungen | |
EP1236772A4 (de) | Zusammensetzung, verfahren zur herstellung von filmen mit geringer durchlässigkeit aus dieser zusammensetzung, filme mit geringer durchlässigkeit sowie elektronisches teil mit einem film mit geringer durchlässigkeit | |
JP2007504642A (ja) | 集積回路および集積回路の製造方法 | |
KR101858140B1 (ko) | 기재로부터 열경화성 중합체를 제거하는 공정 |